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長(cháng)鑫
長(cháng)鑫 文章 進(jìn)入長(cháng)鑫技術(shù)社區
國內首家DRAM供應商誕生：10nm級工藝 月產(chǎn)能將占全球3%
- 近日，據外媒報道，長(cháng)鑫存儲正式宣布其成為了國內第一家也是唯一一家DRAM供應商。長(cháng)鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，專(zhuān)業(yè)從事DRAM內存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)，并通過(guò)專(zhuān)用研發(fā)線(xiàn)快速迭代研發(fā)，結合當前先進(jìn)設備大幅度改進(jìn)工藝，開(kāi)發(fā)出了獨有的技術(shù)體系。長(cháng)鑫內存自主制造項目總投資1500億元，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm工藝級8Gb DDR4內存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。該晶圓廠(chǎng)每月產(chǎn)量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)鑫 長(cháng)鑫存儲
國產(chǎn)雄起！合肥長(cháng)鑫19nm DRAM內存芯片產(chǎn)能增加
- 存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進(jìn)口半導體芯片中的大頭，其中DRAM內存芯片占比最高，有20%以上。最新報道稱(chēng)，合肥長(cháng)鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓。在9月份開(kāi)幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì )上，合肥長(cháng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(cháng)鑫內存芯片自主制造項目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內存。長(cháng)鑫存儲董事長(cháng)兼首席執行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國內外大客戶(hù)的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。據悉，長(cháng)鑫的DRAM技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 內存 長(cháng)鑫 奇夢(mèng)達 內存顆粒
長(cháng)鑫存儲宣布其設計產(chǎn)能12萬(wàn)片生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)
- 新華社消息，在合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì )上，總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲內存芯片制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產(chǎn)投與兆易創(chuàng )新共同出資組建。目前，項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。長(cháng)鑫存儲董事長(cháng)兼首席執行官朱一明介紹，長(cháng)鑫存儲投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國內外大客戶(hù)的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投
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長(cháng)鑫介紹
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