ROHM面向車(chē)載系統開(kāi)發(fā)出200V耐壓肖特基勢壘二極管RBxx8BM/NS200

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內的動(dòng)力傳動(dòng)系統等車(chē)載系統，開(kāi)發(fā)出200V耐壓的超低I_R^※1肖特基勢壘二極管^※2（以下簡(jiǎn)稱(chēng)SBD）RBxx8BM200和RBxx8NS200。

RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品是可在高溫環(huán)境下工作的超低I_R SBD，已經(jīng)在日本國內的汽車(chē)市場(chǎng)取得非常優(yōu)異的業(yè)績(jì)。此次，利用其超低I_R特性，實(shí)現了高達200V的耐壓，可替換以往在汽車(chē)中普遍使用的整流二極管^※3和快速恢復二極管^※4（以下簡(jiǎn)稱(chēng)FRD），因此可顯著(zhù)改善V_F^※5特性（比以往FRD低約11％）。不僅有助于進(jìn)一步降低應用的功耗，還可因發(fā)熱量降低而實(shí)現小型封裝設計，從而進(jìn)一步節省空間。

本產(chǎn)品已于2019年7月份開(kāi)始出售樣品（樣品價(jià)格250日元／個(gè)，不含稅），預計將于2019年9月開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Wako Co., Ltd.（日本岡山），后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）和ROHM Korea Corporation（韓國）。

＜開(kāi)發(fā)背景＞

ROHM已實(shí)現可在車(chē)載的高溫環(huán)境下使用的耐壓達150V的超低I_R SBD RBxx8系列的量產(chǎn)，并已獲得高度好評。近年來(lái)，在48V輕度混合動(dòng)力等驅動(dòng)系統中，將電機和外圍部件集成于1個(gè)模塊的“機電一體化”已成為趨勢技術(shù)，能夠在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率SBD的需求日益高漲。而另一方面，在以往使用150V產(chǎn)品的系統中，高性能化和高可靠性要求越來(lái)越嚴格，因此要求SBD要具有更高的耐壓性能。

在這種背景下，ROHM在RBxx8系列的產(chǎn)品陣容中新增加了200V耐壓的產(chǎn)品。未來(lái)，羅姆將進(jìn)一步擴充產(chǎn)品陣容，為車(chē)載和工業(yè)設備等廣泛的應用領(lǐng)域進(jìn)一步降低功耗、節省空間貢獻力量。

＜特點(diǎn)＞

在高溫環(huán)境下使用的車(chē)載和電源設備的電路，希望將以往的整流二極管和FRD替換為效率性能更優(yōu)異的SBD。然而另一方面，SBD存在的問(wèn)題是隨著(zhù)工作環(huán)境溫度上升，I_R特性會(huì )惡化，容易引發(fā)熱失控，因此對于高效率且在高溫環(huán)境下也可安全使用的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)需求越來(lái)越強烈。

RBxx8系列采用非常適用于高溫環(huán)境的阻擋金屬，大大改善了在車(chē)載和電源設備的電路中使用SBD時(shí)的最大課題--I_R特性，成功打造了在車(chē)載和工業(yè)設備等高溫環(huán)境下也可安全使用、無(wú)需擔心熱失控的SBD系列產(chǎn)品。

1.替換FRD，有助于進(jìn)一步降低應用的功耗

擁有超低I_R特性，可實(shí)現高達200V的耐壓，從而可將以往在需要200V耐壓的車(chē)載系統中使用的FRD替換為SBD。RBxx8BM/NS200與FRD產(chǎn)品相比，V_F特性可降低約11％，有助于應用的低功耗化。

2.發(fā)熱量減少，可小型封裝設計，有助于應用進(jìn)一步節省空間

更低V_F可抑制發(fā)熱量，因此與以往產(chǎn)品相比，可實(shí)現同一尺寸小型封裝設計。

目前，中等功率封裝品也在開(kāi)發(fā)中，未來(lái)，曾經(jīng)使用的5.9×6.9mm尺寸FRD產(chǎn)品將能夠被替換為2.5×4.7mm的小型封裝產(chǎn)品，安裝面積可削減71%。

＜產(chǎn)品陣容＞

此次新增加的200V產(chǎn)品包括8款機型，至此，RBxx8系列的產(chǎn)品陣容已多達212款機型。

＜應用＞

動(dòng)力傳動(dòng)系統等車(chē)載系統（xEV等）、工業(yè)設備逆變器、各種電源設備等。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

※1）I_R（Reverse Current）

施加反向電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。值越小功耗越低。

※2）肖特基勢壘二極管（Schottky-Barrier Diode：SBD）

具有“正向電壓降較小、開(kāi)關(guān)速度快”特點(diǎn)的二極管。主要用于開(kāi)關(guān)電源等。

※3）整流二極管（Rectifier Diode）

具有從交流轉換為直流功能的二極管。

※4）快速恢復二極管（Fast Recovery Diode： FRD）

將施加的正向電壓切換為反向電壓時(shí)，瞬間流過(guò)的反向電流達到零的時(shí)間（即反向恢復時(shí)間）很短的二極管。

※5）V_F （Forward Voltage）

流過(guò)正向電流時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。值越小功耗越低。