美光內存路線(xiàn)圖：10nm級工藝多達六種 單條64GB馬上來(lái)

不同于CPU處理器等邏輯芯片的制造工藝都精確到具體數值，閃存、內存工藝一直都是很模糊的叫法，比如10nm-class(10nm級別)，只是介于20nm和10nm之間，然后又分為1xnm、1ynm、1znm等不同版本，越來(lái)越先進(jìn)，越來(lái)越接近真正的10nm。

隨著(zhù)先進(jìn)半導體工藝難度的急劇上升，Intel這樣的巨頭都開(kāi)始吃不消，在工藝上一貫精打細算的閃存內存廠(chǎng)商也走出了一條新路，比如美光。

相比三星、SK海力士，美光雖然也是DRAM內存巨頭之一，但工藝一直不算很先進(jìn)，10nm級上更是玩出了花活，擠牙膏手法之新穎讓Intel都會(huì )自嘆弗如。

美光早已有了成熟的第一代10nm級工藝也就是1xnm，目前正在擴大產(chǎn)能的是第二代1ynm，生產(chǎn)對象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4顆粒等。

當前美光正在與客戶(hù)驗證第三代1znm，預計很快就會(huì )官宣，并在2020財年(今年9月開(kāi)始)投入量產(chǎn)，據稱(chēng)會(huì )主要用來(lái)生產(chǎn)16Gb LPDDR5、DDR5顆粒。

按照DRAM內存行業(yè)以往的慣例，接下來(lái)就要超越10nm級工藝了，但想進(jìn)入個(gè)位數時(shí)代實(shí)在太難，美光計劃在1nm級上多呆幾年，并準備了至少三種新的10nm級工藝：1αnm、1βnm、1γnm——沒(méi)錯，都用上希臘字母了。

如此一來(lái)，美光將會(huì )有多達六種10nm級工藝，有調研機構稱(chēng)美光其實(shí)還有個(gè)升級版的1xsnm，但沒(méi)有得到官方確認，如果屬實(shí)將有七種，切不排除未來(lái)增加更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm當然會(huì )一個(gè)比一個(gè)更先進(jìn)，一個(gè)比一個(gè)更逼近10nm，不過(guò)具體細節美光暫未披露，只是說(shuō)會(huì )在1βnm、1γnm階段會(huì )用上沉浸式四重曝光技術(shù)，比現在的雙重曝光、三重曝光更復雜。

同時(shí)，美光還在評估EUV極紫外光刻技術(shù)，預計屆時(shí)只需雙重曝光，可大大降低工藝復雜度，但具體什么時(shí)候、在哪代工藝上使用，美光還沒(méi)有做出決定。

美光估計，DRAM內存生產(chǎn)中每一個(gè)EUV層需要1.5-2套EUV光刻機，月產(chǎn)能可達10萬(wàn)片晶圓，CPU等邏輯芯片則需要一個(gè)EUV層對應一臺EUV光刻機，月產(chǎn)能也僅有4.5萬(wàn)片晶圓。

目前，臺積電、三星已經(jīng)開(kāi)始在7nm工藝升級版上部分引入EUV，接下來(lái)的5nm上會(huì )全面部署，DRAM內存行業(yè)顯然不會(huì )那么快。 

另外，臺北電腦展上我們已經(jīng)見(jiàn)到威剛、英睿達(美光消費級品牌)展示單條32GB DDR4 UDIMM消費級內存條，使用的都是美光最新的1ynm 16Gb DDR4顆粒。

美光透露，還會(huì )用這種顆粒制造單條64GB容量的RDIMM服務(wù)器內存。