半導體戰爭！三星，怒砸7730億！臺積電，買(mǎi)走大半光刻機！

近日，三星電子放了狠話(huà)，將在未來(lái)10年內（至2030年）投資133兆韓元（約合1150億美元，7730億人民幣），以在邏輯芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮主導作用。

剛剛登上代工廠(chǎng)第二名的三星，顯得相當的雄心勃勃：1、在邏輯芯片市場(chǎng)稱(chēng)王；2、挑戰臺積電代工廠(chǎng)龍頭的位置。

這廂三星發(fā)力要蠶食價(jià)值850億美元的代工市場(chǎng)（數據來(lái)源：Gartner）這塊肥肉；那邊吞掉超過(guò)一半市場(chǎng)份額的臺積電，顯然不打算對三星的挑釁置之不理了。

在這場(chǎng)芯片制程終極之戰中，三大芯片代工巨頭，一方面進(jìn)行著(zhù)路線(xiàn)之爭，另一方面鉚足火力隔空火拼未來(lái)的關(guān)鍵制程技術(shù)節點(diǎn)，尤其是6nm和5nm。

所謂路線(xiàn)之爭，一方有臺積電三星自定標準，“激進(jìn)”挺進(jìn)5/4/3nm工藝，另一方英特爾堅守“慢工出細活”，做業(yè)界最好的10nm。

而關(guān)于未來(lái)技術(shù)節點(diǎn)之戰的導火索，在這個(gè)4月已經(jīng)被點(diǎn)燃！臺積電和三星兩大芯片代工廠(chǎng)隔空開(kāi)“杠”，三星剛高調更新6nm、5nm工藝進(jìn)展，臺積電就在當日傍晚立即跳出來(lái)宣布自己的6nm計劃。

芯片制程的戰火，正從前兩年炙手可熱的10nm、7nm向更為領(lǐng)先的6、5、3nm蔓延。

▲全球各大代工廠(chǎng)制程節點(diǎn)技術(shù)路線(xiàn)（來(lái)源：ExtremeTech）

從爭相研發(fā)先進(jìn)技術(shù)，到積極儲備頂級光刻機等半導體制造設備，臺積電和三星的戰旗已經(jīng)高舉，以各自獨特的方式給摩爾定律續命。同時(shí)，摩爾定律的擁護者英特爾則堅持遵從嚴苛的技術(shù)規格，循序漸進(jìn)地進(jìn)行著(zhù)堪比其他廠(chǎng)7nm的10nm制程研發(fā)。

新的制程之戰已經(jīng)隔空上演，三大巨頭誰(shuí)又最有望奪得芯片制程的王座？

三大巨頭10nm與7nm階段性戰果

經(jīng)過(guò)去年蘋(píng)果、華為、高通圍繞7nm手機芯片的一系列宣傳，7nm制程從去年到今年一直是科技行業(yè)內的一大熱點(diǎn)。

雖說(shuō)10nm以上工藝的芯片足以滿(mǎn)足絕大多數電子設備的性能需求，但隨著(zhù)AI和5G聲勢漸起，更多新的軟硬件載體將層出不窮，市場(chǎng)格局未來(lái)幾年可能產(chǎn)生巨變，而率先掌握最先進(jìn)制程的研發(fā)者，更有希望在未來(lái)拔得頭籌。

近兩年來(lái)，越來(lái)越多的半導體廠(chǎng)商宣布推出或即將推出7nm芯片，同時(shí)英特爾姍姍來(lái)遲的10nm芯片也終于將在今年組團來(lái)襲。

▲半導體代工廠(chǎng)制程路線(xiàn)圖（來(lái)源：Anysilicon）

1、10nm：臺積電2年前量產(chǎn)，英特爾慢工出大活

臺積電的10nm工藝于2016年底投入批量生產(chǎn)，并在去年從10nm迅速發(fā)展至7nm。臺積電相信7nm產(chǎn)品將成為28nm和16nm等長(cháng)壽命節點(diǎn)。

▲臺積電歷代制程PPA（Power，Performance，Area Reduction）較上一代提升幅度（來(lái)源：ExtremeTech）

在2018年初，三星開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm工藝，稱(chēng)為10LPP（低功率+）。去年晚些時(shí)候，三星推出了第三代10nm工藝，稱(chēng)為10LPU（低功耗終極），提供了另一項性能。

三星采用10nm的三重圖案光刻技術(shù)。與臺積電不同，三星認為其10nm工藝系列（包括8nm衍生產(chǎn)品）的生命周期很長(cháng)。

10nm方面，臺積電的晶體管密度為每平方毫米4810萬(wàn)個(gè)，三星的是每平方毫米5160萬(wàn)個(gè)。而英特爾的10nm晶體管密度據說(shuō)達到了每平方毫米1.008億個(gè)，是目前14nm的2.7倍，接近三星的7nm晶體管密度（每平方毫米1.0123億個(gè)）。

相較而言，英特爾的10nm制程工藝可以說(shuō)是好事多磨的典范。

近年來(lái)，英特爾多次調整其10nm路線(xiàn)圖。早在2013年，就出現英特爾將在2015年使用其10nm技術(shù)生產(chǎn)CPU的傳聞，后來(lái)這一日期先是被延遲到2016年，又被推到2017年下半年，如今真正的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)挪到 ，大規模量產(chǎn)預計到等到明年。

然后在2016年初，英特爾將其“Tick-Tock”節奏轉為“工藝架構優(yōu)化”模式，正式延長(cháng)其制造技術(shù)節點(diǎn)的生命周期。

雖說(shuō)英特爾的10nm制程姍姍來(lái)遲，流傳比較廣的說(shuō)法是，臺積電的16nm相當于英特爾22nm，臺積電的7nm相當于英特爾的10nm，臺積電的3-5nm相當于英特爾5-7nm。

2、7nm：臺積電多面領(lǐng)先，三星全力追趕

相比10nm，7nm工藝的玩家更加稀缺，去年8月，昔日的全球第二大晶圓代工廠(chǎng)格羅方德宣布放棄底正式宣布無(wú)限期暫停7nm工藝，7nm戰場(chǎng)上的陣營(yíng)唯剩臺積電和三星。

在7nm節點(diǎn)上，現階段臺積電多方面壓制三星。

首先，臺積電在時(shí)間上先揚起了7nm的旗幟。

2018年4月，臺積電采用DUV技術(shù)，率先實(shí)現第一代7nm芯片的量產(chǎn)。6個(gè)月后，三星基于EUV的7nm工藝投入風(fēng)險生產(chǎn)。據近日消息，臺積電采用EUV的第二代7nm工藝將于今年6月開(kāi)始批量生產(chǎn)。

三星在韓國華城建設全新的生產(chǎn)線(xiàn)就是專(zhuān)為7nm EUV量產(chǎn)準備的，計劃在2019年底全面完工，7nm EUV大規模量產(chǎn)在明年底前實(shí)現，比臺積電預計量產(chǎn)時(shí)間晚了一年有余。

▲韓國華城7nm EUV工廠(chǎng)

從商用角度來(lái)看，臺積電的7nm制程已經(jīng)實(shí)現全面量產(chǎn)，而三星的7nm制程遲遲未見(jiàn)商用。

在亟待先進(jìn)支撐的手機旗艦機芯片方面，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通驍龍855皆采用臺積電第一代7nm工藝。華為麒麟985和蘋(píng)果A13芯片極有可能會(huì )采用臺積電新的7nm EUV工藝制造。

據臺積電CEO魏哲家在投資者大會(huì )上透露，臺積電7nm制程去年量產(chǎn)的7nm芯片超過(guò)50款，今年年底將超過(guò)100款，將出現在一系列新一代CPU、GPU、AI加速芯片、礦機ASIC、網(wǎng)絡(luò )、游戲、5G、汽車(chē)芯片等產(chǎn)品中，AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、比特大陸、嘉楠耘智等都是臺積電7nm的客戶(hù)。

從臺積電各制程營(yíng)收分布來(lái)看，7nm制程的營(yíng)收比例從去年Q3開(kāi)始大幅邁進(jìn)。

▲臺積電2015年Q3-2018年Q4營(yíng)收分布（來(lái)源：ANANDTECH）

三星最新推出的自家處理器Exynos 9820采用的還是8nm LPP工藝，其Exynos 9825有望成為首款搭載7nm EUV的處理器，預計將在今年下半年發(fā)布，應該會(huì )搭載在三星旗艦機Galaxy Note 10上。

除了三星自己外，目前已知的三星7nm EUV客戶(hù)有IBM，雙方將合作開(kāi)發(fā)下一代高性能計算Power處理器。

未來(lái)之戰：6/5/3nm工藝戰事儲備

截至今日，臺積電似乎已經(jīng)在7nm制程之戰中呈現壓倒式勝利，在5nm節點(diǎn)，臺積電同樣在進(jìn)度上暫時(shí)領(lǐng)先。不過(guò)就近期的動(dòng)作來(lái)看，三星也在加強火力。

三星曾對外宣稱(chēng)，即將來(lái)臨的5G、人工智能、Connected＆Automotive、機器人等技術(shù)，是第四次工業(yè)革命的催化劑，而為了降低成本，半導體5nm工藝技術(shù)的發(fā)展成果至關(guān)重要。

4月16日，三星“言行一致”地一連釋放多個(gè)重磅消息：5nm FinFET工藝技術(shù)完成開(kāi)發(fā)、并宣稱(chēng)有能力為客戶(hù)提供樣品、第一個(gè)6nm客戶(hù)進(jìn)入流片……

而此前據TrendForce公布的數據顯示，今年一季度三星在芯片代工市場(chǎng)的份額將達到19.1%，較去年的14.9%提升近三成。臺積電的市場(chǎng)份額則出現了下滑，從去年的50.8%下降到48.1%。

在6、5、4、3nm之戰中，臺積電和三星的戰鼓才剛剛敲響。

1、6nm：7nm制程的升級版

4月16日，三星宣布其第一個(gè)基于EUV技術(shù)開(kāi)發(fā)的6nm客戶(hù)進(jìn)入流片，預計2019年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

臺積電的傳統都是“先做再說(shuō)”，不過(guò)不知道是不是受到三星這位“先做不說(shuō)”的對手的影響，臺積電也在當天傍晚第一次對外宣布其6nm（N6）工藝技術(shù)，預計將在2020年Q1試產(chǎn)。

臺積電的6nm聽(tīng)上去貌似比7nm先進(jìn)了一代，但實(shí)際上，它是基于其現有的7nm工藝改進(jìn)的。

根據臺積電的說(shuō)法，6nm（N6）技術(shù)的邏輯密度較 7nm (N7) 增加 18%，且設計法則與7nm技術(shù)完全相容。

這樣使得6nm工藝具備更好的成本優(yōu)勢，同時(shí)性能、功耗優(yōu)勢與7nm工藝保持相同，7nm完備的設計生態(tài)系統能夠被直接遷移再使用，為6nm客戶(hù)提供一個(gè)具備快速設計周期的升級捷徑，從而加快產(chǎn)品上市。

之前盛傳的是蘋(píng)果2020年iPhone的A14系列芯片很可能用臺積電的5nm制程，現在看來(lái)臺積電的6nm工藝也有望被劃到備選范圍內。

2、5nm：臺積電進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)，三星快馬加鞭趕進(jìn)度

三星在4月16日釋放的消息可不止6nm，說(shuō)起來(lái)，三星在5nm透露的信息量更豐富。

三星宣布其基于EUV光刻技術(shù)的5nm FinFET工藝技術(shù)完成開(kāi)發(fā)，采用 Smart Diffusion Break (SDB) 晶體管設計架構，相比7nm芯片特定面積晶體管數量增加了25%、速度提高10%、耗能降低20%。

而這距離三星在7nm工藝中引入EUV技術(shù)僅隔6個(gè)月。

三星表示，自2018年Q4以來(lái)，其5nm產(chǎn)品就擁有了設計基礎設施，包括工藝設計工具、設計方法、電子設計自動(dòng)化（EDA）工具和IP。此外，三星晶圓廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始向客戶(hù)提供5nm多項目晶圓服務(wù)。

臺積電的5nm工藝信息則釋放的更早，而且據說(shuō)明年問(wèn)世的蘋(píng)果A14芯片和華為麒麟990芯片，都已經(jīng)預定了臺積電的5nm。

去年1月，臺積電在臺灣開(kāi)設了新的5nm晶圓18廠(chǎng)（Fab 18），同年6月，該公司宣布砸250億美元投資5nm芯片工藝研發(fā)與生產(chǎn)。

▲2018年1月，臺積電臺灣南科5nm晶圓18廠(chǎng)第一期動(dòng)工儀式

到去年年底，臺積電總裁魏哲家又放出新消息，該5nm晶圓廠(chǎng)目前已經(jīng)在設備裝機中，預計2019年Q1完工，2020年投入量產(chǎn)。

今年4月3日，臺積電官宣5nm已進(jìn)入風(fēng)險性試產(chǎn)。相比7nm工藝，基于A(yíng)RM Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度，性能提升達15%。此外，5nm制程將會(huì )完全采用EUV技術(shù)。

3、3nm：有望在2020年初級對決

臺積電和三星的高手過(guò)招已經(jīng)延伸到3nm工藝上。當然啦，兩家的3nm究竟是怎么定義的還有待考量。

去年年底，臺積電宣布其斥資近200億美元的3nm晶圓廠(chǎng)正式通過(guò)環(huán)評標準，預計2020年開(kāi)工興建、隔年試產(chǎn)，并在2022到2023年間進(jìn)入量產(chǎn)。

這將成為第一座為3nm工藝建造的廠(chǎng)房。

▲三星代工廠(chǎng)制程節點(diǎn)技術(shù)路線(xiàn)圖（來(lái)源：ExtremeTech）

三星關(guān)于3nm工藝的說(shuō)法則不是很統一。在去年12月的IEDM會(huì )議上，三星晶圓代工業(yè)務(wù)負責人Eun Seung Jung表示，三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術(shù)的性能驗證，并且在進(jìn)一步完善該工藝，目標是在2020年大規模量產(chǎn)。但據外媒Tom’s Hardware的報道，三星將最早在2021年開(kāi)始量產(chǎn)3nm GAA（全環(huán)柵技術(shù)）工藝。

不過(guò)，多數業(yè)內人士表示不太相信三星的3nm芯片能在2022年前投入生產(chǎn)。

如果按照兩家公司的既定計劃，臺積電和三星極有可能將在2022年上演3nm制程的初級對決。

三大廠(chǎng)設備之爭：臺積電拿下最多EUV光刻機訂單

工欲善其事，必先利其器。制程越來(lái)越精細，離不開(kāi)半導體制造設備的升級。一個(gè)邏輯器件要經(jīng)過(guò)1000多個(gè)工藝步驟，要攻克上萬(wàn)個(gè)技術(shù)細節才能加工出來(lái)。

其中，最最最核心的設備當屬光刻機，光刻技術(shù)堪稱(chēng)是現代集成電路上最大的難題，是決定制程能有多精細的“刻刀”。

1、起決定性作用的光刻機

光刻機有多重要？沒(méi)有ASML的光刻機，臺積電、三星、英特爾的先進(jìn)制程都是一紙空文。

從前文可以看到，臺積電初代7nm工藝使用的還是深紫外（DUV）光刻技術(shù)，從臺積電第二代7nm工藝和三星初代7nm工藝開(kāi)始，兩家的先進(jìn)制程都計劃使用極紫外（EUV）光刻技術(shù)。

盡管EUV在上個(gè)世紀就開(kāi)始研發(fā)，但一直達不到應用的需求，當前半導體生產(chǎn)中通常使用的是波長(cháng)193nm的DUV技術(shù)，人們借助沉浸式光刻、多重曝光等復雜技術(shù)，用DUV“湊活著(zhù)”推進(jìn)到了10nm芯片。

三星的8nm制程就使用的是DUV光刻+多重曝光生產(chǎn)的方法。

我們常用中性筆來(lái)寫(xiě)字，想象一下，假設給你一個(gè)193mm的中性筆，讓你寫(xiě)出粗細為1.0 mm的字，是不是簡(jiǎn)直天方夜譚？（此處感謝科學(xué)家們的聰明才智）

光刻機老大荷蘭ASML的EUV光刻機在跳票十多年后，終于在2016年成功量產(chǎn)。ASML也是全球唯一一家能生產(chǎn)EUV光刻機的公司。

此前為了督促ASML加快研發(fā)，臺積電、三星、英特爾還曾聯(lián)合給ASML投資當股東，不過(guò)EUV光刻機剛產(chǎn)生質(zhì)的突破，三巨頭又陸續拋售股票了。

據悉，截至去年5月，臺積電、三星、英特爾分別向ASML采購了10套、6套和3套EUV設備，我國大陸的晶圓制造公司中芯國際也在去年搶到1臺購買(mǎi)名額。

而據ElectronicsWeekly援引產(chǎn)應鏈消息，ASML擬在2019年出貨的30臺EUV設備，其中18臺都被臺積電買(mǎi)走（預計總價(jià)將超過(guò)150億人民幣），英特爾、三星等DRAM客戶(hù)瓜分其余12臺。

▲ASML雙工件臺NXE:3400B型EUV光刻機

有了EUV設備也不意味著(zhù)萬(wàn)事大吉了，光刻膠、缺陷檢測、光源功率、設備的穩定運行等多個(gè)環(huán)節都存在需要克服的挑戰。

2、打破封鎖，國產(chǎn)刻蝕機進(jìn)入臺積電生產(chǎn)線(xiàn)

除了光刻機外，芯片制造還離不開(kāi)刻蝕機。

光刻機在硅片上“畫(huà)”出電路結構后，等離子刻蝕機要按著(zhù)電路結構進(jìn)行微觀(guān)雕刻，能刻出加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬(wàn)分之一的接觸孔或者線(xiàn)條?，F在最先進(jìn)的刻蝕機就是5nm等離子刻蝕機。

去年年底，國內半導體圈曝出一個(gè)振奮人心的好消息，我國中微半導體設備公司宣布已研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機，并通過(guò)了臺積電的認證，將用于全球首條5nm工藝。

中微半導體設備公司早在去年年初就宣布成功研發(fā)5nm刻蝕機，比IBM宣布掌握5nm技術(shù)還早了2周。

中微半導體創(chuàng )始人兼CEO尹志堯稱(chēng)：”設備的研發(fā)比芯片新技術(shù)的研發(fā)至少要提前5年。5nm估計5年以后用戶(hù)才能夠用的到?！彼麑?nm的市場(chǎng)非常有信心，表示“明年臺積電將率先進(jìn)入5nm制程，已通過(guò)驗證的國產(chǎn)5nm刻蝕機，預計會(huì )獲得比7nm生產(chǎn)線(xiàn)更大的市場(chǎng)份額。

7nm芯片生產(chǎn)線(xiàn)的刻蝕機基本上由屬于國際第一梯隊的泛林半導體、應用材料、東京電子和日立4家美日企業(yè)承包了。去年中微半導體的7nm刻蝕機也宣布進(jìn)入了臺積電生產(chǎn)線(xiàn)。

另一家國產(chǎn)半導體材料商江豐電子的鉭靶材及環(huán)件也已經(jīng)在臺積電7nm芯片中量產(chǎn)。

3、研發(fā)投入：臺積電略高于三星

要制造出先進(jìn)制程的芯片，既要有頂尖制造設備的加持，還要保證核心技術(shù)的領(lǐng)先性。

在這一點(diǎn)上，英特爾、三星和臺積電都走在全球最前線(xiàn)。根據IC Insights的數據，2017年三家公司的研發(fā)支出均在全球半導體研發(fā)支出排行榜上排前六。

在研發(fā)方面，英特爾一貫是重金投入研發(fā)的代表企業(yè)，每次研發(fā)支出都在排行榜上獨領(lǐng)風(fēng)騷。

本周三，三星宣布將在未來(lái)十年投入1150億美元在邏輯芯片制造上，其中631億美元用于促進(jìn)研發(fā)，519億美元用于升級其芯片生產(chǎn)工廠(chǎng)。三星表示，從2019年到2030年，平均每年將花費約95億美元，并曾透露5nm節點(diǎn)的研發(fā)費用將增至5億美元。

臺積電的年研發(fā)支出預計在100億至110億美元之間，略高于三星。

如今半導體業(yè)務(wù)已經(jīng)成三星的大功臣，銷(xiāo)售額占該集團營(yíng)業(yè)利潤的約3/4，從獨立晶圓代工業(yè)務(wù)的舉動(dòng)來(lái)看，三星對這一業(yè)務(wù)相當看重。如果臺積電進(jìn)度持續加快，不排除三星加大研發(fā)力度的可能。

從摩爾定律到Fabless，三巨頭的相互成就

如果將芯片比作電子設備的大腦，制程則近似于表示神經(jīng)元密度，芯片制程越小，“智商”越高。

芯片制程描述的是晶體管柵極寬度大小，而說(shuō)到晶體管柵極就不得不提到推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)爆發(fā)的摩爾定律。

1965年，英特爾創(chuàng )始人戈登·摩爾（Gordon Moore）提出摩爾定律：“集成電路上晶體管數量，約每隔18-24個(gè)月便會(huì )增加一倍，性能也將提升一倍?！?/span>

早期的芯片制程升級嚴格遵循摩爾定律，但隨著(zhù)晶體管變小，漏電、散熱等物理障礙和越來(lái)越高的成本所帶來(lái)的經(jīng)濟障礙，都讓摩爾定律逐漸變得寸步難行。

近些年，芯片制程經(jīng)歷了如下變化：

65nm→45nm→32nm→28nm→20nm→14/16nm→10nm→7nm，每提升一次，單位面積的芯片就能裝下更多的晶體管。

也就是說(shuō)，制程越小，芯片處理速度越快，計算性能和散熱效果也會(huì )變得更出色。

正應了那句俗話(huà)：濃縮就是精華。

晶圓代工先進(jìn)制程市場(chǎng)一直被幾大巨頭瓜分天下，目前全球具備10nm制程工藝量產(chǎn)能力的僅臺積電、三星兩家，英特爾的10nm芯片量產(chǎn)預計要等到今年年底。

其中，臺積電當屬“改朝換代”般的存在。

1、改朝換代臺積電，催生Fabless新模式

臺積電，這家1987年由張忠謀創(chuàng )立于臺灣新竹的公司，開(kāi)創(chuàng )了晶圓代工（foundry）模式，通俗點(diǎn)說(shuō)，就是把專(zhuān)門(mén)幫別人生產(chǎn)晶圓線(xiàn)。

在臺積電成立之前，英特爾、三星等半導體公司都有自己的晶圓廠(chǎng)，自己的芯片自己負責從晶圓制造到芯片測試和封裝的全流程。

也就是說(shuō)，臺積電將原本只是各家半導體公司副業(yè)的晶圓制造變成了自己的主業(yè)。

隨著(zhù)芯片發(fā)展，晶圓廠(chǎng)造價(jià)不斷上漲，越來(lái)越多的芯片制造商無(wú)力承受，而臺積電的創(chuàng )新模式開(kāi)始走俏于江湖。

晶圓代工的出現使得他們可以專(zhuān)注于設計和銷(xiāo)售，將制造、封裝、測試外包給專(zhuān)業(yè)的代工廠(chǎng)，這催生了無(wú)廠(chǎng)半導體（Fabless）的興起。

如今，臺積電已經(jīng)成為令半導體設計廠(chǎng)商仰賴(lài)的世界第一大晶圓代工廠(chǎng)，并成為臺灣最賺錢(qián)的公司，蘋(píng)果、高通、華為、賽靈思等7nm芯片都是從臺積電手中生產(chǎn)出來(lái)。

2、獨立晶圓代工業(yè)務(wù)的三星，盯上龍頭寶座

在全球前八大晶圓代工廠(chǎng)中，三星是唯一的IDM廠(chǎng)商，是如今唯一一個(gè)既能自己設計芯片，也能自己制造和為別人代工芯片的半導體巨頭。

而Foundry業(yè)務(wù)一直是三星的核心板塊，三星和臺積電的蘋(píng)果芯片訂單之爭還一度是業(yè)界和果粉間的熱門(mén)話(huà)題。

為了提升自己晶圓代工的業(yè)務(wù)水平，三星可謂是出盡各種招式：投資、挖人、獨立晶圓代工業(yè)務(wù)，還在去年年初的三星晶圓代工論壇上，放話(huà)說(shuō)：“今年的目標是到年底，將晶圓代工的市占率從第四名提升到第二名，超越聯(lián)電和格芯。未來(lái)則打算超越臺積電?！?/span>

現在看來(lái)，三星的年底小目標已經(jīng)實(shí)現了。

根據今年上半年出爐的多份產(chǎn)業(yè)報告，三星終于擺脫格羅方德和聯(lián)電的壓制，從排名第四攀升到全球第二大代工廠(chǎng)的位置，成為臺積電最大的競爭對手。

不過(guò)也有報告指出，三星市占提高是因為晶圓代工部門(mén)被獨立出來(lái)，因此生產(chǎn)三星自家的Exynos手機芯片也被算在代工營(yíng)收中，這才使得市占率大增。

3、先進(jìn)制程爭霸賽——巨頭的獨角戲

研發(fā)10nm及以下的先進(jìn)制程工藝，不僅要具備領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力、投入巨額的資金，還要面臨市場(chǎng)起量不足、客源有限等導致產(chǎn)能過(guò)剩的虧損風(fēng)險。

隨著(zhù)技術(shù)紅利消失，在利益權衡之下，格羅方德和聯(lián)電均在去年宣布放棄退出10nm及更先進(jìn)制程工藝的爭奪戰。以他們?yōu)榇淼慕^大多數代工廠(chǎng)，選擇專(zhuān)攻10nm及以上制程的技術(shù)優(yōu)化和市場(chǎng)拓展。

如今，堅守在10nm及更先進(jìn)制程的晶圓代工玩家僅剩臺積電、三星和英特爾。

其中英特爾又屬于比較特別的存在。

它雖然在2014年的轉型策略中曾將擴大晶圓代工業(yè)務(wù)當作一個(gè)重點(diǎn)，但可能受制于10nm工藝一直延期、最大代工客戶(hù)Altera被自己收購、其他代工客戶(hù)業(yè)務(wù)量不大等原因，英特爾在去年關(guān)閉對外的晶圓代工業(yè)務(wù)，專(zhuān)注于代工自己的芯片。

很久以前，有個(gè)叫ITRP的會(huì )議，把業(yè)界大佬們聚集一堂，共同制定下一個(gè)節點(diǎn)的標準。后來(lái)有一天，英特爾要定自己的標準，之后臺積電、三星也紛紛制定自己的節點(diǎn)標準。

這就導致不同廠(chǎng)商的制程不能僅靠數字就能比較出優(yōu)劣。

目前20nm以下的工藝，或多或少都在玩弄數字游戲，并不完全符合原來(lái)對制程的定義。

臺積電和三星的制程在數字上都摻了水分，相比之下英特爾就實(shí)在多了，光是14nm工藝，就連續三代以14nm、14nm+、14nm++來(lái)命名，每次性能提升的幅度都很高。

在業(yè)務(wù)方面，英特爾也基本不涉足移動(dòng)處理器，這一點(diǎn)和臺積電、三星不存在正面PK的矛盾。

結語(yǔ)：代工廠(chǎng)龍虎纏斗，未來(lái)尚不明晰

從當前格局來(lái)看，代工廠(chǎng)的分水嶺已經(jīng)趨于明顯。臺積電、三星領(lǐng)銜最先進(jìn)制程工藝的研發(fā)，并加重在代工業(yè)務(wù)的比重，已經(jīng)開(kāi)啟攻關(guān)接近物理極限的3nm制程；英特爾則專(zhuān)注于產(chǎn)品需求，循序漸進(jìn)地推進(jìn)制程工藝的進(jìn)展；而其他代工廠(chǎng)基本上都選擇注重10nm以上成熟制程工藝的技術(shù)優(yōu)化和市場(chǎng)拓展。

雖說(shuō)臺積電已經(jīng)穩坐晶圓代工第一的位置多年，但三星絕對是不容小覷的對手，從獨立代工業(yè)務(wù)、千億元投資計劃、高調宣布7/6/5nm進(jìn)展等一系列舉措，三星對這一市場(chǎng)的野心已然盡顯，和臺積電差距的逐漸縮小絕非無(wú)稽之談。

綜合晶圓廠(chǎng)、EUV設備、配套技術(shù)等儲備來(lái)看，臺積電和三星之間的差距并不明顯，臺積電在客戶(hù)忠誠度、先進(jìn)制程進(jìn)度、市場(chǎng)現有份額上優(yōu)勢更足，三星則背靠IDMq全能大廠(chǎng)這棵“大樹(shù)”，隨時(shí)可以加大資金和人才投入。

當然，盡管臺積電三星已經(jīng)隔空擦出了火藥味，但多位業(yè)內人士表示，當前業(yè)界對7nm以下的需求其實(shí)并不明顯，5nm可能已經(jīng)是商用極限了，現有制程已經(jīng)足以應對絕大多數電子設備的剛需。這也意味著(zhù)，即便兩廠(chǎng)玩命砸錢(qián)弄出來(lái)的超精細制程，以后可能會(huì )因為客戶(hù)不足而在量產(chǎn)方面遇到麻煩。