長(cháng)江存儲64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團角力戰漸起

市場(chǎng)傳出，長(cháng)江存儲有意改變策略，越過(guò)大股東紫光集團的銷(xiāo)售管道，采取自產(chǎn)自銷(xiāo)3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰儼然成形。

中國首家NAND Flash制造商長(cháng)江存儲量產(chǎn)腳步逼近，預計于2019年底前量產(chǎn) 64層3D NAND，將可能提前于第3季小量試產(chǎn)，但長(cháng)江存儲作為第一家本土存儲器制造的指標廠(chǎng)商，隨著(zhù)良率提升表現順利，近來(lái)內部逐漸由「金主」主導轉變?yōu)椤讣夹g(shù)」團隊出頭的局面。

長(cháng)江存儲2019年邁入64層NAND量產(chǎn)，外傳與大股東紫光集團爭取銷(xiāo)售主導權形成角力戰攻防。

長(cháng)江存儲在2018年成功研發(fā) 32層3D NAND后，其武漢基地一期專(zhuān)案已實(shí)現小規模量產(chǎn)，第1季的單月產(chǎn)能可達到5,000片，2019年目標將邁入量產(chǎn)64層3D NAND計畫(huà)。

據指出，近8個(gè)月來(lái)長(cháng)江存儲生產(chǎn)良率已有明顯改善，足以用于消費性產(chǎn)品，而業(yè)界對于搭載本土存儲器芯片更是躍躍欲試，包括日前電商天貓與存儲器模塊廠(chǎng)江波龍宣布策略聯(lián)盟，將率先搭載長(cháng)江存儲的NAND產(chǎn)品作為銷(xiāo)售。業(yè)界也預期，在長(cháng)江存儲投入量產(chǎn)后，首要價(jià)格沖擊將出現于內需市場(chǎng)的消費性應用。

隨著(zhù)終端市場(chǎng)期待甚高，長(cháng)江存儲與大股東紫光集團的合作模式隱約出現轉變，原先預計由長(cháng)江存儲負責生產(chǎn)NAND Flash芯片，并由同集團的紫光存儲負責銷(xiāo)售NAND與制作成品銷(xiāo)售，包括SSD與UFS等應用。

但據傳，長(cháng)江存儲內部認為，紫光存儲并不適合銷(xiāo)售長(cháng)江存儲的產(chǎn)品，特別針對自行開(kāi)發(fā)Xtacking架構64層3D NAND也缺乏深入了解，因而希望爭取奪回自產(chǎn)自銷(xiāo)NAND的主導權，并希望紫光存儲對外負責銷(xiāo)售「非」長(cháng)江存儲的NAND與系統產(chǎn)品，導致雙方間隙越漸擴大。

長(cháng)江存儲的前身來(lái)自于紫光國芯與武漢新芯的合并，武漢市政府本為原始大股東，然而紫光集團與大基金共同入股出資，意味著(zhù)長(cháng)江存儲肩負起半導體本土化的重責大任。

目前紫光集團仍持有51%股權、大基金持股25%、武漢政府持股24%，盡管紫光集團仍強勢布局存儲器產(chǎn)業(yè)版圖，但長(cháng)江存儲邁入64層量產(chǎn)即將蓄勢待發(fā)，業(yè)界地位聲勢漸起，在配合武漢市政府的積極力挺下，內部技術(shù)團隊的影響力漸增，而紫光集團作為大金主的主導權也逐漸黯然褪色，雙方的角力激戰在臺面下暗潮洶涌。

受到NAND Flash價(jià)格跌勢猛烈，國際存儲器大廠(chǎng)相繼采取減產(chǎn)或降低資本支出，除了美光率先宣布2019會(huì )計年度資本支出削減至90億美元，DRAM與NAND Flash將分別減產(chǎn)5%、SK海力士(SK Hynix)預計2019年NAND Flash晶圓投片量將年減10%、威騰(WD)延后 Fab 6新廠(chǎng)的投產(chǎn)計畫(huà)，預計晶圓出貨將減少10~15%，未上市的東芝存儲器并未宣布減產(chǎn)，但內部策略也將減少NAND產(chǎn)出。

不過(guò)目前各家國際大廠(chǎng)減產(chǎn)多半仍針對舊制程的64層NAND，而新一代96層的研發(fā)投入并未縮手，并預計2020年下半各家大廠(chǎng)將先后進(jìn)入128層等級的制程，長(cháng)江存儲力圖超車(chē)追趕，預計在量產(chǎn)64層NAND后，將直接跳過(guò)96層，直接2020年直接逼近128層堆疊3D NAND，縮短與國際大廠(chǎng)的技術(shù)差距。

NAND控制芯片廠(chǎng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章指出，目前長(cháng)江存儲的32層3D NAND的樣品已經(jīng)送交至少10家客戶(hù)，但下半年對于整體NAND市場(chǎng)并不會(huì )造成明顯影響，盡管外界仍質(zhì)疑其良率水平不足，初期仍將應用于非主流的存儲市場(chǎng)，但長(cháng)江存儲的專(zhuān)利技術(shù)并沒(méi)有疑慮，待其發(fā)展成熟之際，后勢成長(cháng)將十分可觀(guān)。

茍嘉章認為，中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)將遲早會(huì )起來(lái)，相較于目前DRAM仍有專(zhuān)利疑慮，導致發(fā)展進(jìn)度延遲，但相較之下，官方認為NAND產(chǎn)業(yè)更具有戰略性意義，且市場(chǎng)應用的發(fā)展性更多元，遲早將會(huì )對市場(chǎng)占有一席之地。

業(yè)界認為，長(cháng)江存儲的3D NAND導入量產(chǎn)，并將在2020年直接挑戰國際大廠(chǎng)，而規劃產(chǎn)能可望上看至10萬(wàn)片，在量產(chǎn)初期恐怕仍將面臨良率較低的瓶頸，預料3D NAND市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)恐怕仍將延續震蕩至2020年。