第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)中國將走在世界前沿

　　日前，中歐第三代半導體高峰論壇在廣東省深圳市舉行，來(lái)自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術(shù)研究的200多位知名專(zhuān)家學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界人士匯聚一堂，探討第三代半導體材料的前沿技術(shù)和發(fā)展趨勢。

　　國際權威信息技術(shù)研究與顧問(wèn)咨詢(xún)公司高德納發(fā)布的最新預測報告顯示，2017年全球半導體市場(chǎng)總營(yíng)收將達到4111億美元，較2016年增長(cháng)19.7%。據統計，全球半導體市場(chǎng)總營(yíng)收在2014年至2016年間，規模在3400億美元左右。2017年因內存價(jià)格逐季大漲，帶動(dòng)半導體市場(chǎng)出現強勁增長(cháng)。2018年半導體市場(chǎng)可望增長(cháng)4%，達到4274億美元規模，繼續創(chuàng )新高。

　　記者從論壇上獲悉，近年來(lái)，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信、消費類(lèi)電子等領(lǐng)域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，已成為美國、歐洲、日本半導體行業(yè)的重點(diǎn)研究方向。

　　多位出席論壇的專(zhuān)家表示，目前中國在第三代半導體材料研究上緊跟世界前沿，是為數不多的碳化硅材料襯底、材料外延產(chǎn)業(yè)化的國家。深圳青銅劍科技股份有限公司副總裁和巍巍表示，我國第三代半導體器件設計和制造工藝正向世界先進(jìn)水平邁進(jìn)，行業(yè)已迎來(lái)發(fā)展的春天。深圳市人大常委會(huì )副主任、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì )主席蔣宇揚表示，廣大科技企業(yè)與科技工作者要緊扣時(shí)代脈搏，進(jìn)一步加大研發(fā)投入、加強國際合作，助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。