俄羅斯專(zhuān)家發(fā)明單分子厚度微電路

　　據俄羅斯《消息報》報道，俄專(zhuān)家成功找到具有指定特性的二維半導體的制造方法，使將來(lái)制造微型電子設備成為可能。

　　俄羅斯科學(xué)院生化物理研究所首席研究員列昂尼德·切爾諾扎通斯基稱(chēng)，盡管現在談微型電子設備的投產(chǎn)還為時(shí)尚早，但這一發(fā)現具有全球意義。

　　以德米特里·戈利貝格教授為首的研究小組與日本國立材料研究所、中國北京交通大學(xué)和澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)的專(zhuān)家共同開(kāi)展了相關(guān)研究。研究結果發(fā)布在《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)科學(xué)雜志上。

　　半導體材料是在氮化硼基礎上制造而成，氮化硼可通過(guò)改變氧濃度而改變禁帶寬度。向氮化蹦不同部位添加不等量的氧，可在板上“畫(huà)出”所需微電路。專(zhuān)家稱(chēng)，該發(fā)現使這種材料在不同科技領(lǐng)域的使用成為可能，特別光伏和光電子學(xué)領(lǐng)域。

　　俄羅斯專(zhuān)家的這一發(fā)現有助于制造出比現有服務(wù)器小千倍的服務(wù)器，而且與現有服務(wù)器相比，不僅體積不同，能耗也不同，借此可實(shí)現蓄能裝置的微型化。