海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片 適合未來(lái)iPhone
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編者按：存儲時(shí)代的到來(lái)
蘋(píng)果供應商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201704/346433.htm
海力士自從2016年11月開(kāi)始生產(chǎn) 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 層 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月開(kāi)始生產(chǎn)。因為層數更多，利用現有的生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)能可以提升 30%。海力士將在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。
iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配備的 NAND 閃存供應商來(lái)自東芝和海力士。一些 iPhone 7 采用東芝 48 層 3D BiCS NAND 芯片，這種芯片之前從未出現在其他商業(yè)產(chǎn)品中。其他 iPhone 7 型號采用海力士閃存芯片。
32GB iPhone 7 比 128 GB 型號更慢，前者的數據讀取速度為 656 Mbps，后者為 856Mbps。東芝和海力士的內存芯片采用 15納米工藝打造
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