<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>

新聞中心

EEPW首頁(yè) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

作者: 時(shí)間:2017-02-20 來(lái)源:SIMTAC 收藏
編者按:在逐漸步入成熟期的門(mén)口,下一代半導體材料也逐漸吸引了很多中小公司進(jìn)入,市場(chǎng)也逐漸活躍起來(lái)。但根據技術(shù)成熟度曲線(xiàn)和公司自身技術(shù)、資源儲備,評估合適的風(fēng)險切入該市場(chǎng),仍不失為理性的做法。

  隨著(zhù)硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值,新型材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點(diǎn),制造出的器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征,在光電器件、微波器件和電力電子器件具有先天優(yōu)勢。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201702/344160.htm
透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  每年發(fā)布的技術(shù)成熟度曲線(xiàn)已經(jīng)成為科技和投資界一場(chǎng)盛事。長(cháng)期致力于通過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)研究,對不同領(lǐng)域的技術(shù)和趨勢做出評估,指導政府、科研企業(yè)、投資界在最佳時(shí)間采用這些技術(shù)或者切入該市場(chǎng)。該曲線(xiàn)按照技術(shù)觸發(fā)期、期望膨脹期、幻覺(jué)破滅谷底期、復蘇期、成熟期分為五個(gè)階段。并同時(shí)按照距離主流應用的時(shí)間分組為“少于2年”,“2-5年”,“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級別完成一個(gè)優(yōu)先權矩陣,用于評估投資該市場(chǎng)的風(fēng)險。


透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  2016技術(shù)成熟度曲線(xiàn)(來(lái)源: 2016年7月)

  新型材料主要是以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的化合物半導體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應用在技術(shù)成熟度曲線(xiàn)的位置,對我們研發(fā)、投資切入有著(zhù)極其重要的意義。

  作為第二代半導體材料的代表,GaAs和傳統Si相比,有直接帶隙、光電特性?xún)?yōu)越的特點(diǎn),是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認為是計算機CPU芯片的理想材料,上世紀末一些公司曾有深入的研究并取得一些成果,但未能被市場(chǎng)充分應用。后來(lái)隨著(zhù)半導體照明和3G手機的普及,GaAs作為發(fā)光器件和功率器件越來(lái)越多的被應用,并于本世紀出步入成熟期。

透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  GaAS器件技術(shù)發(fā)展 (數據來(lái)源:賽迪智庫)

  作為第三代半導體材料的代表,寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導體材料具有可見(jiàn)光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢,可以應用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展和政府推廣,GaN基的LED已經(jīng)發(fā)展成熟,但作為微波通信器件和電力電子器件,還遠遠沒(méi)有廣泛被應用。GaN基的微波通信器件具有優(yōu)于GaAs的高頻特性和微波特性,目前主要用于軍用領(lǐng)域,隨著(zhù)未來(lái)5G的大面積鋪開(kāi),GaAS將不能滿(mǎn)足這種高頻特性需求,GaN的將會(huì )大規模部署于民用領(lǐng)域。作為電力電子器件,GaN相對于SiC具有相對低的成本優(yōu)勢,適合于高端的低電壓如白色家電、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域,但由于目前技術(shù)尚未成熟,成本導致了大規模應用尚需時(shí)日;而SiC功率器件經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,SiC基SBD器件技術(shù)已經(jīng)成熟,MOSFET性能突出,SiC的IGBT已經(jīng)有多家公司發(fā)布高性能樣品,混合或全SiC功率模塊已實(shí)現商業(yè)化,但大規模商用尚需時(shí)日。但在高端的如高速列車(chē)、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)已經(jīng)部分的開(kāi)始使用SiC產(chǎn)品。GaN和SiC產(chǎn)品作為功率器件和高頻器件,在逐步步入成熟期;但在其他領(lǐng)域,如固態(tài)紫外器件、激光探測等領(lǐng)域,還有更長(cháng)的路要走。

透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  GaN的技術(shù)成熟度 (數據來(lái)源:IMS Research)

透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  SiC的技術(shù)成熟度 (數據來(lái)源:賽迪智庫整理)

  碳基材料中的石墨烯具有比金屬還高的電子遷移率,所以導電性和導熱性都非常優(yōu)越,加之具有六邊形網(wǎng)狀的化學(xué)結構,其強度非常高,并且具有高比表面積和高透光性,可應用于工程復合材料、鋰離子電池電極、透明電極、觸摸屏、傳感器、半導體器件等。石墨烯產(chǎn)業(yè)化仍處于發(fā)展初期,產(chǎn)業(yè)鏈劃分仍不明確。目前石墨烯在半導體領(lǐng)域的應用還處于實(shí)驗室階段,很多國家和大公司都在布局石墨烯的研究;但在裝備及產(chǎn)業(yè)化應用技術(shù)方面已經(jīng)較為成熟,例如作為涂料添加劑。石墨烯在不同的應有領(lǐng)域也有不同的成熟度,但整體而言,石墨烯產(chǎn)業(yè)距離成熟和大規模商用仍有很長(cháng)一段距離。

透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  石墨烯技術(shù)應用成熟度曲線(xiàn) (數據來(lái)源:賽迪智庫)

  Gartner每年除了技術(shù)成熟度曲線(xiàn)外,還會(huì )發(fā)布一個(gè)優(yōu)先權矩陣,用于比較候選技術(shù)的相對收益和成熟度,可用于確定新興技術(shù)的優(yōu)先次序以及投資回報和風(fēng)險。

透過(guò)技術(shù)成熟度曲線(xiàn)看新型半導體材料

  Gartner 的優(yōu)先權矩陣

  作為下一代半導體材料,該領(lǐng)域吸引了許多國家研究機構和有實(shí)力的大公司投入。歐盟主導的的“石墨烯旗艦計劃(the Graphene Flagship)”不僅致力于石墨烯材料的研發(fā),而且在融入“地平線(xiàn)2020發(fā)展計劃框架”后,進(jìn)一步推動(dòng)石墨烯及相關(guān)材料走出實(shí)驗室,實(shí)現在社會(huì )中的應用。新材料在《《中國制造2025》重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線(xiàn)圖》中是十大重點(diǎn)領(lǐng)域之一,其中先進(jìn)半導體材料和石墨烯材料分別被納入關(guān)鍵戰略材料和前沿新材料兩個(gè)發(fā)展重點(diǎn)。



關(guān)鍵詞: 半導體 Gartner

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區

關(guān)閉
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>