跟上節奏 半導體行業(yè)假期動(dòng)態(tài)匯總

　　新年剛過(guò)，小編為您匯整了假期內，您絕不該錯過(guò)的最新半導體新聞動(dòng)態(tài)!快跟上最新的行業(yè)節奏!瞧瞧這些半導體巨頭不打烊都在做些甚么努力?先來(lái)看看2017其后半導體行業(yè)的總體展望：

　　PART 1

　　2017年半導體總體“運勢”

　　Gartner公布2017年半導體行業(yè)同比增長(cháng)4.7%，達3400億美元;

　　WSTS于2016年11月秋季預測，2016年半導體同比下降0.1%，以及2017年半導體增長(cháng)3.3%;

　　SEMI預估2017年全球半導體產(chǎn)業(yè)在3D NAND Flash和晶圓代工廠(chǎng)持續沖擊產(chǎn)能下，將擺脫去年疲弱，恢復強勁成長(cháng)，預估年產(chǎn)值將超過(guò)3，600億元，年增5~7%;

　　臺積電董事長(cháng)張忠謀預測，2017半導體增長(cháng)4%，代工增長(cháng)7%，及臺積電增長(cháng)5%-10%。

PART 2

　　英特爾 姜還是老的辣

　　據外媒報道，英特爾為了進(jìn)一步探索芯片生產(chǎn)工藝，將在今年建立一座 7nm 試驗工廠(chǎng)，以測試 7nm 芯片的生產(chǎn)工藝。英特爾介紹，7nm 工藝計劃使用 III-V 材料(比如氮化鎵)來(lái)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，以提高性能速度并展現更長(cháng)續航力。同時(shí)，他們將會(huì )在生產(chǎn)中引入極紫外線(xiàn)(EUV)工具，來(lái)幫助進(jìn)行更加精細的功能蝕刻。

　　目前，業(yè)內多家芯片廠(chǎng)商都展開(kāi)了 7nm 工藝上的探索，7nm也被視為半導體巨頭的決戰工藝節點(diǎn)。Globalfoundries 表示，他們將在 2018 年開(kāi)始 7nm 芯片的生產(chǎn);臺積電則計劃將于明年量產(chǎn) 7 納米工藝制程;三星半導體部門(mén)總經(jīng)理 Heo Kuk 表示，公司的目標是實(shí)現 2018 年年初能夠量產(chǎn) 7 納米工藝。

　　英特爾擁有最先進(jìn)的晶圓廠(chǎng)，長(cháng)久以來(lái)，英特爾一直都是芯片制造技術(shù)的領(lǐng)頭羊。如今，當摩爾定律逐漸被認為走入瓶頸階段之際，英特爾此舉顯示了姜還是老的辣。

　　臺積電 張忠謀意外摔傷有驚無(wú)險

　　臺積電7納米已在今年第1季進(jìn)行試產(chǎn)，主要客戶(hù)包括可程序邏輯門(mén)陣列(FPGA)大廠(chǎng)賽靈思(Xilinx)、繪圖芯片大廠(chǎng)NVIDIA，業(yè)界亦盛傳高通的高階手機芯片將回到臺積電并采用7納米投片。臺積電計劃2017年第4季可完成產(chǎn)能建置及認證，隨后就進(jìn)入量產(chǎn)階段，預估約于2018年進(jìn)入7納米量產(chǎn)。

　　不過(guò)在新年假期，卻傳出臺積電董事長(cháng)張忠謀人在夏威夷意外摔傷，公司出面澄清并無(wú)大礙，卻讓投資市場(chǎng)足足嚇出一身冷汗。盡管臺積電接班人制度已就緒，但張忠謀動(dòng)見(jiàn)觀(guān)瞻仍左右臺積電的運營(yíng)與投資人信心，所幸有驚無(wú)險。

三星 全球半導體最大買(mǎi)家

　　日前公布初步業(yè)績(jì)報告稱(chēng)，公司2016年第四季度營(yíng)收預計為53萬(wàn)億韓元(約合443億美元)，盡管Galaxy Note 7爆炸事件令三星蒙受了巨大損失，但營(yíng)業(yè)利潤同比增長(cháng)49.84%，環(huán)比猛增76.92%，達9.2萬(wàn)億韓元(約合人民幣528億元)。

　　據此計算，三星該季度的營(yíng)業(yè)利潤率為17.36%，創(chuàng )下過(guò)去兩年來(lái)的最高。這也是三星電子2013年第三季度營(yíng)業(yè)利潤觸頂突破10萬(wàn)億韓元之后時(shí)隔3年多再次突破9萬(wàn)億韓元。

　　手機業(yè)務(wù)遭遇召回陰霾之時(shí)，內存芯片價(jià)格上漲、Galaxy S7銷(xiāo)售強勁以及OLED顯示屏供不應求等原因，為三星實(shí)現高速增長(cháng)是最大的功臣。據此前彭博社的統計數據，三星電子芯片部門(mén)2016年第四季度的運營(yíng)利潤可能將達到4.5萬(wàn)億韓元，創(chuàng )出歷史新高。

　　在三星芯片業(yè)務(wù)增長(cháng)的背后，半導體為不可或缺的重要組成部分。目前三星利用最尖端生產(chǎn)線(xiàn)以10納米級工藝生產(chǎn)PC、服務(wù)器、移動(dòng)設備用DRAM。而10納米級這技術(shù)與20納米級4GB移動(dòng)DRAM相比，容量增加2倍，單位容量(GB)能效提高了約2倍，進(jìn)一步提升了新一代移動(dòng)設備的使用便利性。

　　另一項最新統計出爐，國際研究暨顧問(wèn)機構 Gartner 表示，2016 年三星電子與蘋(píng)果仍為全球半導體最大買(mǎi)家，占市場(chǎng)整體需求 18.2%;2016 年三星與蘋(píng)果一共消費了價(jià)值 617 億美元的半導體，較 2015 年小幅增加 4 億美元。

　　Gartner 分析師表示，三星電子與蘋(píng)果已連續第 6 年稱(chēng)霸半導體消費領(lǐng)域，雖然兩家公司在半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和價(jià)格趨勢仍持續發(fā)揮相當大影響力。

　　PART 3

　　中國持續迎來(lái)晶圓 投資狂潮

　　根據SEMI 最新研究數據表示，當前中國大陸正掀起興建晶圓廠(chǎng)的熱潮，預估2017 年時(shí)，中國興建晶圓廠(chǎng)的支出金額將超過(guò)40 億美元，占全球晶圓建廠(chǎng)支出總金額的70%。

　　而到2018年，中國建造晶圓廠(chǎng)相關(guān)支出更將成長(cháng)至100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

　且看“大基金”戰略布局

　　“國家大基金”負責人丁文武介紹，過(guò)去兩年多來(lái)，總共決策投資了43個(gè)項目，累計項目承諾投資額818億元，實(shí)際出資超過(guò)560億元。實(shí)施項目覆蓋了集成電路設計、制造、封裝測試、裝備、材料、生態(tài)建設等各環(huán)節，實(shí)現了產(chǎn)業(yè)鏈上完整布局。

　　2017年國家大基金國家大基金仍將重點(diǎn)關(guān)注一些方向。丁文武介紹，2017年在存儲器方面，紫光牽頭帶動(dòng)長(cháng)江存儲，投資總額達240億美元;先進(jìn)工藝方面，已經(jīng)開(kāi)始啟動(dòng)，在特殊工藝方面仍需要持續關(guān)注;在化合物半導體與功率半導體方面，關(guān)注三安光電的發(fā)展情況;功率半導體方面，無(wú)論設計和制造都有布局;在CPU方面，選擇2017年破局性的部署;FPGA方面，國內后起之秀有幾家，需要整合給予更多支持;傳感器MEMS，移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)芯片，潛在市場(chǎng)巨大。

　紫光集團 “光照何方”?

　　也就在農歷年前，總投資額達2600億元人民幣的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項目，宣布正式在南京簽約。

　　紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目，由紫光集團投資建設，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝，總投資超300億美元。項目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片。項目落戶(hù)南京，將成為未來(lái)中國在主流存儲器領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。除投資額高達300億美元的芯片工廠(chǎng)建設以外，紫光集團還將投資約300億元人民幣建設南京配套IC國際城，包含科技園、設計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學(xué)校、商業(yè)設施、國際人才公寓等綜合配套設施。

　　作為“集成電路航母”紫光集團目前位在武漢的長(cháng)江存儲也正如火如荼進(jìn)展，相傳紫光集團未來(lái)與成都的落地合作意向也將在新的年度里一一落實(shí)。

　　各地迅雷不及掩耳速度投資晶圓廠(chǎng)的大動(dòng)作，也預計在新的一年度紫光集團持續“光照何方”備受矚目。

　　中國半導體整并潮未歇

　　全球半導體產(chǎn)業(yè)的并購動(dòng)作自2014年起就從未間斷，不論是整合元件大廠(chǎng)(IDM)或IC設計皆無(wú)法置身事外。這股整并潮預料將在2017年持續上演，其中中國新增的半導體產(chǎn)能將在2017年逐步打開(kāi)，整并動(dòng)作也會(huì )隨著(zhù)產(chǎn)能布建完成而越加明顯，中國的技術(shù)與資源整并將是2017年半導體的一大焦點(diǎn)。