中國半導體產(chǎn)業(yè)黃金發(fā)展期將至 設備國產(chǎn)化愈發(fā)急迫

　　隨著(zhù)近期國內半導體制造企業(yè)密集啟動(dòng)投資項目與產(chǎn)能建設(未來(lái)兩年晶圓制造廠(chǎng)達到10座)，有觀(guān)點(diǎn)認為中國半導體產(chǎn)業(yè)黃金發(fā)展期正在到來(lái)。但與此同時(shí)，在總額高達數百億美元的投資中，設備投資將超過(guò)75%，而國產(chǎn)設備商的供應能力卻嚴重不足。這意味著(zhù)絕大部分的設備投資額將被海外設備大廠(chǎng)所瓜分(目前在12英寸生產(chǎn)線(xiàn)中設備的國產(chǎn)率僅約5%)。加強我國半導體設備廠(chǎng)商的研發(fā)與供應能力正變得愈發(fā)急迫起來(lái)。

　　中國大陸將成最大半導體設備市場(chǎng)

　　從全球范圍來(lái)看，半導體產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生著(zhù)第三次大轉移，即向中國大陸、東南亞等發(fā)展中國家和地區轉移。根據IC insights的數據，在2007年，中國大陸IC制造產(chǎn)值為45.9億美元，占全球的份額僅為1.96%。但到了2012年，中國大陸IC制造產(chǎn)值迅速上升到89.1億美元，全球份額也提升到3.5%。預計至2017年，中國大陸IC制造占全球的份額有望達到7.73%。2012～2017年間，中國本地IC制造產(chǎn)值將以16.5%的年均復合增長(cháng)率增長(cháng)。

　　近兩年，國內外半導體制造龍頭企業(yè)紛紛在中國大陸投資興建新的半導體晶圓廠(chǎng)也印證了這一觀(guān)點(diǎn)。臺積電計劃在南京獨資建設12英寸晶圓廠(chǎng);英特爾大連廠(chǎng)轉型投產(chǎn)3D NAND Flash;中芯國際北京B2廠(chǎng)正式投產(chǎn)，B3在建，并在上海、深圳新建12英寸生產(chǎn)線(xiàn);武漢長(cháng)江存儲項目2016年3月奠基，將新建NAND&NOR生產(chǎn)線(xiàn);華力微電子將在上海新建12英寸生產(chǎn)線(xiàn);晉江新建12英寸存儲器生產(chǎn)線(xiàn)。新一輪產(chǎn)能建廠(chǎng)潮正在到來(lái)。

　　“中國躍升全球半導體第一大市場(chǎng)，但自給率僅為27%，在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中已制定明確目標，至2020年芯片自給率將達到40%，2025年達50%。在龐大資金與相關(guān)配套政策扶植下，預計未來(lái)幾年半導體建設將蓬勃發(fā)展?！盨EMI中國區總裁居龍在接受記者采訪(fǎng)時(shí)指出。根據SEMI的數據，2016年、2017年全球新建的晶圓廠(chǎng)將達到19座，其中有10座位于中國大陸。

　　95%設備訂單可能落入海外廠(chǎng)商囊中

　　然而，由于國產(chǎn)設備的供應能力嚴重不足，數量龐大的半導體設備投資絕大部分將被海外設備大廠(chǎng)所瓜分。

　　應用材料中國有限公司CFO趙甘鳴告訴記者，一般來(lái)說(shuō)建設一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，每一萬(wàn)片晶圓的設備投資約為10億美元。根據工藝先進(jìn)程度不同或者制造廠(chǎng)商的技術(shù)能力區別，投資額會(huì )上下浮動(dòng)10%左右。如果未來(lái)數年之間，我國有10條以上的生產(chǎn)線(xiàn)建設計劃，其中的設備投資額將是巨大的。

　　SEMI的數據顯示，2015年全球半導體設備市場(chǎng)營(yíng)收達373億美元，其中中國市場(chǎng)營(yíng)收48.8億美元，占比13.09%;預計2016年中國設備市場(chǎng)營(yíng)收為53.2億美元，增長(cháng)9.02%，占比進(jìn)一步提升至14.07%。中國市場(chǎng)已經(jīng)是未來(lái)10年全球半導體設備行業(yè)最大的增長(cháng)動(dòng)力。

　　居龍警告說(shuō)：“盡管中國大陸半導體投資大增，中國大陸設備廠(chǎng)的供應能力卻嚴重不足?！?國產(chǎn)化率偏低，國產(chǎn)設備的產(chǎn)能還遠不能滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。

　　研究報告也指出，一條總成本約10億美元的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)，設備成本占6.5億美元，國產(chǎn)設備約可占據6500萬(wàn)美元;在12英寸生產(chǎn)線(xiàn)上，設備國產(chǎn)率約5%;成熟一些的90nm生產(chǎn)線(xiàn)的設備國產(chǎn)率可以達到8%。

　　根據中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )半導體支撐業(yè)分會(huì )此前發(fā)布的一份報告，國內半導體設備行業(yè)技術(shù)水平近年來(lái)得到較大提升。在8英寸集成電路制造的主要關(guān)鍵設備方面，具備了供貨能力，目前刻蝕機、離子注入機、薄膜生長(cháng)設備、氧化爐、LPCVD、退火爐、清洗機、單晶生長(cháng)設備、CMP設備、封裝設備等基本形成國內配套能力，技術(shù)水平基本可以滿(mǎn)足用戶(hù)要求;在12英寸28納米技術(shù)代的前道主要關(guān)鍵設備研發(fā)上也取得了很大進(jìn)步，部分設備進(jìn)入大生產(chǎn)線(xiàn)驗證。預計到2018年，將有40多種裝備可以通過(guò)生產(chǎn)一線(xiàn)用戶(hù)的考核，進(jìn)入采購。

　　總之，國產(chǎn)半導體設備雖然取得了一定的進(jìn)步，但總體供應能力仍然不足。一條晶圓生產(chǎn)線(xiàn)中設備用戶(hù)一般會(huì )綜合采用高、中、低端設備，高端市場(chǎng)幾乎完全被國外企業(yè)壟斷，即使在中低端設備市場(chǎng)，我國設備廠(chǎng)商仍然面臨日韓廠(chǎng)商的競爭。在中國加大半導體制造投資之際，加強我國半導體設備技術(shù)能力正變得愈加急迫起來(lái)。

　　爭取從0到1的突破

　　居龍認為：“目前中國設備正在取得從0到1的突破，但是要認識到這一進(jìn)程的長(cháng)期性?！卑雽w設備從研發(fā)到商用，周期都比較長(cháng)，新產(chǎn)品一般要經(jīng)過(guò)2年到4年才可以進(jìn)入市場(chǎng)，5年至6年開(kāi)始實(shí)現銷(xiāo)售，8年至9年才可能達到收支平衡，10年才可能達到盈利。在這個(gè)過(guò)程中，中國企業(yè)應當不斷提升技術(shù)創(chuàng )新能力，建立自主創(chuàng )新體系。國際上集成電路已實(shí)現14納米量產(chǎn)，國內與國際先進(jìn)水平還有2代的差距。中國半導體設備是從落后追趕到同步發(fā)展。作為后進(jìn)入者，要替代國外產(chǎn)品，必須要形成白己的創(chuàng )新特色，建立競爭優(yōu)勢，這要求國內企業(yè)不斷提升自身研發(fā)創(chuàng )新能力，與用戶(hù)密切合作，積累自主知識產(chǎn)權，提升技術(shù)開(kāi)發(fā)能力。

　　中科院微電子所所長(cháng)葉甜春也指出：“中國裝備企業(yè)要尋找與本土產(chǎn)業(yè)鏈的結合，制造、裝備、材料等產(chǎn)業(yè)環(huán)節結合在一起，才能提高自身的競爭力，完善整個(gè)產(chǎn)業(yè)生態(tài)，最終使整個(gè)產(chǎn)業(yè)受益?！笨v觀(guān)國內半導體裝備企業(yè)，近幾年雖然發(fā)展很快，但與國際企業(yè)相比普遍規模較小，生存能力較弱，融資渠道不暢，在主流市場(chǎng)上與國外同行競爭仍面臨著(zhù)許多困難。加之半導體設備前期投資大，回收期長(cháng)，企業(yè)單打獨斗將難以為繼，因此，國內企業(yè)只有加強合作與整合，資源共享，提高資產(chǎn)使用效率，才能與國外競爭對手抗衡。