日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程解讀
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編者按：目前世界半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入到寡頭時(shí)代，競爭格局相對穩定。盡管日本企業(yè)在半導體設備行業(yè)份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業(yè)以及半導體材料領(lǐng)域， 日本企業(yè)仍保持著(zhù)優(yōu)勢地位。
轉型：2000s，合并整合與轉型 SOC
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201611/340261.htm為挽回半導體產(chǎn)業(yè)的頹敗之勢，日本半導體企業(yè)首先進(jìn)行了結構性改革。除Elpida 外所有其他的日本半導體制造商均從通用 DRAM 領(lǐng)域中退出，將資源集中到 了具有高附加值的系統集成芯片等領(lǐng)域。
2000 年 NEC、日立的 DRAM 部門(mén)合并， 成立 Elpida，東芝于 2002 年賣(mài)掉了設在美國的工廠(chǎng)，2003 年 Elpida 合并了三菱電機的記憶體部門(mén)。
但 Elpida 于 2012 年宣告破產(chǎn)，2013 年被美光購并，標志著(zhù)日本在 DRAM 的競爭中徹底被淘汰。
另一方面，日本重新開(kāi)啟了三個(gè)較大型的“產(chǎn)官學(xué)”項目——MIRAI、ASUKA和 HALCA。三個(gè)項目都于 2001 年開(kāi)啟，以產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的世界級超凈室 (SCR)作為研發(fā)室，“ASUKA”項目由 NEC、日立、東芝等 13 家半導體廠(chǎng)家共 同出資 700 億日元，時(shí)間為 2001-2005，主要研制電路線(xiàn)寬為 65 納米的半導體制造。
DRAM 領(lǐng)域主要的生產(chǎn)商是三星、Hynix 和 Micron(包括收購的原日本 Elpida);NAND 領(lǐng)域是東芝(與 Sandisk 合資的四日市工廠(chǎng))， 三星和 Micron;半導體制造設備是 TEL，Screen，日立高科等;半導體材料是 JSR，TOK，信越等;晶圓有信越，SUMCO 等。
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