廠(chǎng)商爭相投資 3D NAND Flash前景不妙？

　　廠(chǎng)商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙?據傳三星電子平澤廠(chǎng)(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開(kāi)出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì )從供不應求、呈現供給過(guò)剩的狀況。

　　BusinessKorea 6日報道，NAND需求爆發(fā)，據悉三星電子決定平澤廠(chǎng)完工時(shí)間提前三個(gè)月，改在明年三、四月開(kāi)始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠(chǎng)完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠(chǎng)，屆時(shí)三星3D NAND產(chǎn)能將從當前水準提高兩倍、至32萬(wàn)片。

　　SK海力士也準備生產(chǎn)3D NAND，仁川廠(chǎng)M14線(xiàn)無(wú)塵室正在裝設儀器，估計第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產(chǎn)。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND，估計未來(lái)3D NAND將占SK海力士產(chǎn)出的一半。

　　與此同時(shí)，大陸廠(chǎng)商武漢新芯也打算砸下巨資打造新廠(chǎng)，該公司與美商Spansion共同研發(fā)3D NAND。日廠(chǎng)東芝則與Western Digital(西部數據)攜手，準備量產(chǎn)3D NAND。

　　韓媒etnews 4日報道，業(yè)界消息稱(chēng)，NAND Flash價(jià)格一路向上，三星決定平澤廠(chǎng)將提前三個(gè)月投產(chǎn)。目前平澤廠(chǎng)的建筑工事進(jìn)入尾聲，正修筑工廠(chǎng)外墻，預料12月完工，緊接著(zhù)要開(kāi)始設備投資，購買(mǎi)無(wú)塵室設施和晶圓生產(chǎn)儀器等。

　　多名設備業(yè)人士表示，三星若想在2017年初裝設備儀器，現在就得下單，據稱(chēng)三星不久后就會(huì )開(kāi)始發(fā)出訂單。外界預料，平澤廠(chǎng)將名為18代線(xiàn)，明年第二季季初或季中開(kāi)始營(yíng)運，負責生產(chǎn)第四代64層3D NAND Flash。第一階段每月產(chǎn)量為4~5萬(wàn)片12寸晶圓，約為18代線(xiàn)總產(chǎn)量的1/4(總產(chǎn)量為20萬(wàn)片)。估計第一階段投資金額為27.2~31.7億美元(181.4億~211.4億人民幣)。

　　韓國媒體朝鮮日報日文版報道，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash(3D NAND)產(chǎn)品將在2016年Q4(10-12月)開(kāi)賣(mài)，該款產(chǎn)品將采64層堆疊。三星指出，借由采用64層堆疊技術(shù)，每片晶圓的儲存容量可較現行技術(shù)提高30%、能有效改善成本競爭力。

　　三星為全球第一家量產(chǎn)3D NAND的廠(chǎng)商，于2013年研發(fā)出堆疊24層的3D NAND之后，就逐步將技術(shù)升級至32層、48層，此次則進(jìn)一步提升至64層。

　　東芝7月27日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND制程技術(shù)，并自當日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，且預計將透過(guò)甫于7月完工的四日市工廠(chǎng)“新第2廠(chǎng)房”進(jìn)行生產(chǎn)。