大陸IC產(chǎn)業(yè) 國家意志崛起

　　回顧2011～2015年資料，中國IC產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值增幅保持在10%以上，近2年增長(cháng)幅度更是維持在20%左右，而制造端從2012年起增速逐步上升，至2015年產(chǎn)值年增率更是來(lái)到25%，充分體現中國在IC制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面強烈的國家意志。

　　一、中國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值

　　與IC制造業(yè)產(chǎn)值

　　積 體電路產(chǎn)業(yè)在國家經(jīng)濟發(fā)展和國家安全中占有至關(guān)重要的地位，2000年以來(lái)，中國政府發(fā)表了一系列IC產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)扶持和發(fā)展政策從未間斷，其中“國家積體電 路發(fā)展推進(jìn)綱要”提出目標：中國積體電路產(chǎn)業(yè)2030年前躋身全球領(lǐng)先陣營(yíng)，在IC制造領(lǐng)域也提出在2020年實(shí)現16/14奈米規?；慨a(chǎn)目標。

　　中 國電子資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶動(dòng)IC晶片需求快速增長(cháng)，2015年中國IC產(chǎn)品進(jìn)口額高達2,310億美元，貿易逆差超1,600億美元，進(jìn)口替代需求極其迫切。 2013年6月“棱鏡門(mén)”事件爆發(fā)，資訊安全已上升至國家安全戰略高度，中國政府一方面開(kāi)始去“IOE”化(IOE具體說(shuō)法是以IBM為代表的主機，以為 代表的關(guān)聯(lián)式資料庫，與以EMC為代表的高階儲存設備)，另一方面積極扶持中國積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　從2014年6月24日國務(wù)院發(fā)表“國 家積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要”至今，中國積體電路產(chǎn)業(yè)已取得重大成果，2015年中國積體電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收已達3,610億元人民幣。自2012年起，中國積 體電路制造業(yè)發(fā)展速度已超過(guò)積體電路產(chǎn)業(yè)整體增長(cháng)速度，2012～2015年復合增長(cháng)率接近20%，2015年中國IC制造業(yè)銷(xiāo)售額達902億元人民幣。

　　如前所述，雖然中國半導體市場(chǎng)已躍居全球第1大市場(chǎng)，但整體而言，半導體相關(guān)產(chǎn)品的自給率依然偏低，僅為27%左右，未來(lái)仍有很大替代空間。

　　二、IC制造領(lǐng)域重大事件

　　(一)中國IC制造產(chǎn)業(yè)并購案與新廠(chǎng)計畫(huà)

　　為 應對IC晶片產(chǎn)品嚴重依賴(lài)進(jìn)口問(wèn)題，提升中國IC晶片產(chǎn)品自給率，中國代工廠(chǎng)近幾年加快投資擴產(chǎn)步伐，“中國制造2025”明確提出2020年自給率達 40%，2025年自給率達70%，由此吸引臺積電、聯(lián)電與GlobalFoundries等全球同業(yè)在中國打造12寸晶圓廠(chǎng)。

　　伴隨各大12寸晶圓廠(chǎng)陸續進(jìn)駐中國，各地方政府也表現出急切發(fā)展熱情，這也同時(shí)給政府帶來(lái)難題-如何合理分配優(yōu)勢資源。

　　預計長(cháng)江存儲投資啟動(dòng)3年左右將是最關(guān)鍵和最困難時(shí)刻，屆時(shí)長(cháng)江存儲產(chǎn)品能否與對手正面競爭、各方能否在巨額持續投資的重壓下保持戰略定力，這是擺在中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展路途上必須邁過(guò)的一道門(mén)檻。

　　(二)臺積電2016年底量產(chǎn)10奈米制程

　　目 前臺積電在先進(jìn)制程上正一步步趕上英特爾，預計2016年第4季量產(chǎn)10奈米，7奈米則在2018年初進(jìn)入量產(chǎn)階段，英特爾10奈米將延至2017年第2 季，盡管英特爾10奈米在Device和Gate Density都優(yōu)于臺積電的10奈米，但兩者在先進(jìn)制程的差距正逐漸縮小。

　　此外，臺 積電因成功掌握蘋(píng)果和聯(lián)發(fā)科等大客戶(hù)，在與三星和英特爾的激烈交鋒中已獲得絕對霸主姿態(tài)，預計2017年問(wèn)世的新款蘋(píng)果智慧型手機中，最關(guān)鍵的A11處理 晶片將全數搭載臺積電10奈米制程，并搭配臺積電的整合型扇形封裝技術(shù)(InFO)，屆時(shí)10奈米市占率將獨步全球，預計高達70%。

　　中國方面，中芯國際在過(guò)去幾年已顯著(zhù)縮小與聯(lián)電差距，但先進(jìn)制程發(fā)展仍落后臺積電和聯(lián)電。

　　三、中國IC制造產(chǎn)業(yè)格局

　　和代表廠(chǎng)商現況

　　(一) 中國IC制造產(chǎn)業(yè)格局

　　全 球12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能向中國轉移已成定局，中國現有12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能共計42萬(wàn)片/月，其中包括英特爾(大連)、三星(西安)、SK Hynix(無(wú)錫)、中芯國際(北京與上海)與華力微電子。2016～2018年中國新增晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能將高達63.5萬(wàn)片/月，占全球12寸晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能 的比重也會(huì )由2016年10%、攀升至2018年22%。中國新增12寸晶圓廠(chǎng)包括聯(lián)芯(廈門(mén))、武漢新芯、晉華(晉江)、臺積電(南京)、德科瑪(淮 安)、晶合(合肥)、兆基科技(合肥)與GlobalFoundries(重慶)等。

　　事實(shí)上，從分布圖中可看到由北向南，中國12寸晶圓廠(chǎng)主要分布在環(huán)渤海、中西部、長(cháng)三角與珠三角四大區域，已呈現遍地開(kāi)花態(tài)勢。

　　(二)中國IC制造代表廠(chǎng)商現況

　　2015年全球前10大代工廠(chǎng)中，前4大廠(chǎng)臺積電、聯(lián)電、三星與GlobalFoundries市占率總和已高達79.6%，其中臺積電一騎絕塵，市占率達53%，中國中芯國際和華虹宏力分別以4.5%和1.3%排名第5位和第9位。

　　作 為中國晶圓代工龍頭，中芯國際2016年第1季銷(xiāo)售額達6.34億美元，同比增長(cháng)24.5%，2015年銷(xiāo)售額創(chuàng )新高達22.36億美元，年增長(cháng)率為 13.5%，已大幅超過(guò)聯(lián)電，聯(lián)電2015年營(yíng)收增長(cháng)率為-2.1%，目前中芯國際12寸月產(chǎn)能達6.25萬(wàn)片，8寸月產(chǎn)能達16.2萬(wàn)片，折合8寸晶圓 產(chǎn)能每月31.5萬(wàn)片。

　　中芯國際是中國第1家提供28奈米先進(jìn)制程的純晶圓代工廠(chǎng)商，采用業(yè)界主流技術(shù)，包含傳統的多晶矽 (PolySiON)和后閘極的高介電常數金屬閘極(HKMG)制程。目前已成功在28奈米制程制程為聯(lián)芯的SOC晶片和高通驍龍處理器晶片完成投片，并 在2016年6月中芯北京廠(chǎng)成功量產(chǎn)驍龍425，進(jìn)而鞏固在中國晶圓代工龍頭廠(chǎng)商的地位。

　　此外，2016年6月中芯國際出資4,900萬(wàn) 歐元收購義大利晶圓代工廠(chǎng)LFoundry 70%股份，憑藉此收購，中芯國際進(jìn)軍了全球汽車(chē)電子市場(chǎng)。然而，中芯國際產(chǎn)能主要集中分布在65奈米以上，其中0.13微米以上低階制程占據中芯國際年 營(yíng)收比較過(guò)半，盡管45奈米制程在2015年營(yíng)收占比較2014年提高5%達16%，但28奈米制程在2015年總營(yíng)收占比還不足1%，繼續擴充45奈米 制程產(chǎn)能，盡快突破28奈米制程實(shí)現規模量產(chǎn)和開(kāi)發(fā)16/14奈米技術(shù)，是中芯國際目前的重大課題。

　　上海華虹NEC電子有限公司和上海巨 宏半導體制造有限公司新設合并而成，目前在上海張江和金橋共有3條200mm積體電路生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)能2016年第2季15.1萬(wàn)片/月，主要制程節點(diǎn)覆蓋 90奈米～1微米，主要打造嵌入式非易失性記憶體、功率器件、邏輯、電源管理、射頻、類(lèi)比與混合信號等制程平臺，其中以智慧卡和MCU應用為主之嵌入式非 易失性記憶體制程平臺的銷(xiāo)售額比重達該公司年營(yíng)收的40%。

　　華虹宏力0.15微米以上制程占總營(yíng)收60%左右，公司季報顯示：0.13微 米以下等先進(jìn)制程的比率在過(guò)去一年一路下滑，由2015年第2季38.4%下降到2016年第2季33.3%。2015年華虹宏力年銷(xiāo)售額為6.5億美 元，全球市占僅為1%，隨著(zhù)12寸廠(chǎng)興起，8寸廠(chǎng)必須走一條差異化競爭的道路，一方面攻占高成長(cháng)和高附加值產(chǎn)品市場(chǎng)，另一方面要持續投入創(chuàng )新。

　　四、存儲芯片產(chǎn)業(yè)新布局

　　目 前全球存儲芯片制造主要由三星、SK海力士、美光、東芝與英特爾等國際大廠(chǎng)壟斷，在2D-NAND制程制程基本達到極限的情況下，各大廠(chǎng)紛紛開(kāi)始探索 3D-NAND技術(shù)，目前三星32層和48層3D V-NAND產(chǎn)品，與美光和英特爾32層3D-NAND產(chǎn)品，于2015年底已正式投放市場(chǎng)，東芝、SanDisk與SK海力士前期在邁入3D-NAND 主流廠(chǎng)商的道路上稍顯遲鈍，不過(guò)2016年7月東芝和SanDisk同時(shí)宣布，已研發(fā)出64層3D-NAND flash制程技術(shù)，并計畫(huà)采用該技術(shù)256Gb(32GB)產(chǎn)品在2017上半年進(jìn)行量產(chǎn)，隨后三星也立即宣布于2016年底量產(chǎn)4GV- NAND(64層)產(chǎn)品。在新興技術(shù)領(lǐng)域，各廠(chǎng)商都正處于起跑階段，距離還未完全大幅拉開(kāi)，這對中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展是有利因素。

　　中國存儲芯片幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口，進(jìn)口額約占IC芯片總進(jìn)口額4分之1，盡管中國已有三星、英特爾與SK海力士3大廠(chǎng)設立存儲器芯片制造廠(chǎng)，但都是外資控股，這些廠(chǎng)商對制程技術(shù)都嚴格保密，中國工程師很難走到核心技術(shù)崗位，這對中國存儲晶片制造業(yè)的影響非常有限。

　　此外，紫光透過(guò)購買(mǎi)西數股份曲線(xiàn)收購S(chǎng)anDisk受到美國外國投資委員會(huì )(CFIUS)阻撓，最終告吹，這也提醒中國真正核心技術(shù)未必能用錢(qián)買(mǎi)得到，因此中國存儲晶片發(fā)展重點(diǎn)還需放在自主創(chuàng )新和技術(shù)引進(jìn)相結合的方向。

　　在 新建的晶圓廠(chǎng)中，武漢新芯和晉華都集中關(guān)注在存儲晶片上，其中武漢新芯和Spansion合作進(jìn)軍NAND領(lǐng)域，計畫(huà)推出3D-NAND產(chǎn)品，拉近與韓國 和美國廠(chǎng)商的差距;晉華則攜手聯(lián)電，避開(kāi)競爭激烈的標準型記憶體市場(chǎng)，以利基型記憶體為切入點(diǎn)，打造中國DRAM產(chǎn)業(yè)。此外，為進(jìn)一步整合資源，集中力量 發(fā)展存儲晶片產(chǎn)業(yè)，紫光又聯(lián)手武漢新芯并成立長(cháng)江存儲科技有限公司，趙偉國任董事長(cháng)，國家積體電路發(fā)展基金總經(jīng)理丁文武任副董事長(cháng)，至此，中國存儲晶片制 造業(yè)的大船才剛剛下水。

　　五、結語(yǔ)

　　2011年起，中國IC制造業(yè)就維持在25%左右高增長(cháng)率，充分體現中國在IC制造產(chǎn)業(yè) 發(fā)展方面強烈的國家意志，特別是近期各國際知名晶圓廠(chǎng)商紛紛登陸中國，以與當地晶圓廠(chǎng)的技術(shù)引進(jìn)和資源整合動(dòng)作，中國龐大的市場(chǎng)空間已給各廠(chǎng)商帶來(lái)無(wú)限遐 想，未來(lái)能否完成國產(chǎn)替代化的轉變，是中國IC制造業(yè)必須面對的難題和重點(diǎn)。

　　中國12寸晶圓廠(chǎng)數量增多，分散的資源配置將無(wú)法實(shí)現規模效 應，同時(shí)這些不具規模優(yōu)勢的廠(chǎng)商在未來(lái)必將引發(fā)惡性競爭，最終可能將IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展置于惡劣的營(yíng)運環(huán)境中。未來(lái)中國IC制造產(chǎn)業(yè)差異化競爭是規避小規模廠(chǎng)商 惡性競爭的重要手段;此外，合理進(jìn)行資源整合形成規模效應也是未來(lái)中國IC制造業(yè)發(fā)展趨勢。