我國擬打造第三代半導體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化創(chuàng )新平臺

　　近日，彩虹藍光-北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng )新中心簽約儀式在安徽合肥舉行。雙方將攜手打造我國第三代半導體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的重要創(chuàng )新平臺。

　　半導體作為在常溫下介于導體和絕緣體之間的材料，廣泛應用于測溫等領(lǐng)域。隨著(zhù)社會(huì )的不斷發(fā)展，半導體不論是在科技或是經(jīng)濟方面，都具有巨大的作用。為謀求半導體產(chǎn)業(yè)高地，世界各國紛紛加快研究步伐。其中，以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開(kāi)發(fā)是新興半導體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎，其研究開(kāi)發(fā)呈現出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。

　　此次安徽合肥攜手中國電子，著(zhù)手打造彩虹藍光—北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng )新中心，也是積極部署第三代半導體創(chuàng )新高地，落實(shí)科技強國戰略，助力我國創(chuàng )新產(chǎn)業(yè)發(fā)展的表現。

　　據悉，此次彩虹藍光-北京大學(xué)協(xié)同創(chuàng )新中心的建設將分為兩期，先期將重點(diǎn)放在人才引進(jìn)以及實(shí)驗室硬件條件打造上，同時(shí)以電子材料和器件技術(shù)研發(fā)為重點(diǎn)，逐步打造我國第三代半導體研發(fā)平臺。