中國半導體存儲行業(yè)未來(lái)50年發(fā)展路線(xiàn)圖
加入技術(shù)交流群
3、市場(chǎng)供求關(guān)系有利國內企業(yè)加入競爭格局
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201609/310048.htm從市場(chǎng)供求關(guān)系的角度看，在經(jīng)過(guò)了行業(yè)過(guò)去兩年的下行周期后，DRAM和NANDFlash的市場(chǎng)格局均逐步由供過(guò)于求的局面轉向了供給略顯不足的趨勢。
從供給端看，根據Digitimes的數據顯示，DRAM行業(yè)的主要廠(chǎng)商韓國三星和海力士均在2016年不同程度的降低了資本開(kāi)支計劃，主要的資本投入將會(huì )涉及制程節點(diǎn)的提升而不是產(chǎn)能的直接擴張，美光科技盡管仍然保持了資本開(kāi)支計劃規模，但是他們的主要投資方向也是提升技術(shù)實(shí)力以應對產(chǎn)業(yè)競爭。NANDFlash，包括三星、海力士、美光/英特爾仍然保持了部分的資本開(kāi)支以期在3DNAND Flash方面保持產(chǎn)能擴張的趨勢。根據WSTS的預測，2016~2017年，全球DRAM市場(chǎng)的供給增長(cháng)速度維持在25%左右，而NANDFlash的供給增長(cháng)則約為45%。
從需求端看，我們之前的分析中可以看到，DRAM市場(chǎng)需求的主要驅動(dòng)因素來(lái)自于移動(dòng)智能終端的需求增長(cháng)，PC端的下滑速度放緩，而隨著(zhù)IDC等數據中心建設的推動(dòng)，來(lái)自服務(wù)器端的內存需求也將保持穩健的成長(cháng)。
NAND Flash的需求增長(cháng)主要來(lái)自于移動(dòng)終端以及固態(tài)硬盤(pán)(SSD)對于傳統硬盤(pán)的取代趨勢。在蘋(píng)果公司的最近產(chǎn)品發(fā)布會(huì )上，新款的iPhone7/7Plus最高配置的存儲容量已經(jīng)提升到了256GB，而其他手機廠(chǎng)商的新款手機產(chǎn)品也紛紛提供了更多的存儲空間。
SSD市場(chǎng)來(lái)看，根據iSuppli預測數據顯示，2017年全球市場(chǎng)SSD出貨量將會(huì )達到2.27億塊，較2012年的3，100萬(wàn)塊大幅提升732%，年復合增長(cháng)率接近50%。
因此，我們預計在未來(lái)2年，DRAM需求端市場(chǎng)的出貨量增長(cháng)速度接近30%，而NANDFlash市場(chǎng)的需求量增速則有望達到50%以上，因此供求關(guān)系的角度看，行業(yè)市場(chǎng)正在逐步向賣(mài)方市場(chǎng)轉移，而國內的產(chǎn)能投資有望獲得有效的市場(chǎng)支持。
評論