中國半導體存儲行業(yè)未來(lái)50年發(fā)展路線(xiàn)圖

　　(二)固態(tài)硬盤(pán)驅動(dòng)未來(lái)Flash需求，路線(xiàn)不同帶來(lái)多元競爭

　　Flash Memory屬于非易失性存儲器，產(chǎn)品出現的時(shí)間晚于DRAM，需求驅動(dòng)主要來(lái)自于隨著(zhù)CPU和內存速度持續提升后，磁盤(pán)和光盤(pán)的讀寫(xiě)速度和集成度遠遠沒(méi)有辦法滿(mǎn)足需求，因此人們開(kāi)發(fā)以半導體集成電路工藝來(lái)制造可以長(cháng)期保存數據的存儲產(chǎn)品。

　　1、起步晚于DRAM，NAND和NOR兩種構建延續至今

　　1967年施敏博士與韓裔美國人姜大元在《貝爾系統科技期刊》發(fā)表了一篇關(guān)于非揮發(fā)性?xún)却娴恼撐摹案￠l非揮發(fā)性半導體內存細胞元件”第一次闡述了閃存存儲數據的原理技術(shù)。舛岡富士雄博士在1984年于東芝公司工作時(shí)發(fā)明了Flash存儲技術(shù)，1998年，Intel推出第一款商業(yè)性的NORFlash芯片，1989年的國際固態(tài)電路研討會(huì )(ISSCC)上，東芝發(fā)表NANDFlash的芯片結構，NOR和NAND規格的Flashmemory一直沿用至今。

　　FlashMemory的規格相較于DRAM簡(jiǎn)單，主要為NOR和NAND型兩種，主要區別在于記憶單元間的內部連接結構。NOR內部記憶單元以平行方式連接到比特線(xiàn)，允許個(gè)別讀取與程序化記憶單元。NAND內部記憶單元以順序方式連接，只能允許頁(yè)訪(fǎng)問(wèn)。由于NAND的順序連接方式，降低了所需的空間，進(jìn)而降低了產(chǎn)品的成本。

　　Flash Memory的兩種結構多年以來(lái)一直延續，直到2015年美光和Intel提出了3DXPoint。而東芝推出的3DNAND則是在2DNAND的架構上在三維空間的堆疊。

　　2、移動(dòng)終端固態(tài)硬盤(pán)成為行業(yè)重要推手

　　Flash Memory市場(chǎng)中，NAND產(chǎn)品憑借其在成本方面的優(yōu)勢，占據的主要的市場(chǎng)份額，2015年全年NAND占到整個(gè)FlashMemory銷(xiāo)售額的90%以上。根據DRAMeXchange的數據，NANDFlash在過(guò)去的12個(gè)季度中，銷(xiāo)售收入的走勢也是基本與存儲器市場(chǎng)一致，供過(guò)于求的局面導致了產(chǎn)品銷(xiāo)售價(jià)格的下降。

　　我們還可以看到NAND FlashMemory的價(jià)格變動(dòng)趨勢與DRAM類(lèi)似，在過(guò)去的一個(gè)季度中經(jīng)歷了明顯的反彈趨勢，傳統旺季的季節效應推動(dòng)了存儲器產(chǎn)品市場(chǎng)的需求提升，以消費電子和移動(dòng)通信設備為主要終端需求的Flash Memory在市場(chǎng)的本輪補庫存行情中獲得了顯著(zhù)的訂單增長(cháng)。

　　從產(chǎn)品的下游應用市場(chǎng)看，Flash Memory的主要需求來(lái)自于智能手機和平板電腦的內部存儲，以及伴隨著(zhù)SSD固態(tài)硬盤(pán)在個(gè)人電腦和服務(wù)器終端的應用推動(dòng)。智能移動(dòng)終端市場(chǎng)方面，隨著(zhù)運算處理器和應用程序的復雜度提升，對于存儲空間的要求持續增加進(jìn)而推動(dòng)了Flash Memory的需求提升。同時(shí)，SSD固態(tài)硬盤(pán)憑借其響應速度的優(yōu)勢在個(gè)人電腦和服務(wù)器領(lǐng)域的滲透率持續提升，也為Flash Memory市場(chǎng)的發(fā)展提供了動(dòng)力。

　　3、競爭格局/產(chǎn)能分布

　　Flash Memory的芯片有NAND和NOR兩種結構方案，盡管應用市場(chǎng)廣泛，但是在產(chǎn)品規格方面的同質(zhì)化特性依然較為明顯，與DRAM類(lèi)似規模效應帶來(lái)的競爭優(yōu)勢也成為新進(jìn)入者的有效壁壘，并且在行業(yè)面臨整合的時(shí)候，規模較大的企業(yè)生存機會(huì )更高。根據DRAMeXchange的數據顯示，三星、東芝、閃迪、美光、海力士占據市場(chǎng)前五位，2015年占比分別為32%、19%、15%、15%和11%。

　　從產(chǎn)業(yè)模式看，Flash Memory行業(yè)中代工模式的規模占比略高于DRAM存儲器，部分8寸晶元代工廠(chǎng)為Flash Memory的廠(chǎng)商提供服務(wù)，但是我們仍然可以關(guān)注以IDM模式為主的廠(chǎng)商的產(chǎn)能狀況。

　　由于晶元代工廠(chǎng)商在Flash Memory市場(chǎng)擁有相應的生存空間，因此我們可以看到，未來(lái)新增加的產(chǎn)能規模將會(huì )主要集中在包括3D NAND等新產(chǎn)品方面。