中國半導體存儲行業(yè)未來(lái)50年發(fā)展路線(xiàn)圖

　　三、中國存儲器產(chǎn)業(yè)：任重而道遠的崛起之路

　　盡管中國集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)了20多年的發(fā)展已經(jīng)逐漸在全球市場(chǎng)中形成了競爭力，但是中國大陸廠(chǎng)商在全球的市場(chǎng)占有率仍然有限，尤其是在存儲器行業(yè)中國內企業(yè)在參與度很低。從中國政府對于信息安全進(jìn)而帶來(lái)的芯片國產(chǎn)化進(jìn)程中，存儲器行業(yè)集成電路的基礎器件之一，受到了國家的高度重視，各地多筆大規模的投資顯示國家希望在存儲器行業(yè)拓展競爭力的態(tài)度。

　　(一)基礎薄弱，發(fā)展迅速，國產(chǎn)化依然空間可觀(guān)

　　中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起始于上世紀90年代初，經(jīng)過(guò)了20多年的發(fā)展，已經(jīng)初步形成了完善的產(chǎn)業(yè)鏈體系，部分子行業(yè)內擁有了全球的競爭力，根據統計數據顯示，2015年全年中國集成電路行業(yè)的市場(chǎng)規模為11，024億元人民幣，達到全球市場(chǎng)的62%。同時(shí)我們也需要注意到，中國大陸的半導體企業(yè)產(chǎn)值在全球市場(chǎng)的占比仍然較低，國產(chǎn)化程度仍然有待提高。

　　從存儲器行業(yè)看，2015年中國集成電路存儲器市場(chǎng)規模超過(guò)2，800億元人民幣、占中國半導體銷(xiāo)售收入的25%以上，占全球存儲器市場(chǎng)59%。

　　(二)國家產(chǎn)業(yè)政策驅動(dòng)大手筆投資，崛起之路任重道遠

　　由于存儲器行業(yè)整體的產(chǎn)品同質(zhì)化帶來(lái)的規模效應顯著(zhù)，行業(yè)呈現了寡頭壟斷的競爭格局，從前面的分析我們可以看到，中國大陸的存儲器廠(chǎng)商尚未形成全球市場(chǎng)的競爭能力。在國家的“芯片國產(chǎn)化”產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下，中央政府和地方政府在產(chǎn)業(yè)內的投資助推國內存儲器產(chǎn)業(yè)崛起，市場(chǎng)環(huán)境及競爭狀況注定了中國企業(yè)的未來(lái)崛起之路任重道遠。

　　1、中國存儲器廠(chǎng)商穩步推進(jìn)

　　在DRAM領(lǐng)域，僅有IC晶圓代工、封測廠(chǎng)商提供少量的服務(wù)，而DRAM市場(chǎng)的IDM模式占比持續增加的情況下，目前國內企業(yè)在DRAM市場(chǎng)的參與度有所降低。

　　在FlashMemory行業(yè)中，目前中國國內企業(yè)中在2015年完成股權轉讓給紫光國芯的西安紫光國芯半導體有限公司(前稱(chēng)“西安華芯半導體有限公司”)以及擬上市的北京兆易創(chuàng )新科技股份有限公司具備了行業(yè)內的競爭力。

　　西安紫光國芯半導體有限公司(前身“西安華芯半導體有限公司”)，是由原奇夢(mèng)達科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎上發(fā)展起來(lái)的。公司2003年作為德國英飛凌科技存儲器事業(yè)部在西安成立，在2006年，伴隨著(zhù)存儲器事業(yè)部從英飛凌科技全球拆分上市成為奇夢(mèng)達科技，奇夢(mèng)達科技(西安)有限公司也隨之成立并開(kāi)始作為一家獨立的公司運營(yíng)。2009年，浪潮集團收購原德國奇夢(mèng)達科技(西安)有限公司進(jìn)行改制重建并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年，紫光集團旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導體有限公司并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

　　北京兆易創(chuàng )新科技股份有限公司前身“北京芯技佳易微電子科技有限公司”創(chuàng )立于2005年4月，作為一家初創(chuàng )公司主要技術(shù)為“超高速靜態(tài)隨機存儲器”，經(jīng)過(guò)了多次股權轉讓及增資后，公司先于2010年更名為“北京兆易創(chuàng )新科技有限公司”，后于2012年完成股改，目前公司的主要產(chǎn)品是NOR Flash Memory，包括了1.8V和3.3V兩個(gè)系列，其他還有部分MCU產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)，2014年公司實(shí)現銷(xiāo)售收入9.47億元，其中存儲器相關(guān)產(chǎn)品的銷(xiāo)售額達到9.31億元。

　　2、產(chǎn)業(yè)政策投資持續加碼，國家意志驅動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　隨著(zhù)全球化進(jìn)程的推進(jìn)，在信息安全方面面臨的挑戰也日益增加，“棱鏡門(mén)”事件的爆發(fā)，更是將全球各國對于在國家層面的信息安全考量推向了高潮，中國政府也是借此推出了一系列的政策來(lái)加強對于信息安全的把控，“國家信息安全領(lǐng)導小組”的成立標志著(zhù)我們國家已經(jīng)將信息安全上升到了國家領(lǐng)導層面，而“芯片國產(chǎn)化”就是具體表現方式之一。

　　從芯片國產(chǎn)化具體的實(shí)施過(guò)程中，存儲器行業(yè)成為了國家投資的重要方向，其中以國有企業(yè)和地方政府為代表的投資項目主要包括了紫光國芯600億元人民幣定增資金用于Flash Memory的投資建設，武漢新芯擬投資240億美元打造國內集成電路存儲器產(chǎn)業(yè)基地，以及一期投資額370億人民幣的福建省晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項目。

　　2016年7月，紫光集團宣布收購武漢新芯大多數股權后改名為長(cháng)江存儲技術(shù)公司，紫光董事長(cháng)趙衛國將成為這家新控股公司的總裁，清華紫光將擁有長(cháng)江存儲技術(shù)公司超過(guò)50%的股權，其余股權的控制方是集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和另一家由武漢市政府扶持的基金，共同推進(jìn)項目的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

　　除了以國有企業(yè)和地方政府為投資主體的存儲器項目外，我們還關(guān)注到海外廠(chǎng)商在國內存儲器領(lǐng)域的投資，2015年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠(chǎng)。根據英特爾投資金額與大連廠(chǎng)的產(chǎn)能建設來(lái)評估，DRAMeXchange初步預估每個(gè)月至少可布建30，000-40，000片的3D-NANDFlashMemory。