臺積電、英特爾、三星10納米量產(chǎn)之戰　即將點(diǎn)燃戰火

　　10納米系統半導體芯片量產(chǎn)戰爭已經(jīng)開(kāi)始了，三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)和臺積電出面爭奪主導權，研發(fā)作業(yè)正如火如荼地進(jìn)行中，對于相關(guān)設施的投資金額也大幅提高了。

　　據ET News報導，三星在業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )中表示，2016年底10納米系統半導體芯片量產(chǎn)計劃沒(méi)有任何變動(dòng)，為了按照計劃進(jìn)行，目前正動(dòng)員所有的準備力量。

　　英特爾和臺積電也都宣布了10納米芯片量產(chǎn)投資計劃，英特爾表示2016年的設備投資金額指標將比2015年擴大30%，約為95億美元;臺積電也提高了設備投資金額，宣布2016年約投資90億~100億美元， 2015年臺積電的投資額約為81億美元，2016年的投資規模至少增加11%，最多增加到23%。

　　三大廠(chǎng)提高投資額與10納米制程的轉換有關(guān)。展開(kāi)10納米芯片量產(chǎn)競爭的主要理由，是為了要搶奪蘋(píng)果(Apple)和高通(Qualcomm)這兩個(gè)大客戶(hù)。高通表示，計劃在三星或臺積電以10納米制程生產(chǎn)新一代的Snapdragon 830，將委托給競爭力較高的一方來(lái)生產(chǎn)。

　　業(yè)界相關(guān)人士表示，在14、16納米制程時(shí)被三星搶去很多訂單的臺積電，計劃將在10納米時(shí)翻盤(pán)，臺積電并指出，2016年10納米量產(chǎn)準備的競爭將會(huì )決定2017年以后的業(yè)績(jì)。

　　英特爾還沒(méi)有正式進(jìn)入代工產(chǎn)業(yè)，所以對于10納米制程的準備與客戶(hù)公司沒(méi)有什么關(guān)系。不過(guò)之前英特爾曾經(jīng)公開(kāi)表示過(guò)，將在2017年上市的新型CPU Cannonlake將以10納米制程來(lái)量產(chǎn)，所以在日程上也不能再推延了。

　　臺積電、英特爾、三星對于10納米系統半導體芯片量產(chǎn)的準備將會(huì )在2016年中左右使得相關(guān)設備業(yè)界受惠，大部分是前段制程的設備部分，并預計在10納米制程中不使用極紫外光(EUV)設備，而將采用浸潤式(Immersion)設備來(lái)進(jìn)行制造。

　　分析師表示，多重曝光(Multi-patterning)的比重增加，所以預估蒸鍍和蝕刻的設備部分將會(huì )受惠。在蒸鍍部分，比起化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)說(shuō)，能以原子層為單位來(lái)鍍上薄膜的原子層沉積(ALD)的設備需求預計將大幅增加。隨著(zhù)線(xiàn)寬縮減程度變高，原本的CVD制程逐漸被ALD制程所取代。

　　根據Miraeasset資料顯示，以2014年為基準，全球ALD設備的市占率各為：艾司摩爾(ASML)53%，東京威力科創(chuàng )(Tokyo Electron)27%，Jusung Engineering 6%，科林研發(fā)(Lam Research)5%，Wonik IPS 5%，Aixtron 2%。2016年開(kāi)始Eugene Technology也計劃將首次進(jìn)入ALD設備的市場(chǎng)。

　　市調業(yè)者Gartner預測表示，2016年與邏輯芯片(Logic Chip)有關(guān)的設備投資將比2015年增加5%，達到約322億美元的水準。