英特爾研發(fā)周期放緩 或被臺積電超過(guò)
雖然目前還不知道Ice Lake的更多消息,但先前的報道顯示,Intel將把Haswell中的FIVR(全集成式電壓調節模塊)重新置入其中。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201601/286316.htm理論上,雖然內置FIVR會(huì )增加部分芯片面積,但對電壓的控制會(huì )更加精確,從而實(shí)現更加省電,但這一點(diǎn)在Haswell上卻并沒(méi)有得到體現——由于加入了FIVR,TDP(熱設計功耗)非但沒(méi)有下降,反而從前代的77W進(jìn)一步增加到了84W。
但Intel顯然并沒(méi)有對FIVR技術(shù)完全死心,看來(lái)Intel很有可能會(huì )把成熟的FIVR技術(shù)重新引入到10nm級芯片中。
在10nm工藝節點(diǎn)上,Tiger Lake架構將成為Intel的第二次“Tock”。“Tiger Lake”這一代號雖然在此前的報道中從未被提及過(guò),但這表明了Intel在10nm的工藝節點(diǎn)上也將沿用三代。
Tick-Tock或將面臨臺積電的技術(shù)挑戰

但是,如果Intel真的要按照這個(gè)發(fā)展戰略來(lái)不緊不慢地提升自己的技術(shù),那么臺積電“在2017年達到7nm技術(shù)節點(diǎn),2020年達到5nm的技術(shù)節點(diǎn)”的戰略規劃顯然要比Intel來(lái)的更為樂(lè )觀(guān)。
“臺積電預計將在2018年上半年開(kāi)始生產(chǎn)7nm制程的芯片,不僅如此,我們在極紫外光刻技術(shù)(EUV)上已經(jīng)取得了重大突破,很可能會(huì )在5nm工藝制程上應用。”
——臺積電聯(lián)席CEO劉德
而Intel官方則表示,如果在5nm節點(diǎn)上硅仍然是一個(gè)可行的微處理器材料,那么Intel將于2020年開(kāi)始研發(fā)5nm制程的芯片,我們最早將在2022年才能見(jiàn)到這一芯片。
不過(guò),此前業(yè)內的諸多人士都表示硅不會(huì )成為5nm級芯片上最具成本效益的材料,并且目前也已經(jīng)有諸多有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質(zhì),如碳納米管等。所以Intel的這個(gè)前提有些耐人尋味。
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