英特爾研發(fā)周期放緩 或被臺積電超過(guò)

　　雖然目前還不知道Ice Lake的更多消息，但先前的報道顯示，Intel將把Haswell中的FIVR(全集成式電壓調節模塊)重新置入其中。

　　理論上，雖然內置FIVR會(huì )增加部分芯片面積，但對電壓的控制會(huì )更加精確，從而實(shí)現更加省電，但這一點(diǎn)在Haswell上卻并沒(méi)有得到體現——由于加入了FIVR，TDP(熱設計功耗)非但沒(méi)有下降，反而從前代的77W進(jìn)一步增加到了84W。

　　但Intel顯然并沒(méi)有對FIVR技術(shù)完全死心，看來(lái)Intel很有可能會(huì )把成熟的FIVR技術(shù)重新引入到10nm級芯片中。

　　在10nm工藝節點(diǎn)上，Tiger Lake架構將成為Intel的第二次“Tock”。“Tiger Lake”這一代號雖然在此前的報道中從未被提及過(guò)，但這表明了Intel在10nm的工藝節點(diǎn)上也將沿用三代。

　　Tick-Tock或將面臨臺積電的技術(shù)挑戰

　　但是，如果Intel真的要按照這個(gè)發(fā)展戰略來(lái)不緊不慢地提升自己的技術(shù)，那么臺積電“在2017年達到7nm技術(shù)節點(diǎn)，2020年達到5nm的技術(shù)節點(diǎn)”的戰略規劃顯然要比Intel來(lái)的更為樂(lè )觀(guān)。

　　“臺積電預計將在2018年上半年開(kāi)始生產(chǎn)7nm制程的芯片，不僅如此，我們在極紫外光刻技術(shù)(EUV)上已經(jīng)取得了重大突破，很可能會(huì )在5nm工藝制程上應用。”

　　——臺積電聯(lián)席CEO劉德

　　而Intel官方則表示，如果在5nm節點(diǎn)上硅仍然是一個(gè)可行的微處理器材料，那么Intel將于2020年開(kāi)始研發(fā)5nm制程的芯片，我們最早將在2022年才能見(jiàn)到這一芯片。

　　不過(guò)，此前業(yè)內的諸多人士都表示硅不會(huì )成為5nm級芯片上最具成本效益的材料，并且目前也已經(jīng)有諸多有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質(zhì)，如碳納米管等。所以Intel的這個(gè)前提有些耐人尋味。