混戰整合期 國產(chǎn)LED芯片將迎三國立體競爭

　　“供過(guò)于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下，正孕育著(zhù)新一輪的市場(chǎng)變革。

　　國內企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間，讓現在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%，發(fā)光亮度達到200lm以上。

　　國產(chǎn)LED芯片滲透率提高

　　國內芯片廠(chǎng)商在市場(chǎng)上憑借較高的性?xún)r(jià)比一步步提升了封裝廠(chǎng)對國產(chǎn)芯片的接受度。

　　從2009年起，受?chē)鴥雀鞯胤秸邚妱胖С忠约熬薮蟮娘@示、背光和照明市場(chǎng)的推動(dòng)，中國LED外延芯片行業(yè)飛速發(fā)展。主要生產(chǎn)設備MOCVD機臺的數量迅猛增長(cháng)，從2009年的130臺一躍增長(cháng)至2012年年底的917臺。

　　2013年，由于照明市場(chǎng)的快速發(fā)展，帶動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)上、中、下游產(chǎn)能發(fā)揮，一定程度上減緩了自2011年下半年出現的產(chǎn)能過(guò)?，F象，行業(yè)開(kāi)始回暖。上游外延芯片領(lǐng)域產(chǎn)能利用率也由2012年的不足三成提高到了目前的平均接近六成。市場(chǎng)方面，由于未來(lái)幾年背光市場(chǎng)逐漸趨于飽和，需求將呈現平穩增長(cháng)態(tài)勢，下一個(gè)接棒的市場(chǎng)增長(cháng)點(diǎn)將會(huì )來(lái)自照明市場(chǎng)。自2011年開(kāi)始，國內照明市場(chǎng)開(kāi)始逐漸起量，而到2013年，照明市場(chǎng)需求開(kāi)始大幅增長(cháng)。預計未來(lái)幾年，照明市場(chǎng)將成為上游外延芯片廠(chǎng)商受益最大的細分市場(chǎng)。

　　在照明市場(chǎng)可期的大環(huán)境下，國內芯片廠(chǎng)商也通過(guò)不斷引進(jìn)技術(shù)、人才以及加大研發(fā)投入力度，使芯片制造技術(shù)水平大幅提升，并在市場(chǎng)上憑借較高的性?xún)r(jià)比一步步提升了封裝廠(chǎng)對國產(chǎn)芯片的接受度，從中攫取到越來(lái)越多的市場(chǎng)份額。比如說(shuō)在室內照明和商業(yè)照明領(lǐng)域，國產(chǎn)芯片的替代速度就非?？?。近期有國內封裝大廠(chǎng)負責人稱(chēng)：“這兩年，很多大公司沒(méi)有指定用誰(shuí)的芯片，只要是芯片質(zhì)量好，都可以接受。我記得三四年前，80%的芯片都采購中國臺灣的或者是洋品牌，現在采購芯片，90%都開(kāi)始采購中國大陸芯片。”甚至出現了客戶(hù)主動(dòng)要求采用大陸某品牌芯片的情形。

　　“增量不增利”之怪現象

　　今年設備市場(chǎng)需求增長(cháng)穩定，但由于價(jià)格持續下降，導致設備整體銷(xiāo)售額無(wú)明顯增加。

　　受益于全球經(jīng)濟整體復蘇以及終端照明市場(chǎng)的拉動(dòng)，2013年前三季度，國內LED產(chǎn)業(yè)整體經(jīng)營(yíng)狀況較去年同期明顯改觀(guān)。但由于受下游應用市場(chǎng)價(jià)格下滑大趨勢和行業(yè)競爭加劇現狀的影響，上游芯片廠(chǎng)商反而陷入毛利率下滑——“增收不增利”的尷尬困境。分析個(gè)中原因，上游芯片價(jià)格“跌跌不休”主要是由于前幾年過(guò)度投資引發(fā)產(chǎn)能急劇擴張，而市場(chǎng)又一時(shí)無(wú)法完全消化引起的。供過(guò)于求所最終導致的高庫存是造成芯片大幅跌價(jià)的根本原因。鑒于市場(chǎng)價(jià)格壓力，廠(chǎng)商不得不以較低的價(jià)格拋售此前以高成本產(chǎn)出的芯片，從而影響了企業(yè)的毛利率水平，最終導致“增收不增利”。不僅是上游的芯片段，微利甚至是無(wú)利現象亦在下游照明以及更上游的設備業(yè)蔓延。以北方微電子公司為例，雖然整體上設備市場(chǎng)需求增長(cháng)穩定，公司設備銷(xiāo)售量增長(cháng)較快，但由于價(jià)格持續下降，導致設備整體銷(xiāo)售額與上年同期相當。

　　“供過(guò)于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下，正孕育著(zhù)新一輪的市場(chǎng)變革。今年以來(lái)，業(yè)內頻頻出現擴產(chǎn)、并購甚至倒閉的事件，上游芯片行業(yè)開(kāi)始呈現收攏集中的態(tài)勢，未來(lái)中國的LED局面將由“十國混戰”變?yōu)?ldquo;三國鼎立”。產(chǎn)業(yè)整合的結果是行業(yè)資源越來(lái)越向優(yōu)勢企業(yè)集中，在LED上游外延芯片領(lǐng)域，未來(lái)將會(huì )形成以幾家龍頭企業(yè)為首的市場(chǎng)格局。目前的產(chǎn)品同質(zhì)化嚴重，但長(cháng)遠來(lái)看，企業(yè)以“價(jià)格戰”獲取市場(chǎng)只是短期行為。近期企業(yè)間整合并購事件頻出的現象，也是產(chǎn)業(yè)發(fā)展到一定階段即需要淘汰落后產(chǎn)能、落后技術(shù)和落后管理的必經(jīng)過(guò)程。

　　整合期過(guò)后是立體競爭

　　未來(lái)客戶(hù)需求將不再是原先平面的、單一的，而將演變?yōu)槎嗑S的、立體的需求。

　　從各大媒體近期發(fā)布的2013年LED上游上市公司第三季報來(lái)看，主流芯片廠(chǎng)商處境已較去年同期有較大改善，芯片價(jià)格降幅也已收窄，部分企業(yè)芯片售價(jià)還可以達到與上季度持平的水平。有國內知名芯片企業(yè)負責人認為，接下來(lái)芯片價(jià)格既不會(huì )上漲也不會(huì )有太多下降。芯片產(chǎn)業(yè)馬上就要進(jìn)入一個(gè)產(chǎn)品性能比拼的時(shí)代。

　　業(yè)內的企業(yè)家不乏“價(jià)格戰”后是“技術(shù)戰”的論斷，他們認為，現在的LED芯片，還遠遠沒(méi)有達到理論的發(fā)光效果。在中國很多企業(yè)，包括外企，都在做一些更深層次的技術(shù)研發(fā)工作。國內企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間，讓現在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%，發(fā)光亮度達到200lm以上。他們同樣也認為，技術(shù)戰是真正拼企業(yè)實(shí)力的時(shí)候，因為研發(fā)需要大量投入。在這個(gè)階段，很多企業(yè)如果跟不上，就只能是寄希望于下游其他替代產(chǎn)品的產(chǎn)生來(lái)刺激需求。

　　事實(shí)上，經(jīng)過(guò)幾年來(lái)市場(chǎng)的跌宕起伏，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節最終沉淀下來(lái)的企業(yè)也會(huì )變得更加成熟和理性，這種態(tài)度對照明市場(chǎng)尤為寶貴，畢竟能經(jīng)得起時(shí)間考驗、性能可靠的產(chǎn)品才能最終贏(yíng)得客戶(hù)。再追溯到產(chǎn)業(yè)鏈的上游，雖然降價(jià)對于客戶(hù)的吸引力效果仍然直接，但降價(jià)已不再是讓下游客戶(hù)買(mǎi)單的唯一理由了。除了價(jià)格，性能及可靠性甚至品牌等都是客戶(hù)考量的重要因素。不難看出，未來(lái)客戶(hù)需求將不再是原先平面的、單一的，而將演變?yōu)槎嗑S的、立體的需求。作為企業(yè)自身來(lái)講，尋找最大讓利和最好服務(wù)兩者兼具的平衡點(diǎn)才是最能打動(dòng)客戶(hù)的方法?；蛟S我們可以認為，國產(chǎn)LED芯片后價(jià)格戰時(shí)代的市場(chǎng)，正緩緩轉身，迎面而來(lái)。

　　技術(shù)升級需提前布局

　　一代器件即會(huì )要求一代工藝、一代設備，設備企業(yè)要以領(lǐng)先一步的工藝解決方案為客戶(hù)帶來(lái)長(cháng)遠價(jià)值。

　　在半導體裝備領(lǐng)域，造成國產(chǎn)設備占有率相對偏低的主要原因是中國芯片制造技術(shù)達不到世界領(lǐng)先，所以設備選型也以國外成熟工藝和設備為主。但對于蓬勃發(fā)展的中國LED產(chǎn)業(yè)，經(jīng)歷第一階段的“無(wú)序競爭”后，步入整合優(yōu)化階段，會(huì )有更多的資源和潛力來(lái)實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新。

　　為順應這一行業(yè)發(fā)展形勢，北方微電子公司提前研發(fā)了下一代設備并與客戶(hù)進(jìn)行合作驗證。比如目前正在研發(fā)的一個(gè)項目是采用先進(jìn)的Sputter技術(shù)制備優(yōu)質(zhì)的AlN緩沖層——即在藍寶石襯底上生長(cháng)一層AlN薄膜作為緩沖層。增加AlN緩沖層不僅可以更好地與藍寶石進(jìn)行晶格匹配，更可有效減少下一步外延生長(cháng)時(shí)間、降低原材料消耗，最終達到提高產(chǎn)能并降低成本的目的。除此之外，AlN的導熱性也遠好于藍寶石，可有效改善LED芯片的散熱性，從而提升LED器件性能的可靠性。如果設備硬件設計合理，可有效解決AlN緩沖層沉積均勻性和重復性的問(wèn)題，但要實(shí)現與后道工藝的匹配，則需要與外延芯片廠(chǎng)商進(jìn)行合作工藝開(kāi)發(fā)。目前國內已經(jīng)有數家主流的外延芯片廠(chǎng)商積極與北方微電子配合進(jìn)行AlN緩沖層配套工藝的開(kāi)發(fā)，并以此作為未來(lái)差異化競爭的技術(shù)儲備之一。

　　LED產(chǎn)業(yè)不斷向前發(fā)展，對上、中游的外延芯片制造和封裝技術(shù)也提出了更高的要求。一代器件即會(huì )要求一代工藝、一代設備，設備企業(yè)不僅要滿(mǎn)足客戶(hù)需求，更要超越客戶(hù)需求，以領(lǐng)先一步的工藝解決方案為客戶(hù)帶來(lái)技術(shù)更先進(jìn)和成本更低的長(cháng)遠價(jià)值。未來(lái)5年設備企業(yè)的目標應該是成為引領(lǐng)國際LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級的裝備和工藝解決方案提供商。