首期年產(chǎn)3000萬(wàn)顆UV LED芯片，山西中科潞安紫外光電項目投產(chǎn)

近日，山西省半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟授牌儀式、中科潞安半導體技術(shù)研究院落成典禮暨中科潞安深紫外LED項目投產(chǎn)儀式在中科潞安紫外光電科技有限公司舉行。

山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示，中科潞安深紫外LED項目分兩期建設，總投資約20億元。其中，一期工程為年產(chǎn)3000萬(wàn)顆紫外LED芯片項目，投資5.4億元；二期工程為年產(chǎn)2億顆紫外LED芯片項目，投資15億元。

中科潞安紫外光電科技有限公司董事長(cháng)李晉閩表示，該項目于2018年12月完成項目的核心建設，經(jīng)過(guò)5個(gè)月的調試運轉和工藝驗證，項目產(chǎn)線(xiàn)設備狀態(tài)和生產(chǎn)能力穩健提升和完善，并于2019年5月30日正式投產(chǎn)。

此外，李晉閩還表示，未來(lái)隨著(zhù)設計的年產(chǎn)3000萬(wàn)顆深紫外LED的產(chǎn)能逐步釋放至滿(mǎn)產(chǎn)，將啟動(dòng)更大規模的億顆深紫外LED芯片的二期建設，逐步規劃對接資本市場(chǎng)。

會(huì )上，由中科潞安紫外光電科技有限公司、中科潞安半導體技術(shù)研究院等半導體相關(guān)“產(chǎn)學(xué)研用”單位組建的山西省半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式揭牌，中科潞安半導體技術(shù)研究院也正式落成。