中村修二：誰(shuí)將成為半導體照明的下一代？

　　11月11日下午，第十屆中國國際半導體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開(kāi)帷幕。在開(kāi)幕式的論壇環(huán)節中，獲得全球半導體照明突出貢獻獎之一的藍光、綠光和白光LED發(fā)明人，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場(chǎng)嘉賓和代表們作了題為“下一代半導體照明”的精彩報告。

　　中村修二首先對第一代LED和第二代LED進(jìn)行了對比，第一代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED則是基于氮化鎵基底，二者比較而言，用氮化鎵做基底的第二代LED較第一代有很大的提高，如電流密度、溫度都有很大提高。“在性能方面，我們采用非極化和半極化的方式進(jìn)行研究，并在2007年有了更大的突破，可以實(shí)現降低50%成本，發(fā)光率則增長(cháng)50%。”

　　中村修二進(jìn)一步表示，氮化鎵基底沒(méi)有以往那些晶體的缺陷，不僅能提高電流密度，還可以使散熱增加0.4%～0.5%，因此用氮化鎵做基底的LED將更加明亮。除此之外，用氮化鎵還能減少LED的數量，做出非常漂亮的點(diǎn)光源，并可以達到75W鹵素燈的水平，而且輸入功率只有12W，“我們也將其稱(chēng)之為激光燈，未來(lái)將非常有潛力，主要原因在于激光燈的效率非常高，電流效率是10～100A/cm2，而且芯片非常小。”

　　最后，中村修二強調指出，氮化鎵比藍寶石基底的LED更好，而且成本也有所下降，能夠滿(mǎn)足現有LED技術(shù)要求，其電流密度可比以前增加10倍，照明質(zhì)量更高。同時(shí)，使用氮化鎵還可以采用非極化和半極化的平面，以提高它的效率。“下一代半導體照明很可能是激光照明，雖然目前還沒(méi)有大規模使用，但LED燈與激光燈比較，效率下降小、電流密度增加許多，所以激光照明會(huì )是未來(lái)的一個(gè)發(fā)展趨勢。”中村修二表示。