英飛凌大功率高效光伏逆變器解決方案

1 引言

隨著(zhù)用電量的逐年攀升以及減少溫室氣體排放的呼聲越來(lái)越高，新能源產(chǎn)業(yè)正以前所未有的速度發(fā)展，其中太陽(yáng)能由于獲取方便的特點(diǎn)正越來(lái)越受到人們的廣泛關(guān)注。但是太陽(yáng)能電池板占地面積比較大，如果需要大功率并網(wǎng)發(fā)電只有依靠大功率光伏電站的建設，近幾年好多國家都大量建設了大功率光伏電站，作為其核心組成部分的大功率光伏逆變器也得到了快速發(fā)展。IGBT 模塊由于其自身的可控，電壓等級高，電流密度大，開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn)已成為大功率光伏逆變器的主流功率器件。目前電池板產(chǎn)生的直流電如何高效率地并入電網(wǎng)成為人們研究的重點(diǎn)，效率是評價(jià)光伏逆變器的最重要指標之一，而大功率光伏逆變器拓撲幾乎都為三相全橋，提高效率主要靠降低 IGBT 模塊的損耗來(lái)實(shí)現，IGBT 模塊對于提高逆變器效率顯得尤為重要。PrimePACK? 作為英飛凌公司最新一代大功率 IGBT 模塊目前已功率應用場(chǎng)合得到了普遍應用。

2 大功率光伏逆變器工作原理

太陽(yáng)能電池板方陣產(chǎn)生的直流電通過(guò)正弦波脈寬調制光伏逆變器向電網(wǎng)輸送滿(mǎn)足電網(wǎng)規定指標的電能，逆變器饋送給電網(wǎng)的電力由光伏方陣功率和當時(shí)當地的日照條件決定。逆變器除了具有將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉化成特定電壓和頻率的交流電基本功能外，還必須具有MPPT(最大功率跟蹤)功能，能夠對電網(wǎng)的干擾進(jìn)行可靠監測，并在電網(wǎng)出現故障時(shí)斷開(kāi)與電網(wǎng)的連接。

大功率光伏逆變器大多為并網(wǎng)型，電路拓撲基本為三相全橋，圖 1 是大功率并網(wǎng)型光伏逆變器的典型拓撲（IGBT模塊作為全橋逆變的功率器件）。從該拓撲可以看出整個(gè)逆變器損耗主要來(lái)自于IGBT 模塊和變壓器，因此如何選擇IGBT 模塊來(lái)提高逆變器效率成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。

3 PrimePACK™介紹

PrimePACK™是英飛凌最新一代的IGBT 模塊，目前已廣泛應用于風(fēng)能，太陽(yáng)能等大功率高端場(chǎng)合，它具有寄生電感小，熱阻低等優(yōu)點(diǎn)，并且裝配了第四代IGBT 芯片和反并聯(lián)二

極管，整個(gè)模塊的溫度周次和功率周次都大幅提高。

3.1 低寄生電感設計

如圖2 所示，PrimePACK™模塊內部正負母線(xiàn)采用疊層母排設計，寄生電感相對較低，半橋結構的 PrimePACKTM2 和 PrimePACKTM3 的寄生電感典型值分別為 18nH 和 10nH, 與之相對應的原先的IHM 模塊整個(gè)半橋的寄生電感將達到45nH, PrimePACK?的寄生電感相比降低了50%多。

太陽(yáng)能電池板的空載電壓比較高，有時(shí)達到 900V, 幾乎達到 1200V 模塊所能應用的母線(xiàn)電壓極限。除了母排寄生電感要求設計的比較小以外，對IGBT 模塊內部寄生電感要求比較高，因此 PrimePACK?是非常適合光伏逆變器設計的。另外由于 PrimePACK?的寄生電感比較低，可以把PrimePACK?驅動(dòng)得更快些，從而降低開(kāi)關(guān)損耗提高逆變器效率。

3.2低Rthch （殼到散熱器熱阻）設計

如圖3 所示對應于內部DCB 襯底，PrimePACK?2 和PrimePACK?3 分別用了 10 個(gè)和14 個(gè)螺絲來(lái)固定銅基板和散熱器，一方面可以更好地適應 PrimePACK?細長(cháng)的封裝，另一方面可以使每一個(gè)襯底上的IGBT 芯片獲得幾乎對稱(chēng)的散熱條件，因此Rthch 得以大幅降低。

結果非常明顯:PrimePACK™2 的銅基板面積是 153cm ,模塊的 Rthch 典型值是 4K/kw,對應于半橋結構的IHM 模塊銅基板面積為 182cm ，但是模塊的Rthch 典型值是6K/kw,可以看出PrimePACK™2 用較小的銅基板面積獲得了更小的Rthch, 非常有益于散熱。

3.3 IGBT4 和 Emcon4

3.3.1) IGBT4

PrimePACK™ 由于是一種新封裝，它里面裝的芯片都是最新的第四代IGBT 芯片IGBT4，都是基于溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)開(kāi)發(fā)的IGBT 芯片。它的最大的優(yōu)點(diǎn)就是飽和壓降很低，比較適

合大功率場(chǎng)合應用來(lái)提高系統效率。根據應用場(chǎng)合不同，分別在 PrimePACK™中放入了第四代的E4 芯片和P4 芯片。

E4 芯片是主要針對中功率應用，對芯片的軟特性和開(kāi)關(guān)損耗做了折中處理，在保證比較小的關(guān)斷損耗的情況下，得到比較好的軟特性。P4 芯片主要是針大功率應用優(yōu)化的，芯片的關(guān)斷特性很軟，但是相應的關(guān)斷損耗也隨之增加，比較適合大電流場(chǎng)合。

3.3.2) Emcon4

所有 PrimePACK™中 IGBT 的反并聯(lián)二極管都是最新一代的 Emcon4，而且根據所配IGBT 芯片的不同，二極管也會(huì )進(jìn)行優(yōu)化。 Emcon4 主要是使其反向恢復更軟，這樣使得IGBT開(kāi)通特性變得更軟，降低了EMI,這樣就允許在相同軟度的情況下用較小的開(kāi)通電阻來(lái)更快地開(kāi)通IGBT 從而使開(kāi)通損耗降低。

3.4 功率周次和溫度周次得到明顯提高

PrimePACK™對IGBT 芯片的鍍層進(jìn)行了優(yōu)化，連接線(xiàn)的參數和連接工藝得到大幅改進(jìn)，因此功率周次明顯提高。從圖4 可以看出，在工作結溫 125 度下，PrimePACK?的功率周次是以前IGBT2 和IGBT3 的4 倍，如果PrimePACK?的工作結溫提高到150 度，PrimePACK?的功率周次是以前IGBT2 和IGBT3 的2 倍。

PrimePACK™為了獲得更高的溫度周次做了很多改進(jìn)：利用增強型 作為襯底來(lái)減小銅基板和襯底之間的熱膨脹系數；在銅基板和襯底之間加了支架使得銅基板和襯底之間的焊接更加均勻；功率端子和襯底之間運用超聲波焊接工藝。所有這些使得PrimePACK?的溫度周次和 IHM 相比明顯提高（如圖 5 所示），雖然它的溫度周次沒(méi)有達到牽引級標準（AlSiC 加AlN 襯底，價(jià)格很貴），但是毫無(wú)疑問(wèn)PrimePACK?性?xún)r(jià)比最好。