65nm對決90nm!Intel技術(shù)不只領(lǐng)先一點(diǎn)

每一次工藝制程的變更，都將帶來(lái)處理器性能的飛躍。

    在更新的制程工藝上，Intel這一次稍稍領(lǐng)先。Intel最新的65nm處理器已經(jīng)在IDF大會(huì )上亮相。65納米（1納米等于十億分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶體管、第二代英特爾應變硅、高速銅互連以及低-K電介質(zhì)材料。采用65納米制程生產(chǎn)芯片將使英特爾能夠將當前單個(gè)芯片上的晶體管數量再翻一番。65nm晶體管不僅在尺寸上比90nm產(chǎn)品更小，而且還會(huì )降低能耗并減少電流泄漏。 

    65nm工藝將把泄漏降低四倍，同時(shí)與90nm晶體管相比性能卻不會(huì )降低。其秘密在于英特爾的“應變硅”技術(shù)。當然，它在90nm工藝中也使用了應變硅，但在65nm節點(diǎn)中使用的卻是第二代產(chǎn)品，它能夠在使晶體管性能提高10%-15%的同時(shí)卻不會(huì )增加泄漏。 65nm工藝還采用了Low K介電質(zhì)，這種材料能夠進(jìn)一步限制泄漏。該工藝采用的是8層排列的銅線(xiàn)互連。 

    Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代應變硅技術(shù)，銅互連以及低K值電介質(zhì)。4Mbit的芯片單元大小僅有0.54平方微米，每個(gè)單元由6個(gè)晶體管組成。Intel介紹1000萬(wàn)個(gè)這樣的芯片和圓珠筆尖相當。

65納米技術(shù)SRAM芯片
300毫米晶圓

     英特爾首席執行官保羅