MOSFET與MOSFET驅動(dòng)電路原理及利用

　　3、MOS開(kāi)關(guān)管耗損
　　不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而在DS間流過(guò)電流的同時(shí)，兩端還會(huì )有電壓(如2SK3418特征圖所示)，這樣電流就會(huì )在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。挑選導通電阻小的MOS管會(huì )減小導通損耗?，F在的小功率MOS管導通電阻通常在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
　　MOS在導通和截止的時(shí)候，必須不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)降低的流程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的流程，在這段時(shí)間內，MOS管的耗損是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)耗損。通常開(kāi)關(guān)耗損比導通耗損大得多，并且開(kāi)關(guān)頻率越快，耗損也越大。
　　下圖是MOS管導通時(shí)的波形?？梢钥闯?，導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的耗損也就很大。降低開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導通時(shí)的耗損；降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)次數。這兩種方法都可以減小開(kāi)關(guān)耗損。

　　4、MOS管驅動(dòng)
　　跟雙極性晶體管相比，通常認為使MOS管導通不須要電流，只要GS電壓高于必須的值，就可以了。這個(gè)很基本 做到，但是，咱們還須要速度。
　　在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動(dòng)，實(shí)際上就是對電容的充放電。對電容的充電須要一個(gè)電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì )比較大。挑選 /設計MOS管驅動(dòng)時(shí)第一要留心的是可提供瞬間短路電流的大小。
　　第二留心的是，普遍用于高端驅動(dòng)的NMOS，導通時(shí)須要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動(dòng)的MOS管導通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。假如在同一個(gè)系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。許多馬達驅動(dòng)器都集成了電荷泵，要留心的是應該挑選合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動(dòng)MOS管。
　　上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時(shí)當然須要有必須的余量。并且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F在也有導通電壓更小的MOS管用在不一樣的領(lǐng)域里，但在12V汽車(chē)電子系統里，通常 4V導通就夠用了。
　　MOS管的驅動(dòng)電路及其耗損，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很細致，所以不打算多寫(xiě)了。
　　5、MOS管運用 電路
　　MOS管最顯著(zhù)的特征是開(kāi)關(guān)特征好，所以被廣泛運用 在須要電子開(kāi)關(guān)的電路中，多見(jiàn)的如開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)，也有照明調光。這三種運用 在各個(gè)領(lǐng)域都有細致的推選 ，這里暫時(shí)不多寫(xiě)了。以后有時(shí)間再總結。