便攜設備DDR2-3內存電源解決方案

在筆記本電腦和PDA便攜系統中，為達到JEDEC(電子器件工程設計聯(lián)合會(huì ))的標準規范(JESD79E)，對DDR2-3內存在靜態(tài)穩壓和動(dòng)態(tài)響應方面提出了嚴格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個(gè)給內核供電的主電源(V_DDQ)、一個(gè)給輸入級供電的參考電壓(V_TTREF)和一個(gè)給非數據線(xiàn)路供電的終結電壓(V_TT)。JEDEC聯(lián)合會(huì )要求在寬負載范圍內，主電源電壓必須有很高的調整精度，V_TTREF必須保持在V_DDQ的二分之一，然后，V_TT必須保持在參考輸出電壓值，并具有源出和灌入電流功能。此外，根據先進(jìn)配置和電源接口標準(ACPI)，所有輸出必須支持“掛起到內存”和“掛起到硬盤(pán)”兩種系統睡眠狀態(tài)。

　　圖1示出了一個(gè)雙DDR2 SODIMM配置的供電電路。提供V_DDQ電壓的控制器采用恒定導通時(shí)間架構，幾乎可以使開(kāi)關(guān)頻率保持恒定，可以實(shí)現快速負載瞬變電壓響應，低功耗工作模式有助于開(kāi)關(guān)能效在DDR內存的全程負載范圍內最大化。給非數據線(xiàn)路供電的V_TT由內置LDO線(xiàn)性穩壓器提供，同時(shí)，低噪緩沖器給內存提供V_TTREF?？刂破鞯拈_(kāi)關(guān)頻率很高，可以最大限度減少外部電源配套組件(電感器和輸出電容)，再加上極小的封裝和先進(jìn)的功能(可選輸出放電模式、無(wú)功耗電流檢測)以及基本保護功能(過(guò)壓保護、欠壓保護和熱關(guān)機)。

　　便攜設備要求延長(cháng)電池使用時(shí)間，提高系統性能，同時(shí)還要求降低產(chǎn)品的成本、尺寸和重量。為滿(mǎn)足這些需求，意法半導體開(kāi)發(fā)了PM6670，這是一款采用高性能的BCD5(第五代BiCMOS-DMOS)制造工藝設計的先進(jìn)架構的半導體器件，采用4x4-24 引腳的VFQFPN封裝，能夠滿(mǎn)足DDR2-3內存的電源需求，同時(shí)，該器件還內置同步降壓控制器、15mA的緩沖參考二極管和強流LDO線(xiàn)性穩壓器，其中穩壓器的源出和灌入峰流高達2A。

　　PM6670的開(kāi)關(guān)部分是一個(gè)高性能的偽固定頻率，恒定導通時(shí)間控制器是為在寬輸入電壓范圍內處理快速負載瞬變專(zhuān)門(mén)設計的。開(kāi)關(guān)頻率范圍200kHz ~ 500kHz，根據不同應用需求，可以處理不同的工作模式，最大限度降低噪聲或功耗：強制PWM模式實(shí)現偽固定開(kāi)關(guān)頻率；脈沖跳躍模式通過(guò)跳過(guò)某些開(kāi)關(guān)周期在輕負載條件下實(shí)現高能效；靜噪跳躍模式將開(kāi)關(guān)頻率限制在人耳聽(tīng)音范圍外。

　　PM6670開(kāi)關(guān)控制器采用一個(gè)谷值電流檢測算法，能夠恰當地處理限流保護和電感電流零交越信息。這個(gè)無(wú)功耗的電流檢測方法是在下橋臂MOSFET導通期間檢測電流。 V_TTREF部分的輸出電壓是V_DDQ電壓值的二分之一，電壓調整精度1%。這個(gè)穩壓器的源出和灌入電流最高為±15mA。在全部工作條件下，線(xiàn)性穩壓器的輸出電壓(V_TT)等于內存的參考電壓V_TTREF。為降低總體功耗，LDO的輸入電壓可以是V_DDQ或更低的電壓軌。與輸出端的多層陶瓷電容(MLCC)配合，線(xiàn)性穩壓器的輸出電壓十分穩定。PM6670的三個(gè)主要功能(輸出波紋補償、靜噪跳躍模式和輸出放電選項)。