Cortex-M4核Kinetis平臺的電容式觸摸鍵盤(pán)設計

3．3 TSI模塊中斷服務(wù)處理
由圖5所示TSI模塊的編程框圖可知，TSI模塊有多種中斷方式，包括錯誤中斷、超時(shí)中斷、掃描結束中斷和越界中斷，在K60 MCU內部中斷機制里，它們共享99號中斷向量。本系統設計采用越界中斷，即正常情況下不占用CPU資源，只有當手指觸摸造成電容量超出死區區間時(shí)才觸發(fā)越界中斷，進(jìn)入相應的中斷服務(wù)函數進(jìn)行電容式觸摸按鍵響應處理。根據表1所示通道組合識別出具體觸摸按鍵號，實(shí)現觸摸鍵盤(pán)的輸入，具體中斷服務(wù)流程如圖8所示。
另外，針對一些更加復雜的電容式觸摸動(dòng)作，如旋轉、滑動(dòng)等應用，飛思卡爾公司免費提供了強大的觸摸感應軟件庫(即TSS庫)和開(kāi)發(fā)生態(tài)系統的支持，可以直接應用在飛思卡爾Kinetis平臺上，不僅縮短了工程開(kāi)發(fā)周期而且也增加了系統的穩定性。

1. 結語(yǔ)
   
2. 本系統采用帶有電容式觸摸接口TSI模塊的Cortex-M4核的Kinetis平臺MCU，利用電容式觸摸感應原理設計了3×3電容觸摸鍵盤(pán)。相比于傳統的機械式按鍵，電容式觸摸按鍵具有壽命長(cháng)、占用空間小、高靈敏度和靈活性好等優(yōu)點(diǎn)，應用前景十分廣闊，尤其是在飛速發(fā)展的消費電子領(lǐng)域，大有取代機械式按鍵的勢頭。