微納電容測量挑戰:如何精準測量fF級超低電容?
典型的半導體電容在pF或nF范圍內。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計補償后可以使用適當的測量技術(shù)來(lái)測量這些值,然而,一些應用需要在飛秒法(fF)或1e-15范圍內進(jìn)行非常靈敏的電容測量。這些應用包括測量金屬到金屬的電容,晶片上的互連電容,MEMS器件,如:開(kāi)關(guān),納米器件端子之間的電容。如果沒(méi)有使用適當的儀器和測量技術(shù),這些非常小的電容很難進(jìn)行測量。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202503/468095.htm使用4200A-SCS參數分析儀配備的4215-CVU(CVU),用戶(hù)能夠測量大范圍的電容,<1pF非常低的電容值也能測到。CVU采用獨特的電路設計,并由Clarius+軟件控制,支持校準和診斷工具,以確保最準確的結果。使用這種CVU和適當的測量技術(shù)可以使用戶(hù)實(shí)現多個(gè)噪聲水平的非常低的電容(1e-18f)測量。
本應用說(shuō)明了如何使用4215-CVU電容電壓?jiǎn)卧M(jìn)行fF電容測量。這包括建立適當的連接和使用Clarius軟件中適當的測試設置,以獲得最好的結果。關(guān)于進(jìn)行電容測量的進(jìn)一步信息,包括電纜和連接、定時(shí)設置、保護和補償,可以在Keithley應用說(shuō)明中找到,使用4200A-SCS參數分析儀進(jìn)行最佳電阻和交流阻抗測量。
連接被測器件
與被測設備(DUT)進(jìn)行適當的連接對測量靈敏的低電容至關(guān)重要。
為了獲得最佳效果,使用標配的紅色SMA電纜從CVU連接到DUT。紅色SMA電纜的特征阻抗為100Ω。兩根100Ω并聯(lián)電纜具有50Ω的特性阻抗,這是高頻源測量應用的標準。所提供的附件允許通過(guò)BNC或SMA、連接件連接到測試夾具或探針上。使用提供的扭矩扳手,擰緊SMA電纜連接,以確保良好的接觸。
雙線(xiàn)感知和測量的CVU配置如圖1所示。HCUR和HPOT端子連接到BNC三通,形成CVH(HI),LCUR和LPOT端子連接到形成CVL(LO)。
圖1. 雙線(xiàn)測量的CVU連接
圖2是DUT四線(xiàn)測量的示例。在這種情況下,HCUR和HPOT端連接到設備的一端,LPOT和LCUR端連接到設備的另一端。將四線(xiàn)連接到設備上,通過(guò)測量盡可能接近設備的電壓來(lái)進(jìn)行敏感的測量。
圖2. 四線(xiàn)測量的CVU連接
對于雙線(xiàn)或四線(xiàn)測流量,同軸電纜的外部屏蔽必須盡可能接近設備,以盡量減少屏蔽的環(huán)路面積。這降低了電感,并有助于避免共振效應,尤其在大于1MHz的頻率下影響更大。
保持所有電纜安裝牢固,以避免任何移動(dòng)。在執行偏置測量和實(shí)際DUT測量之間時(shí)發(fā)生的任何運動(dòng)都可能輕微改變回路電感并影響補償數據。
當測量非常小的電容時(shí),屏蔽DUT對于減少由于干擾而造成的測量不確定性變得很重要。干擾源可以是交流信號,甚至是物理運動(dòng)。金屬屏蔽應包圍DUT,并連接到同軸電纜的外殼上。
對于低電容測量,最好使用四線(xiàn)測量,但是,如果電纜較短且使用補償,則可以實(shí)現雙線(xiàn)傳感的最佳測量。
測量fF電容的Clarius+軟件配置
在Clarius軟件中設置測量包括在庫中選擇fF項目、配置測試設置和執行測量。
◆ 選擇庫的的電容項目
在Clarius軟件的項目庫中包含了一個(gè)用來(lái)進(jìn)行非常小的電容測量的項目。從選擇視圖中,在搜索欄中輸入“femtofarad” 。fF電容項目將出現在窗口中,如圖3 所示。選擇“創(chuàng )建”,以在項目樹(shù)中打開(kāi)項目。
圖3. 庫中fF電容測量項目
◆ 配置測試設置
一旦項目被創(chuàng )建,飛法電容項目將出現在項目樹(shù)中,如圖4所示。
圖4. 飛法電容項目樹(shù)
本項目有兩個(gè)測試:1)cap-measure-uncompensated測試項,用于測量DUT的電容。2) open-meas測試,用來(lái)獲取電纜和連接件的電容,由于這些電容測量的靈敏度,開(kāi)路測量用來(lái)保證DUT測量的精確度,開(kāi)路測量數據從DUT的電容測量值中減去。該方法能對極低電容的良好的測量結果。
對于成功的低電容測量,在配置窗口中適當地調整測量和定時(shí)設置是很重要的。以下是一些關(guān)于做出最佳調整的建議:
測量設置:用戶(hù)可以控制的一些設置:電流測量范圍、交流驅動(dòng)電壓和測試頻率。這些對測量很重要,因為它們涉及到確定器件電容的方程式。CVU根據Iac、Vac和測試頻率計算設備電容:
其中,
C = 器件電容 (F)
Iac = CVU測量的交流電流
f= 測試頻率
Vac = 交流驅動(dòng)電壓
通過(guò)觀(guān)察這些方程中的關(guān)系,可以推導出電流測量范圍、交流驅動(dòng)電壓和測試頻率的最佳設置。
CVU有三個(gè)電流測量范圍:1μA、30μA和1mA。對于噪聲最小的最低電容測量,使用最低電流范圍,1μA范圍。
交流驅動(dòng)電壓的水平會(huì )影響測量的信噪比。當交流噪聲水平保持相對恒定時(shí),使用更高的交流驅動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的交流電流,從而提高信噪比。所以,最好使用盡可能高的交流驅動(dòng)電壓。本項目采用了1V交流驅動(dòng)電壓。
對于非常低的電容測量,使用大約1MHz的測試頻率是理想的。由于測試頻率遠高于1MHz,傳輸線(xiàn)效應增加了成功測量的難度。在較低的測試頻率下,由于測試頻率和電流成比例,測量值的分辨率會(huì )降低,因此,會(huì )產(chǎn)生更大的噪聲。
定時(shí)設置:定時(shí)設置可以在“測試設置”窗口中進(jìn)行調整。速度模式設置使用戶(hù)能夠調整測量窗口。對于非常低的電容測量,請使用自定義速度模式來(lái)設置測量時(shí)間,以達到所需的精度和噪聲水平?;旧?,測量時(shí)間或窗口時(shí)間越長(cháng),測量的噪聲就越小。噪聲與測量時(shí)間的平方根成反比,如下式所示:
該噪聲可以通過(guò)計算電容測量值的標準偏差來(lái)獲得。這個(gè)計算可以使用Clarius軟件中的公式編輯器自動(dòng)完成。cap-meas-uncompensated測試自動(dòng)計算噪聲并將值返回到表。
可以使用圖5中所示的測試設置窗口中的自定義速度模式來(lái)調整測量窗口。
圖5. “測試設置”窗口中的自定義速度模式測量
窗口的時(shí)間,計算方法如下:
Measurement Window = (A/D Aperture Time) *(FilterFactor2 or Filter Count)
表1列出了CVU噪聲作為測量窗口的函數,用兩線(xiàn)法將電容連接到CVU端子。噪聲的計算方法是取15個(gè)讀數的標準偏差,以及設置為0V直流、1MHz和1V交流驅動(dòng)電壓的測量值。該數據驗證了隨著(zhù)測量時(shí)間的增加,噪聲會(huì )減小。注意,以上噪聲是在≥1s的測量時(shí)間內f(wàn)F或1E-18F范圍內的噪聲??赡苄枰诿總€(gè)測試環(huán)境中進(jìn)行實(shí)驗,以確定一個(gè)測試的最佳測量時(shí)間。
表1. 1ff電容的測量時(shí)間與噪聲的關(guān)系
◆ 執行測量
一旦配置了硬件和軟件,就可以執行測量。理想情況下,4200A-SCS應該在進(jìn)行測量前至少預熱一個(gè)小時(shí)。
按照這四個(gè)步驟進(jìn)行補償測量并重復結果。
1. 測量器件的電容。在項目樹(shù)中選擇cap-meas-uncompensated測試。在“配置”視圖中,根據設備和應用程序調整測試設置。運行該測試。
2. 測量開(kāi)路情況。在項目樹(shù)中選擇 open-meas
3. 測試。調整測試設置,使其與cap-meas-uncompensated測試中的測試設置完全相同,包括數據點(diǎn)數和電壓步數。僅斷開(kāi)CVH(HCUR和HPOT)電纜。確保未端接的電纜已進(jìn)行封蓋。運行開(kāi)路測試。
4. 分析結果。在項目樹(shù)中選擇femtofarad-capacitance項目,然后選擇分析視圖。圖6顯示了顯示補償的1fF測量值的屏幕截圖。
圖6. 1fF電容測量的分析圖表和圖形截圖
注意,最近的電容和開(kāi)路測量在表中噪聲測量計算的后面。項目樹(shù)中所有的測試數據將顯示在屏幕的右側。
如如圖7所示,選擇了capmeas-uncompensated和 open-meas測試的數據。這意味著(zhù)每次執行測試時(shí),都將在工作表中填充最新的數據。
圖7. 從測試中得出的數據
在公式器中建立了一個(gè)公式,通過(guò)從項目級分析圖表中的capmeas-uncompensated測試 數 據 減 去open-meas 測試數據,自動(dòng)計算補償電容測量值。該圖顯示了補償的電容作為時(shí)間的函數。表中的電容列列出了補償的測量值以及所有讀數的平均電容。圖8顯示了電容測量數據(Cp-AB)、時(shí)間、噪聲、AB測量數據、補償測量數據(電容)和平均電容(AVG_CAP)。
圖8. 分析界面中顯示的測試數據
5. 重復測量??梢赃\行在項目中重復某個(gè)測量。補償讀數將自動(dòng)計算。但是,open-meas測試不需要選擇,如圖9所示。如果數據出現意外移動(dòng),應定期重復獲取的開(kāi)路數據。這可能因為了溫度的變化或電纜的運動(dòng)。
圖9. 在項目樹(shù)中不選擇open-meas測試
結論
4215-CVU利用庫項目、適當的連接、適當的測量技術(shù)和設置,可以測量fF水平電容。使用適當測量窗口的4215-CVU可以使幾十個(gè)aF范圍及以下的噪聲水平。
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