盧超群：往后十年半導體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭

　　臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(TSIA)理事長(cháng)暨鈺創(chuàng )科技董事長(cháng)盧超群表示，今年將是3D IC從研發(fā)到導入量產(chǎn)的關(guān)鍵年，3D IC元年最快明年來(lái)臨，往后十年半導體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭，重現1990年代摩爾定律為半導體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的爆發(fā)性成長(cháng)。

　　隨著(zhù)矽元件趨近納米極限，摩爾定律開(kāi)始遭遇瓶頸，各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續摩爾定律

　　存儲器芯片設計公司鈺創(chuàng )董事長(cháng)盧超群上半年接任臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )理事長(cháng)，他希望透過(guò)協(xié)會(huì )的影響力，帶領(lǐng)臺灣半導體產(chǎn)業(yè)參與各項國際半導體規格制定、提升人才參與及素質(zhì)，并讓國內外科技投資資金流入，匯集國內半導體產(chǎn)業(yè)的凝聚力。

　　展望產(chǎn)業(yè)趨勢，盧超群剖析，摩爾定律若要繼續往下走，物理元件及電子電路得在固定的面積做更精密、更有效率的整合。這就好比蓋房子的概念，以前是造平房，接下來(lái)要造樓房，樓房中透過(guò)電梯的連結，就可省去許多中間所需能量，這是3D IC架構的好處。

　　他希望推動(dòng)國內外半導體供應鏈「類(lèi)垂直整合」，結合供應鏈中各公司優(yōu)勢，發(fā)揮一加一大于三的力量。以下是專(zhuān)訪(fǎng)紀要：

　　問(wèn)：半導體產(chǎn)業(yè)對臺灣的重要性為何?

　　答：先由數據來(lái)看，目前全球半導體產(chǎn)業(yè)一年的產(chǎn)值約3,000億美元(約新臺幣9兆元)，臺灣半導體一年的產(chǎn)值將近550億美元(約新臺幣1.65兆元)，占全球產(chǎn)值19%，在全球排名為僅次于美國、日本的第三大半導體產(chǎn)值國。

　　2012年臺灣國內生產(chǎn)總值(GDP)達新臺幣14兆元，半導體產(chǎn)業(yè)貢獻1.6兆元，比重達11.6%，且近20年來(lái)半導體產(chǎn)值幾乎沒(méi)有衰退過(guò);1997年臺灣半導體產(chǎn)值2,500億元，這15年產(chǎn)值來(lái)不但突破兆元，而且成長(cháng)近六倍，促進(jìn)臺灣整體電子業(yè)成長(cháng)，讓半導體下游業(yè)者不至于缺料?，F在半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值占臺灣整體電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過(guò)三成，假設臺灣沒(méi)有半導體產(chǎn)業(yè)支撐電子產(chǎn)業(yè)，在全球舉足輕重的科技王國地位就會(huì )消失。

　　自2005年起，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)已由入超轉為出超，幫助臺灣賺取外匯，占整體出口產(chǎn)值比重逐年攀升，至2012年高達18.6%。

　　更重要的是，半導體產(chǎn)業(yè)的附加價(jià)值在2012年約7,472億元，附加價(jià)值率達46%，為臺灣各種產(chǎn)業(yè)中利潤值最大的產(chǎn)業(yè)，占臺灣整體附加價(jià)值的28%，半導體產(chǎn)業(yè)被稱(chēng)為「臺灣鎮國之寶」，一點(diǎn)也不為過(guò)。

　　然而，如何讓全民對于半導體產(chǎn)業(yè)有更深層的認識與支持，進(jìn)而凝聚各界的力量，推升臺灣半導體產(chǎn)業(yè)更上一層樓，是目前很重要的認知與全民事業(yè)。

　　圖/經(jīng)濟日報提供

　　讓供應鏈一加一大于三

　　推動(dòng)類(lèi)垂直整合

　　問(wèn)：如何讓臺灣半導體產(chǎn)業(yè)提升競爭力?

　　答：臺灣半導體產(chǎn)業(yè)躍居全世界第三名，但目前擔憂(yōu)的是，面臨全球各地區均以強化半導體產(chǎn)業(yè)為目標，競爭愈來(lái)愈激烈、技術(shù)翻新速度愈來(lái)愈快，加上各國創(chuàng )新人才輩出并四處挖角，如果我們不擬定出一個(gè)良好的作戰策略，很可能失掉現有的地位。

　　首先，我們得了解各個(gè)競爭者的特點(diǎn)。目前臺灣面臨的對手包括美、日、韓、中、歐等多個(gè)區域的競爭。美國的長(cháng)處在于異質(zhì)人才匯集、系統與半導體上下創(chuàng )新，例如過(guò)去幾年來(lái)蘋(píng)果(Apple)就為美國產(chǎn)業(yè)帶來(lái)嶄新且巨大的成長(cháng)動(dòng)能，是一個(gè)純靠創(chuàng )新而產(chǎn)生附加價(jià)值最好的典范。韓國則是國家全力支持超大型企業(yè)，用垂直整合方式搶奪市場(chǎng)，例如，韓國不惜用重金透過(guò)在美國的創(chuàng )投公司去爭取人才，他們延攬人才的方式更是獨到，透過(guò)吸引與韓國企業(yè)結盟并在當地使用最優(yōu)秀的人才從事創(chuàng )新，開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品即由韓國大企業(yè)制造與營(yíng)銷(xiāo)。

　　在中國大陸方面，固然半導體技術(shù)還不是那么突出，但優(yōu)勢是擁有廣大的市場(chǎng)，因此可以明顯看到大陸一直以來(lái)都試圖以國家策略支持直營(yíng)高科技及半導體公司，甚至愿意犧牲利潤，只為了追求擴大市場(chǎng)占有率。

　　目前臺灣半導體產(chǎn)業(yè)并不需要附和韓國完全采取垂直整合的路線(xiàn)，而是要讓芯片設計、晶圓代工、封裝測試公司繼續擴張營(yíng)運規模，同時(shí)，獎勵新興創(chuàng )意公司，以求突破，透過(guò)結合，走向「類(lèi)垂直整合」模式。

　　「類(lèi)垂直整合」指的是，公司之間針對創(chuàng )新與附加價(jià)值進(jìn)互動(dòng)、組成聯(lián)盟，結合各公司的優(yōu)勢，以求發(fā)揮一加一大于三的力量，確實(shí)是臺灣最有效率而且具體可行戰略。

　　圖/經(jīng)濟日報提供

　　打通關(guān)鍵技術(shù) 普及飆速

　　建立3D IC架構

　　問(wèn)：如何看待3D IC的技術(shù)發(fā)展?答：半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今，已經(jīng)進(jìn)入納米境界。我在2004年即提出3D IC是一個(gè)可以延續摩爾定律且發(fā)揮力量的新技術(shù)，此處所談的道理并不難懂，只要想成是在地球表面蓋房子，就會(huì )想通了。

　　目前使用的2D IC就如同造平房，當系統需要更多功能的時(shí)候，只能在電路板平面上使用更多的IC，好比在一個(gè)寬廣的平原上蓋很多平房，再透過(guò)開(kāi)車(chē)的方式去連結各個(gè)門(mén)戶(hù)，如同我們在電路板上傳達各IC間的信號，當然會(huì )耗費相當的能量與空間。

　　隨著(zhù)電子產(chǎn)品的發(fā)展愈來(lái)愈輕薄短小，電路板上的面積與成本被要求更為縮減，因此IC晶粒的面積需要縮小，如同紐約市因為地皮太貴，蓋帝國大廈這么高的大樓，才能持續經(jīng)濟發(fā)展。

　　3D IC技術(shù)把蓋樓房的概念帶進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)，房子往上蓋各個(gè)不同樓層時(shí)，彼此連結的橋梁就得靠電梯，我在很多年前就提出來(lái)這樣的想法，只是礙于所謂的「電梯」技術(shù)發(fā)展尚未成熟。

　　近幾年來(lái)半導體業(yè)者在半導體元件中穿孔、3D封裝等技術(shù)上屢有突破，到今年底技術(shù)發(fā)展大致成熟，更重要的是，市場(chǎng)對此3D IC的需求已經(jīng)更加迫切。

　　問(wèn)：國內3D IC技術(shù)由怎樣的業(yè)者來(lái)主導會(huì )比較有效?

　　答：這個(gè)問(wèn)題只要以蓋高樓的邏輯去想就會(huì )很清楚。3D IC技術(shù)好比營(yíng)造業(yè)建高樓，3D IC如同城市中的高樓各個(gè)都不一樣，現在的營(yíng)造業(yè)囊括營(yíng)造廠(chǎng)、建筑師、設計師等行業(yè)，蓋一棟高樓可以由營(yíng)造廠(chǎng)采用自家的設計師來(lái)統包，也可以由不同的廠(chǎng)商來(lái)合力完成。

　　我認為，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)最迫切的問(wèn)題是要先有3D IC制造架構，例如，晶圓代工結合封裝行業(yè)投資、甚至進(jìn)一步實(shí)踐制造微電子高樓的架構，過(guò)程中一定會(huì )出現創(chuàng )新的設計公司或新興類(lèi)建筑師的次系統設計公司。

　　一旦打通關(guān)鍵技術(shù)及合作模式后，3D IC的普及率就能以十倍速提升及擴大，整個(gè)產(chǎn)業(yè)一起推進(jìn)3D IC世代。

　　新聞辭典》3D IC(三維芯片)

　　因應科技產(chǎn)品小型化、高度整合、高效率、低成本、低功耗等需求，半導體業(yè)者把不同的芯片堆迭起來(lái)，裝進(jìn)單一封裝，3D IC將更多的功能融入一個(gè)狹小的空間，使新一代的裝置體積更小、功能更強大。 但這項技術(shù)也面臨一些挑戰。比方說(shuō)，由于每一個(gè)額外的制造步驟都將增加風(fēng)險，3D IC的系統封裝與測試尚未達到預期的良率;另因堆疊多層芯片，相較于2D設計，散熱面積減少許多，導致散熱效果不佳，容易溫度偏高。