GaAsSb雙異質(zhì)結雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)
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本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/155338.htm
工藝的設計考慮到性能、可靠性和可生產(chǎn)性之間的平衡。從成品率 損失Pareto 圖 Fig. 5 中可以看出發(fā)射區/基區短路是影響成品率的主要原因，基區電極柱損失是影響遠小于發(fā)射區/基區短路的第二個(gè)原因。影響成品率的其它失效模式的影響相對較小，都在測試不確定范圍內。由500個(gè)晶體管組成的典型電路所達到的成品率已能夠滿(mǎn)足小規模儀器的應用應用。
一種新的工藝技術(shù)對于A(yíng)gilent復雜且規模較小的生產(chǎn)其晶片成品率大都如此。造成晶片成品率損失的原因主要有程序錯誤、晶片破裂、工藝和/或儀器問(wèn)題。我們的經(jīng)驗顯示GaAsSb/InP雙異質(zhì)結雙極晶體管DHBTs并不存在異于其它化合物半導體的特有失效機制和更低的可生產(chǎn)性。
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