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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 雙極

雙極步進(jìn)馬達加速和減速過(guò)程應用

  • 引言就 DC 馬達而言，通過(guò)升高電壓(如果使用脈寬調制，則增加占空比)，可以控制馬達傳動(dòng)軸達到某個(gè)指定速度的快慢。但是，如果是步進(jìn)馬達，則改變電壓不會(huì )對馬達速度產(chǎn)生任何影響。沒(méi)錯，改變電壓大小可以改變繞組電
  • 關(guān)鍵字： 雙極  步進(jìn)馬達  過(guò)程    

H型雙極模式PWM控制的功率轉換電路設計與分析

  • H型雙極模式PWM控制提高轉臺伺服系統低速特性的作用十分顯著(zhù)，而且簡(jiǎn)單易行。H型雙極模式PWM控制能夠提高伺服系統的低速特性，是因為H型雙極模式PWM控制的電動(dòng)機電樞回路中始終流過(guò)一個(gè)交變的電流，這個(gè)電流可以使電
  • 關(guān)鍵字： 轉換  電路設計  分析  功率  控制  模式  PWM  雙極  

如何處理高 di/dt 負載瞬態(tài)（上）

如何處理高di/dt負載瞬態(tài)（下）

  • 關(guān)鍵詞：電源、雙極、驅動(dòng)器、電源設計小貼士、電源管理、模擬、半導體、電源設計小貼士、Robert Kollman、德州儀器、TI在《如何處理高di/dt負載瞬態(tài)（上）》中，我們討論了電流快速變化時(shí)一些負載的電容旁路要求。我
  • 關(guān)鍵字： 雙極  驅動(dòng)器  電源  負載  處理  di/dt  如何  

GaAsSb雙異質(zhì)結雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

  • Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時(shí)fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
  • 關(guān)鍵字： DHBT  技術(shù)  集成電路  晶體管  異質(zhì)  雙極  GaAsSb  

電子輻照對開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

  • 中心議題： 開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)晶體管的損耗 開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)晶體管的電子輻照實(shí)驗 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
    功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  損耗  影響  雙極  功率  輻照  開(kāi)關(guān)電源  電子  

LME49810雙極輸入放大器應用電路圖

  • LME49810雙極輸入放大器應用電路圖LME49810是一款雙極輸入放大器，其輸入阻抗的匹配性相當重要。受來(lái)自正 ...
  • 關(guān)鍵字： LME49810  雙極  輸入  放大器  

雙極發(fā)射極跟隨器：具有雙通道反饋的RISO

  • 我們選擇用于分析具有雙通道反饋的RISO的雙極發(fā)射極跟隨器為OPA177，具體情況請參閱圖1。OPA177為一款低漂移、低輸入失調電壓運算放大器，其能在plusmn;3~plusmn;15V的電壓范圍內工作。
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H型雙極模式PWM控制的功率轉換電路設計

  • 　H型雙極模式PWM控制提高轉臺伺服系統低速特性的作用十分顯著(zhù)，而且簡(jiǎn)單易行。H型雙極模式PWM控制能夠提高伺服系統的低速特性，是因為H型雙極模式PWM控制的電動(dòng)機電樞回路中始終流過(guò)一個(gè)交變的電流，這個(gè)電流可以使
  • 關(guān)鍵字： 轉換  電路設計  功率  控制  模式  PWM  雙極  

基準電壓正負對稱(chēng)的雙極比較器

  • 電路的功能正負對稱(chēng)的雙極比較器可用于報警電路。本電路不是設定正負VREF，而是配置正、負跟蹤的基準電壓電路，所以設定的是正基準電壓值。電路工作原理比較器A1的輸入高于+VREF時(shí)，輸出“H”電平，A2的輸入大于-VRE
  • 關(guān)鍵字： 基準電壓  對稱(chēng)  比較器  雙極    

一種用于射頻和微波測試系統的GaAsSb雙異質(zhì)結雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

  • Abstract― 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時(shí)fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  集成電路  DHBT  技術(shù)  雙極  異質(zhì)  射頻  微波  測試系統  

高電流雙極步進(jìn)電機控制器電路

  • 高電流雙極步進(jìn)電機控制器電路,High current bipolar stepper motor controllerSpecifications
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    High Current Bipolar S
  • 關(guān)鍵字： 控制器  電路  電機  步進(jìn)  雙極  電流  

雙極變張角時(shí)域天線(xiàn)設計

  • 1 引言
    光電子技術(shù)、微波技術(shù)和激光技術(shù)的進(jìn)步和相互結合，產(chǎn)生能夠工作在時(shí)域的高速、高頻電子開(kāi)關(guān)器件－光導開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)具有良好的電磁學(xué)響應特性。在線(xiàn)性工作模式下的輸出波形近似為高斯脈沖?？疾鞄追N常見(jiàn)
  • 關(guān)鍵字： 雙極  時(shí)域  天線(xiàn)設計    

運算放大器電路的固有噪聲分析與測量(7)

  • 本文將討論決定運算放大器 (op amp) 固有噪聲的基本物理關(guān)系。
  • 關(guān)鍵字：   內部  寬帶  溫度  雙極  

CMOS帶隙基準電壓源的設計

  • 本文提出了一種基于0．35μm標準CMOS工藝的高性能帶隙基準電壓源的設計方法。...
  • 關(guān)鍵字： 抑制  偏置  電流  雙極  
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