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毛軍發(fā)院士：半導體異質(zhì)集成電路的現狀與挑戰

  • 在“2021世界半導體大會(huì )暨南京國際半導體博覽會(huì )”的“高峰論壇”上，中國科學(xué)院院士，上海交通大學(xué)黨委常委、副校長(cháng)毛軍發(fā)做了《半導體異質(zhì)集成電路》的報告，介紹了背景與意義，現狀與問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字： 202108  異質(zhì)  集成電路  

以異質(zhì)多核心平臺實(shí)現多媒體可攜應用

  • 以異質(zhì)多核心平臺實(shí)現多媒體可攜應用,不論是制作端、播放端或設備端，數字多媒體的應用已愈來(lái)愈多樣和廣泛，在技術(shù)上的努力都致力于達到隨時(shí)(Anytime)、隨地(Anywhere)、任何設備(Any device)和各種網(wǎng)絡(luò )(Any network)都能制作、播放數字多媒體的環(huán)境。這
  • 關(guān)鍵字： 多媒體  應用  實(shí)現  平臺  核心  異質(zhì)  

GaAsSb雙異質(zhì)結雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

  • Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時(shí)fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
  • 關(guān)鍵字： DHBT  技術(shù)  集成電路  晶體管  異質(zhì)  雙極  GaAsSb  

一種用于射頻和微波測試系統的GaAsSb雙異質(zhì)結雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

  • Abstract― 一種用于射頻和微波測試系統的高性能GaAsSb基區，InP集電區 DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時(shí)fT 和 fmax分別達到了 185 GHz and 220 GHz，JC = 1.3
  • 關(guān)鍵字： 晶體管  集成電路  DHBT  技術(shù)  雙極  異質(zhì)  射頻  微波  測試系統  
共4條 1/1 1

異質(zhì)介紹

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