基于SoC方案的智能電表時(shí)鐘校準

　　該諧振器具有串聯(lián)諧振頻率f_q和并聯(lián)諧振頻率f_p兩個(gè)諧振頻率，分別為：
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　　單片機振蕩電路除了晶體振蕩器之外還包括放大器^[3]，如圖4所示，兩者形成閉環(huán)，晶體起到選頻反饋作用，放大器輸入阻抗較大。為達到匹配效果，晶振工作在并聯(lián)諧振狀態(tài)下，并聯(lián)電容C₀對頻率響應有較大影響，通過(guò)在外圍增加旁路電容C_L，減小電容C₀對并聯(lián)諧振頻率的影響，并聯(lián)電容后諧振頻率變?yōu)?
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　　由式(4)還可以看出晶體的并聯(lián)諧振頻率隨著(zhù)負載電容的變化會(huì )產(chǎn)生微小變化，可以通過(guò)改變負載電容的大小抵消晶體頻率隨溫度的偏移^[4]，這就是電容補償時(shí)鐘精度的基本原理，修調靈敏度S用來(lái)表示晶體的中心頻率與負載電容C_L的關(guān)系：
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　　修調靈敏度與負載電容C_L有關(guān)，C_L越大修調靈敏度越小，如果希望得到一個(gè)相對穩定的頻率信號，需要一個(gè)大的C_L值;如果希望得到一個(gè)頻率可變的振蕩器，需要一個(gè)相對較小的C_L值^[5]。所以C_L需要控制在一定范圍內，同時(shí)保證頻率精度和工作穩定性。

　　數字補償

　　電容補償的優(yōu)勢在于精細，可以實(shí)現步距小于±1ppm的校準，實(shí)現精確微調，但為保證晶振起振和穩定運行，旁路電容的大小有一定限制，電容補償的偏差范圍通常限定在±40ppm范圍內，為增加補償量，需要采用數字補償的方式。電表輸出的秒脈沖是通過(guò)一個(gè)計數器對32.768kHz時(shí)鐘計數，計數值滿(mǎn)32768時(shí)溢出，計為一個(gè)秒周期。如將計數器溢出值改為32769，則秒周期改變量為:
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　　因此通過(guò)改變計數器溢出值即可獲得30.5ppm整數倍的頻率補償量。

　　補償數據計算

　　為實(shí)現晶體振蕩器全溫度范圍內輸出精確頻率，需要通過(guò)調節負載電容和數據補償寄存器，獲得一定頻率補償量?f_cal ，保證其與晶體在這一溫度下的振蕩偏移值大小相等符號相反，即?f_cal=-?f 。為實(shí)現調節負載電容大小的目的，單片機中設計了11位的電容控制寄存器，用以控制11個(gè)并聯(lián)電容的通斷，其中第n顆電容的大小為：
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　　通過(guò)對相應寄存器的bit位置1或0，實(shí)現相應位置的電容與晶振并聯(lián)或斷開(kāi)，達到改變負載電容大小的目的，電容并聯(lián)后的值：
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　　其中b_n為寄存器相應bit位的值，D_reg為寄存器值。

　　通過(guò)單片機自帶的溫度傳感器，可以獲得當前晶振溫度，利用式1計算出晶體振蕩的偏差?f，通過(guò)修改負載電容補償頻率偏差，為此需要建立電容與頻率改變之間的關(guān)系，圖5顯示了電容與頻率改變量的關(guān)系，橫軸為并聯(lián)電容值，縱軸為頻率改變量?！　?/p>

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