Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
—— 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術(shù)，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實(shí)現低FOM和高功率密度
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級結技術(shù)，針對可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費和計算市場(chǎng)中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標?！ ?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/146033.htm
新推出的器件使E系列的器件總數達到26個(gè)。所有E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實(shí)現極低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗，可在功率因數校正、服務(wù)器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體制造設備、適配器和太陽(yáng)能逆變器等高功率、高性能開(kāi)關(guān)電源中節省能源。
器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設計，通過(guò)100%的UIS測試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。
器件規格表：
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