聯(lián)電：20nm不會(huì )成主流 28nm后直接跳14nm

　　近日消息，聯(lián)電召開(kāi)法說(shuō)會(huì )，關(guān)于外界關(guān)注的先進(jìn)制程進(jìn)度，即使28nm之 路仍顛簸，而老大哥臺積電20nm制程量產(chǎn)在即，但聯(lián)電執行長(cháng)顏博文仍表示，他認為28nm制程會(huì )是一個(gè)“強勁、且生命周期長(cháng)"(strong, and long-life node)的制程，至于20nm制程則不會(huì )成為主流制程(weak node)。他強調，聯(lián)電在28nm制程過(guò)后，下一個(gè)制程很可能直接跳過(guò)20nm、往14nm走。

　　顏博文指出，對20nm制程而言，最大的變數并不是技術(shù)難以做到，而是雙層投影(double patterning)的成本太高，因此他不認為客戶(hù)對20nm未來(lái)需求會(huì )很強勁。他表示，蘋(píng)果對20nm的需求是個(gè)例外，對多數客戶(hù)來(lái)說(shuō)，20nm制程 可能還是不符合成本效益，因此聯(lián)電即使會(huì )有20nmSoC的產(chǎn)品，但也會(huì )配合客戶(hù)的需求來(lái)小量的推。

　　而在28nm制程之后，顏博文也擘劃出下一步的先進(jìn)制程藍圖，預估聯(lián)電將于明年Q3進(jìn)行14nm的tape-out(設計定案)，并預計于2015年試產(chǎn)14nm制程。

　　顏博文表示，目前對28nm的營(yíng)運目標不變，仍以在今年底前占總體營(yíng)收低個(gè)位數百分點(diǎn)為目標。而相較于28nm，聯(lián)電顯然還是較看好40nm和特殊 制程今年的動(dòng)能。顏博文強調，他看好在40nm制程聯(lián)電還有很大的成長(cháng)空間，而聯(lián)電的40nm市占率也將持續提升。他指出，近期聯(lián)電和快閃記憶體解決方案 領(lǐng)導廠(chǎng)商Spansion展開(kāi)的40nm制程研發(fā)合作即是一個(gè)實(shí)例。

　　關(guān)于今年Q1聯(lián)電40nm制程營(yíng)收占比雖從去年Q4的15%升至18%，但65/55nm的營(yíng)收占比卻從40%大降至32%，對此顏博文說(shuō)明，一方面固然是65nm需求較差，不過(guò)聯(lián)電持續將機臺從65nm朝40nm轉移也是主因。

　　至于現場(chǎng)有人提問(wèn)，指出根據研調機構IC Insights的數據，聯(lián)電已落至全球晶圓代工的第四名，對此顏博文回應，根據聯(lián)電自己的估算，若僅就真正從wafer sales所得到的營(yíng)收，聯(lián)電仍居第二、三星居第三、格羅方德則是第四。

　　值得注意的是，聯(lián)電財務(wù)長(cháng)劉啟東也預告，此次將是聯(lián)電最后一次的現場(chǎng)法說(shuō)會(huì )，下一次于8月初舉行的法說(shuō)，將采線(xiàn)上法說(shuō)的形式進(jìn)行。