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AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

—— DFN5*6封裝 極低導通內阻,超強開(kāi)關(guān)性能實(shí)現更高功率密度
作者: 時(shí)間:2013-05-10 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  萬(wàn)國半導體()發(fā)布了旗下最新150V 器件: 。該器件作為 AlphaMOS™ (?MOS™)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。適用于通信及工業(yè)電源DC/DC轉換器原邊開(kāi)關(guān)、AC/DC及DC/DC轉換器副邊同步整流,太陽(yáng)能微逆變器,以及通信系統中的負載點(diǎn)模塊(POL)。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/145196.htm

  采用先進(jìn)的AlphaMOS™技術(shù),實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的低導通內阻和高速開(kāi)關(guān)性能。該產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比,內阻降低了57%;與市場(chǎng)上現有最先進(jìn)的同類(lèi)型150V器件相比,內阻降低了8% ,除此之外, AON6250的優(yōu)值(RDS(ON) * COSS)也是市場(chǎng)上最好的,從而可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗。因此無(wú)論是輕載條件還是重載條件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝,符合綠色環(huán)保產(chǎn)品相關(guān)規定,且電氣性能方面100%經(jīng)過(guò)柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試。繼AON6250之后,萬(wàn)國半導體()將發(fā)布一系列150V 產(chǎn)品。.

  “終端客戶(hù)總是要求電源系統輸出更高功率并且占用更小的空間,這讓電源設計工程們面臨嚴峻考驗” , AOS高級產(chǎn)品經(jīng)理Stephen表示, “實(shí)現其功率密度,需要器件具有極低的導通內阻以及良好的開(kāi)關(guān)性能,AON6250正好可以滿(mǎn)足工程師的需求。.”  

 

  AON6250 技術(shù)優(yōu)勢:

  150V N-channel in a DFN5x6 package
  RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業(yè)內最低內阻)
  COSS = 213 pF typ
  Qg (10V) = 30.5 nC typ
  業(yè)內最低 RDS(ON) * COSS (優(yōu)值, 可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗)
  100%經(jīng)過(guò)柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試



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