產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話(huà)閃存與移動(dòng)技術(shù)的世紀交鋒

　　二、 Nand Flash與DRAM技術(shù)未來(lái)將如何發(fā)展?　　

 　　如今半導體技術(shù)飛速發(fā)展，作為存儲中堅的NAND Flash和DRAM技術(shù)未來(lái)將如何發(fā)展?NAND Flash發(fā)明者東芝半導體技術(shù)統括部存儲應用技術(shù)經(jīng)理康敏宣獨家披露了未來(lái)發(fā)展戰略。

　　首先他認為NAND Flash未來(lái)的應用領(lǐng)域將更加拓廣，“估計今年的NANDFlash總需求量會(huì )達到600億GB。”他指出，“除了在手機平板超極本領(lǐng)域應用外，汽車(chē)電子、服務(wù)器的應用也很大。”

　　他表示東芝的策略是不斷開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)來(lái)提升產(chǎn)能，緩解供應壓力。如東芝是第一家推出19nm產(chǎn)品的公司，“未來(lái)，隨著(zhù)工藝技術(shù)發(fā)展，東芝的發(fā)展方向是兩個(gè)，一個(gè)是大容量存儲，如19nm工藝產(chǎn)品，不過(guò)這個(gè)往下發(fā)展難度很大，所以，東芝會(huì )在明后年推出POST-NAND的產(chǎn)品，也就是3D NAND產(chǎn)品，接下來(lái)是POST-POST NAND。另個(gè)方向是東芝會(huì )投資發(fā)展磁阻內存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術(shù)， 它將替代現在的DRAM，磁阻內存和DRAM內存采用了完全不同的原理。DRAM內存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來(lái)進(jìn)行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內容不丟。而磁阻內存的存儲原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個(gè)非磁金屬層或絕緣層來(lái)夾持一個(gè)金屬導體的結構。通過(guò)改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻就會(huì )發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過(guò)它的電流就會(huì )變小，反之亦然。

　　他最看好的明星產(chǎn)品是自旋扭矩轉換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現在手機中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題，而且它的讀寫(xiě)速度非?？?，而且理論上它的讀寫(xiě)刷新是無(wú)限的，所以我們非?？春眠@款產(chǎn)品，我們希望用MRAM代替現在的DRAM。”他指出。

　　另外他特別強調東芝的所有NAND Flash產(chǎn)品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠(chǎng)生產(chǎn)，以確保向市場(chǎng)提供可靠穩定的產(chǎn)品。

　　三、 智能手機如何差異創(chuàng )新?　　

 

　　目前，智能手機市場(chǎng)火爆但智能機同質(zhì)化日益嚴重，如何差異化創(chuàng )新?博通公司銷(xiāo)售總監羅旭杰認為，創(chuàng )新就是要給用戶(hù)更好的用戶(hù)體驗，博通公司認為用戶(hù)體驗來(lái)自幾個(gè)方面，一是在WIFI方面如何更快更可靠更穩定，二是如何共享流媒體，三是給用戶(hù)更快的手機上網(wǎng)體驗。“從2012到2017年，數據增長(cháng)非?？?，有13倍之多，其中多數是視頻增長(cháng)，未來(lái)在視頻方面大家會(huì )分享的更多，因此，5G WiFi技術(shù)會(huì )非常熱門(mén)。”他指出“5G頻段可以提供更高的性能，也可以連接更多的設備，覆蓋范圍也會(huì )增大。”，

　　另外他認為NFC技術(shù)也會(huì )激發(fā)更多創(chuàng )新應用，例如一些輕觸即用(Tap play)的技術(shù)，可以方便地把智能設備連接起來(lái)?！　?/p>

 

　　他認為4G LTE技術(shù)會(huì )很快應用，因此，博通利用高集成的優(yōu)勢推出針對4G的方案，例如BCM21982，它支持五模20個(gè)頻帶，不但集成了WIFI藍牙還集成了電源管理和射頻電路，此外體積還縮小了30%!