瑞薩發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門(mén)極晶體管全新光電耦合器

　　全球領(lǐng)先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會(huì )社(TSE：6723)日前宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門(mén)極晶體管(IGBT)保護功能的全新光電耦合器：PS9332L 和 PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機械和太陽(yáng)能系統等應用條件?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/141796.htm

 

　　最新的 PS9332L 和 PS9332L2 擁有集成式的有源米勒鉗位電路，可防止IGBT出現故障，還可在具有IGBT保護功能的IGBT驅動(dòng)光電耦合器之間以世界頂級的超高速度進(jìn)行開(kāi)關(guān)(比傳統的瑞薩電子產(chǎn)品速度快20%)，此外，還擁有緊湊的8針SDIP(小型雙列直插封裝)，并可保證在高溫條件下正常工作。這兩款光電耦合器可用于電機控制逆變電路中IGBT設備的柵極驅動(dòng)等用途。

　　在電壓相對較高時(shí)，我們通常使用耦合器等絕緣設備保護逆變之類(lèi)的電路。

　　而光電耦合器則可將一個(gè)發(fā)光二級管(LED)和一個(gè)光檢器結合到一個(gè)封裝中，由輸入側的發(fā)光二級管將電信號轉換成光信號，再由輸出側的光檢器將光信號轉換成電信號。輸入側和輸出側之間處于電絕緣狀態(tài)，信號在兩者之間的傳遞都是以光的形式進(jìn)行的。光電耦合器的類(lèi)型包括通用型光電耦合器(晶體管輸出)，主要用于供電等用途，以及IGBT驅動(dòng)光電耦合器，主要用于太陽(yáng)能發(fā)電機或通用逆變器等應用條件的IGBT設備柵極驅動(dòng)。

　　最新的PS9332L 和 PS9332L2均屬于IGBT光電耦合器，其構成包括用作發(fā)光二級管的砷鋁化鎵(GaAIAs)LED，以及光檢器IC和IGBT保護電路。其可在驅動(dòng)IGBT設備柵極的同時(shí)，提供全面的保護功能(有源米勒鉗位)，防止因IGBT故障造成設備毀壞。在傳統的系統中，這一保護功能必須通過(guò)外部元件來(lái)實(shí)現，因此會(huì )造成系統設計過(guò)于復雜，難以做到微型化。而全新的PS9330L和PS9332L2則可以徹底解決這一難題。

　　新型光電耦合器PS9332L和PS9332L2的主要功能特性：

• (1) 片上有源米勒鉗位電路，可防止IGBT故障

　　在連接到光電耦合器上的IGBT關(guān)閉時(shí)，集電極和柵極之間的電流(米勒電流)會(huì )造成柵電壓，從而導致故障。而所集成的有源米勒鉗位電路可減少接地的柵極電荷，從而抑制柵電壓上升，防止故障的發(fā)生。通過(guò)將保護電路集成到光電耦合器，可大大簡(jiǎn)化系統設計，使得整體系統能夠更加緊湊小巧。

• (2)最高水平的開(kāi)關(guān)速度(比傳統瑞薩電子產(chǎn)品快20%)

　　光檢器IC使用瑞薩電子專(zhuān)有的BiCMOS工藝，可降低寄生電容，縮短延時(shí)(tPHL、tPLH ≤ 200 ns，相比早期同類(lèi)產(chǎn)品縮短20%)，并減少電路所消耗的電流(Icc ≤ 2.5 mA)。這樣一來(lái)，就可制造出更加精確、能耗更低的逆變控制電路。此外，電路極低的電流消耗量使驅動(dòng)IGBT的系統所需的供電水平更低。

• (3) 緊湊的8針SDIP封裝

　　盡管其中包含了集成的有源米勒鉗位功能，光檢器芯片的尺寸卻與先前同類(lèi)產(chǎn)品完全相同，從而可以采用緊湊型的8針SDIP封裝。這樣一來(lái)，相比8針DIP封裝就可節省40%的安裝面積，讓客戶(hù)可以打造出更加小巧緊湊的系統。

　　該封裝可提供兩種不同的引線(xiàn)框。PS9332L可提供7mm外部爬電，PS9332L2則提供8mm外部爬電。

• (4) 保證在高溫環(huán)境下的正常工作

　　產(chǎn)品所用材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在高溫條件下工作，最高可承受的工作環(huán)境溫度為125攝氏度，從而可有效簡(jiǎn)化在高溫環(huán)境中工作的系統的散熱設計。

　　瑞薩電子相信，全新的PS9332L和PS9332L2將大幅簡(jiǎn)化逆變系統的開(kāi)發(fā)，并讓其達到更高的緊湊性水平，預計其未來(lái)市場(chǎng)將大幅擴大。在積極展開(kāi)銷(xiāo)售推廣的同時(shí)，瑞薩電子還將繼續開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，以滿(mǎn)足客戶(hù)對高溫、高速和高輸出的嚴格要求。

　　將新產(chǎn)品與瑞薩電子的IGBT結合使用，可將開(kāi)關(guān)時(shí)的截止時(shí)間縮短約10%(相比傳統的瑞薩電子產(chǎn)品)，并可有效提高功率效率。此外，瑞薩電子還將通過(guò)功率調節器和使用MCU的逆變配套解決方案等設備專(zhuān)用的基準板擴大對客戶(hù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的支持。