DRAM現貨市場(chǎng)買(mǎi)氣熱絡(luò ) 合約價(jià)呈上漲格局

　　根據全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調查顯示，繼11月下旬DRAM合約價(jià)格小跌3.17%，受到現貨價(jià)格的激勵，12月上旬的模組價(jià)格亦同步呈現上揚走勢，4GB均價(jià)回到US$15.5水位，小漲1.64%;2GB模組均價(jià)同樣受惠，回到US$8.9水位，漲幅同樣有1.71%。觀(guān)察此波上漲趨勢，雖然幅度仍小，但在需求端持續低迷的情況下還能夠止住跌勢，足以顯示PCOEM端在歷經(jīng)漫長(cháng)的庫存調節之后總算回到相對健康的水位，買(mǎi)貨意愿亦逐步提高。在供給端方面，目前正是各家DRAM廠(chǎng)執行制程轉進(jìn)的時(shí)間點(diǎn)，兩家韓系廠(chǎng)由原先供貨的3X奈米逐步轉往生產(chǎn)難度更高的2X奈米制程，美系廠(chǎng)美光亦逐步拉高3X奈米的生產(chǎn)數量，現在正處于新舊制程世代交替的銜接點(diǎn)，現貨市場(chǎng)還能看到某些品項顆粒供貨吃緊，帶動(dòng)價(jià)格往上攀升。

　　今年以來(lái)受到DRAM持續供過(guò)于求的影響，現貨市場(chǎng)2Gb顆粒單價(jià)普遍呈現跌勢，甚至在10月下旬最低點(diǎn)來(lái)到US$0.817美元，直到12月開(kāi)始起漲，至今與最低點(diǎn)相較已經(jīng)呈現超過(guò)15%的漲幅。對合約市場(chǎng)而言，現貨價(jià)格仍具領(lǐng)先指針，再加上9月份各廠(chǎng)的減產(chǎn)效應陸續發(fā)酵，同時(shí)將生產(chǎn)的重心移向行動(dòng)式內存，TrendForce預估減產(chǎn)持續進(jìn)行前提下，供需間的產(chǎn)量將逐步趨近平衡，標準型內存持續了半年以上的跌勢可望暫時(shí)休止。

　　2013年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出大減兩成，制程轉進(jìn)速度放緩趨勢確立

　　由于DRAM產(chǎn)業(yè)連年供過(guò)于求使得此產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為”燒錢(qián)事業(yè)”代名詞，近期廠(chǎng)商擴大產(chǎn)能與制程微縮，雖然可進(jìn)一步降低成本，但由于競爭仍然激烈，廠(chǎng)商能夠獲利的機會(huì )有限，每年巨額的資本支出就像是雙面刃，一方面若是縮減投資金額恐造成成本競爭力的不足，但若是過(guò)度投資，除了現金流的壓力以外，亦極有可能導致市場(chǎng)的供給過(guò)剩，造成先前投資無(wú)法回收。2012年由于需求面受到個(gè)人計算機出貨持續萎縮的影響，大部分DRAM廠(chǎng)都面臨財務(wù)虧損窘境，除了調整產(chǎn)品組合以外，競爭力較低的廠(chǎng)商為了保存手頭上僅有的營(yíng)運現金，多以逐步減產(chǎn)來(lái)做為因應之道。

　　對于2013年的資本支出計劃，再度縮減投資金額已獲得業(yè)界共識。以產(chǎn)業(yè)龍頭三星半導體為例，由于垂直整合策略產(chǎn)生良好綜效，成為今年度唯一獲利的DRAM廠(chǎng)商，為了要對市況做出最好的反應，過(guò)去三星總是在其他廠(chǎng)商縮手投資金額時(shí)逆向大增資本支出，今年卻一反常態(tài)，除了進(jìn)一步將PCDRAM生產(chǎn)轉向MobileDRAM之外，同時(shí)也宣布將大幅縮減明年的資本支出，預估與今年相較減幅達48%，總金額僅有1.1億美元為歷年來(lái)最低。

　　其他DRAM廠(chǎng)亦在明年紛紛下修資本支出，根據TrendForce的調查，2013年整體DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出與2012年相較再度呈現21%的減幅，此舉將影響制程轉進(jìn)的進(jìn)度，3X奈米制程仍是2013年的主流，相較于過(guò)往一年可見(jiàn)2個(gè)世代制程的交替已不復見(jiàn)，制程轉進(jìn)速度趨緩已是產(chǎn)業(yè)心照不宣的共識。由于DRAM產(chǎn)業(yè)的獲利模式受到需求端劇烈變化而產(chǎn)生結構性的改變，唯有供給端提出更有彈性的調整策略來(lái)因應，否則將很快面臨淘汰的命運。