飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

　　提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設計人員的主要考慮問(wèn)題。此外，這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設計中的同步整流需要具有高性?xún)r(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線(xiàn)路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)擴展PowerTrench^® MOSFET系列來(lái)幫助設計人員應對電源設計挑戰。

　　這些產(chǎn)品屬于中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列成員，是結合低柵極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極管的優(yōu)化功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，可以實(shí)現快速開(kāi)關(guān)。這些器件備有40V、60V和80V額定電壓型款，由于采用優(yōu)化的軟反向恢復體二極管，減少了緩沖器電路的功耗，與競爭解決方案相比，可將電壓尖刺減少多達15%。

　　這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結構，從而達到較高的功率密度、較低的振鈴和更好的輕載效率。通過(guò)使用這項技術(shù)，新器件獲得了較低的品質(zhì)因數(QG × RDS(ON))，同時(shí)降低驅動(dòng)損耗來(lái)提高功率效率。

　　這一系列的首批器件包括采用Power56封裝的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引腳封裝的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件?！　?/p>

　　特性和優(yōu)勢

• 較小的封裝尺寸(Power56和TO-220 3引腳封裝)，具有最大的熱性能/系統尺寸比
• 較低的QG以降低柵極驅動(dòng)損耗
• 低QGD/QGS比，防止不必要的誤導通，提高系統可靠性
• 低動(dòng)態(tài)寄生電容，減少高頻應用的柵極驅動(dòng)損耗
• 100% UIL測試
• 滿(mǎn)足RoHS要求

　　新增的PowerTrench® MOSFET器件豐富了飛兆半導體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿(mǎn)足現今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實(shí)現更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。