我國存儲器行業(yè)面臨的形勢與機遇

　　1、發(fā)展形勢

　　傳統結構DRAM、Flash需要設計和制造技術(shù)緊密配合，已形成少數大型IDM公司壟斷的局面，在主流分立產(chǎn)品上我國正面切入的難度相當大。

　　目前，國內外客戶(hù)對高速SRAM的需求量越來(lái)越大，其主要應用包括USB3.0、甚高速數字用戶(hù)環(huán)路(VDSL)、 機頂盒(STB)和基帶(Baseband)等。但高速SRAM IP和低功耗SRAM IP絕大部分由歐美公司提供，許可費用昂貴。

　　2、主要挑戰

　　目前，我國企業(yè)在產(chǎn)品推廣中遇到的挑戰主要在市場(chǎng)端。由于國內缺少制造和封裝測試環(huán)節，晶圓以及封裝測試都需要外包，因此造成產(chǎn)量小，成本居高不下。雖然在高端市場(chǎng)(服務(wù)器、工業(yè)級應用)贏(yíng)得一定的客戶(hù)，但市場(chǎng)容量小，不易形成規模;在中低端市場(chǎng)(平板電腦,機頂盒)有大量客戶(hù)，對成本很敏感，雖然形成了相對的量，但面臨國際大廠(chǎng)激烈競爭，推廣難，毛利低。我國企業(yè)作為市場(chǎng)中的后進(jìn)入者，還未打開(kāi)知名度，需要拿高品質(zhì)的產(chǎn)品到價(jià)格敏感的消費市場(chǎng)打拼;對一些高端客戶(hù)，作為新公司、新品牌，必然受到很多挑戰。如何不斷降低產(chǎn)品成本以提升產(chǎn)品的綜合競爭力是遇到的主要困難。

　　如今半導體市場(chǎng)的推動(dòng)力已經(jīng)由PC轉向消費電子產(chǎn)品。PC過(guò)去基本是企業(yè)采購、單位采購。因此從企業(yè)角度說(shuō)，對計算機只要滿(mǎn)足使用要求，它并不會(huì )對計算機提出不斷升級內存要求。而對于消費電子產(chǎn)品，手機、MP3/MP4、平板電腦、電視機、音響、都屬于個(gè)人或家庭消費，對產(chǎn)品的要求越來(lái)越嚴格、價(jià)格也是越來(lái)越低。如果芯片價(jià)格不降低，質(zhì)量要求不嚴格，就很難賣(mài)出去，這實(shí)際上也是工業(yè)的推動(dòng)力發(fā)生了轉變。

　　3、發(fā)展機遇

　　(1)對于低次代應用，發(fā)揮我們貼近市場(chǎng)和服務(wù)支持的優(yōu)勢，芯片設計加制造的模式是有一定機會(huì )的，但需強化存儲器芯片制造技術(shù);

　　(2)SRAM與“宿主”關(guān)系密切，結合高端芯片的研發(fā)，從設計技術(shù)的角度開(kāi)發(fā)并優(yōu)化嵌入式SRAM IP是一個(gè)不錯的切入點(diǎn);

　　(3)新型存儲器在未來(lái)5-10年當中可能成長(cháng)為與Flash并駕齊驅的主流技術(shù)之一，甚至有可能成為“Universal Memory”，我們應該抓住這個(gè)難得的技術(shù)路線(xiàn)轉移的機會(huì )，部署新型存儲器的研發(fā)。

　　(4)SRAM由于讀寫(xiě)速度的提升和存儲空間的增大，其功耗在芯片功耗中所占的比重越來(lái)越高。在SoC芯片中，位于數據通路關(guān)鍵路徑上的SRAM訪(fǎng)問(wèn)速度直接制約芯片系統速度，其密度也直接影響芯片的面積和成本，而這依賴(lài)于先進(jìn)的設計技術(shù)和精致的物理實(shí)現技術(shù)。SRAM成了制約SoC速度(頻率)和功耗、面積的嚴重瓶頸。因此，定制關(guān)鍵路徑上的高速低功耗高密度SRAM非常有利于SoC芯片性能的整體提高，功耗的降低和成本的減少。

　　國際上高端CPU及SoC芯片公司(如IBM、Intel、AMD、SUN)都有自己的SRAM設計團隊和設計能力。市場(chǎng)上銷(xiāo)售的SRAM編譯器(如Foundry提供的)只能滿(mǎn)足中低端需要，速度慢于高端SoC芯片和CPU公司的SRAM 50%，面積大且成本高。因此，采用自主的專(zhuān)利技術(shù)和可配置的高速低功耗高密度SRAM及編譯器，設計高性能SRAM高速總線(xiàn)接口和高速緩存接口，提高SoC芯片性能，降低功耗和面積成本，對提高國產(chǎn)中高端SoC芯片的競爭力十分必要。