存儲器各領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)狀況

　　1、 NAND flash

　　市場(chǎng)最大，接下來(lái)幾年增長(cháng)速度會(huì )最快，但是在中國目前沒(méi)有投入設計和制造;做存儲卡的小公司很多，但均是直接購買(mǎi)國外存儲芯片來(lái)組裝為成品。

　　2、DRAM

　　市場(chǎng)份額很大，與CPU 并列為計算機兩大核心芯片。

　　在DRAM芯片設計開(kāi)發(fā)方面，原奇夢(mèng)達在西安建有中國研發(fā)中心，可從事DRAM完整的設計測試開(kāi)發(fā)，金融危機后，被山東華芯半導體收購并更名為西安華芯半導體，繼續從事存儲器的開(kāi)發(fā)。另外，美光在上海建有中國研發(fā)中心(獨資)，從事DRAM和NOR flash的設計。

　　在DRAM芯片制造方面， 90年代末通過(guò)909工程引進(jìn)NEC工藝技術(shù)，接近世界水平生產(chǎn)DRAM，后來(lái)不再生產(chǎn)。2000年后，中芯國際引進(jìn)日本爾必達和德國奇夢(mèng)達的DRAM工藝進(jìn)行代工，技術(shù)到80nm接近世界水平，同時(shí)建有自己的低端DRAM的封裝測試廠(chǎng)。受到金融危機的影響后，中芯國際放棄DRAM生產(chǎn)。另一方面，韓國海力士2005年落戶(hù)無(wú)錫，經(jīng)過(guò)六年發(fā)展，從早期的90nm發(fā)展到80nm、66nm及現在的44nm工藝技術(shù)。產(chǎn)能據說(shuō)已經(jīng)發(fā)展到每月18萬(wàn)片，占到海力士全球產(chǎn)能的近一半，技術(shù)也可能發(fā)展到38nm,從技術(shù)和規模上均為世界水平。但是該廠(chǎng)為海力士獨資，不對外合作。

　　在DRAM芯片封裝測試方面，美光在西安2006年開(kāi)始建立有先進(jìn)的大規模后端廠(chǎng)，目前僅做測試和模組制造。原奇夢(mèng)達在蘇州工業(yè)園區建有大規模的后端廠(chǎng)，后被蘇州政府接管，更名為智瑞達，仍然從事DRAM為主的封裝測試。

　　目前中國的DRAM在各環(huán)節上均有涉及，但沒(méi)有形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈，核心的芯片制造環(huán)節為韓國獨資,至今沒(méi)有自己的DRAM工藝和晶圓制造廠(chǎng)。就目前來(lái)看，國內的DRAM產(chǎn)品在整個(gè)國際市場(chǎng)上處于非常弱小的地位。

　　3、NOR flash 和 EEPROM

　　市場(chǎng)份額較小，中國目前主要有兩家公司從事基于中芯國際90nm的小容量的NOR flash，分別是北京兆易創(chuàng )新科技有限公司(原北京芯技佳易微電子科技有限公司)和鎮江隆智半導體有限公司，且均為設計公司。華虹有基于自己工藝的EEPROM的產(chǎn)品。以上公司的產(chǎn)品在國內均有銷(xiāo)售，但在整個(gè)國際市場(chǎng)所占的份額極小。

　　從制造工藝看，中芯國際除了基于90nm NOR flash, 同時(shí)在武漢的新芯擁有飛索(Spansion)的65nm MirroBit(電荷捕獲)工藝技術(shù)，目前僅能給飛索提供代工服務(wù)，兩家公司已經(jīng)達成協(xié)議，開(kāi)始擴展到45nm 技術(shù)。每月產(chǎn)能大月3000片-5000片12寸晶圓。

　　4、SRAM

　　市場(chǎng)最小，目前主要應用于通訊類(lèi)和極少數消費類(lèi)，如華為、中興等。在中國有很少幾個(gè)基于老工藝做特殊SRAM芯片設計開(kāi)發(fā)的研究所，但沒(méi)有商業(yè)銷(xiāo)售。國內對SRAM的需求均是直接購買(mǎi)國外芯片。

　　5、新型存儲器

　　市場(chǎng)尚未開(kāi)啟，國內各大高校及研究機構均處于研究階段。值得關(guān)注的是，北京時(shí)代全芯公司已經(jīng)設計完成第一批基于相變存儲器的產(chǎn)品芯片，成為中國第一家取得高密度相變存儲器芯片的公司。 目前，公司已經(jīng)成功設計了兩顆完整的產(chǎn)品芯片(256Mb的LPDDR2和32Mb的SPI 芯片)，并設計了一個(gè)16Mb的嵌入式相變存儲器的宏模塊。