IC觀(guān)察：模式之爭 讓數據來(lái)說(shuō)話(huà)

　　3D已經(jīng)成為半導體微細加工技術(shù)到達物理極限之后的必然趨勢，目前正處于3D工藝的探索期。

　　在這一過(guò)程中，以及今后在實(shí)現3D工藝的發(fā)展趨勢中，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式到底如何演義，會(huì )不會(huì )成為Fabless+Foundry這種發(fā)展模式的終結?可能最有發(fā)言權的還是那些身處產(chǎn)業(yè)前沿的一線(xiàn)公司的高管們。

　　不過(guò)，我們可以從對宏觀(guān)數據的分析中獲得對大趨勢判斷的一些基本方法。如果在今后的銷(xiāo)售額統計數據中，以Intel為代表的IDM陣營(yíng)銷(xiāo)售額增長(cháng)快于以臺積電為代表的Foundry陣營(yíng)，或者IDM陣營(yíng)的銷(xiāo)售額增長(cháng)快于以高通、ARM為代表的Febless陣營(yíng)，則表明IDM模式暫時(shí)勝出。

　　即使IDM模式勝出也只能算是暫時(shí)的，因為3D工藝終將會(huì )走向成熟，過(guò)了目前的探索發(fā)展期后，還會(huì )是Fabless+Foundry模式勝出的。那時(shí)，Foundry廠(chǎng)家將能夠向Fabless公司提供更加穩定的工藝參數。

　　這次的3D工藝探索期，在時(shí)間跨度上可能比上世紀70年代平面半導體工藝的探索期要短很多，畢竟今天的計算機和軟件科技水平已經(jīng)達到了一個(gè)新高度，這有助于縮短3D工藝的探索期和過(guò)渡期。

　　產(chǎn)業(yè)實(shí)際發(fā)展很可能出現這種情況：在這次3D技術(shù)跨越中，平面工藝也同時(shí)并行向前發(fā)展，兩者并存一段很長(cháng)的時(shí)期。因此，有可能出現即使在3D探索期，IDM模式也難于勝出的可能性，因為Fabless公司完全可以憑借現有的平面工藝來(lái)進(jìn)行新應用設計，在3D工藝不成熟前繼續進(jìn)行平面工藝Foundry委托加工，一旦Foundry工廠(chǎng)有了成熟的3D工藝，則可以及時(shí)地用“零時(shí)間跨度”的方式轉到3D工藝委托加工方面。這樣在宏觀(guān)銷(xiāo)售統計數據中，將很有可能看不到IDM陣營(yíng)明顯高出Fabless陣營(yíng)和Foundry陣營(yíng)的情況。

　　當然，后續如何演義，只有用兩大陣營(yíng)的統計數據來(lái)說(shuō)話(huà)了。