飛兆推出一款低側高雙功率芯片非對稱(chēng)N溝道模塊

        隨著(zhù)功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著(zhù)在較小的線(xiàn)路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱(chēng)N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統挑戰?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/132298.htm

　　FDPC8011S專(zhuān)為更高的開(kāi)關(guān)頻率的應用而開(kāi)發(fā)，在一個(gè)采用全Clip封裝內集成1.4m? SyncFET 技術(shù)和一個(gè)5.4m?控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應用中的電容數量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側MOSFET可以實(shí)現簡(jiǎn)單的布局和布線(xiàn)，提供更緊湊的線(xiàn)路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過(guò)25A的輸出電流，與其它普通3x3mm² 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。

　　特性和優(yōu)勢

• 控制N溝道MOSFET R^_DS(ON) = 5.4m? 典型值，(最大7.3m?) V^_GS = 4.5V
• 同步N溝道MOSFET R^_DS(ON) = 1.4m? 典型值，(最大2.1m? ) V^_GS = 4.5V
• 低電感封裝縮短上升/下降時(shí)間，實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)損耗
• MOSFET集成實(shí)現最佳布局，降低線(xiàn)路電感并減少開(kāi)關(guān)節點(diǎn)振鈴
• 滿(mǎn)足RoHS要求

　　新增3.3x3.3mm² Power Clip 非對稱(chēng)雙 MOSFET是飛兆半導體齊全的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠為電源設計人員提供了大量針對任務(wù)關(guān)鍵性高效信息處理設計的解決方案。