世界半導體技術(shù)的發(fā)展大趨勢

　　IBM半導體研發(fā)中心技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Percy Gilbert 2月8日在“世界半導體東京峰會(huì )2012”發(fā)表了演講，他說(shuō)，半導體技術(shù)的進(jìn)步為社會(huì )帶來(lái)了互聯(lián)網(wǎng)的普及等變革，今后還要繼續推進(jìn)該技術(shù)的發(fā)展。不過(guò)，除了傳統技術(shù)之外，器件、制造及材料的技術(shù)革新變得不可或缺。同時(shí)，業(yè)務(wù)模式也要革新，IBM作為研發(fā)型半導體公司稱(chēng)“合作”尤其重要，IBM的“共生系統”戰略不僅要聯(lián)手半導體廠(chǎng)商，還要與設備廠(chǎng)商、裝置及材料廠(chǎng)商合作，由此來(lái)分擔研發(fā)投資?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/131587.htm

　　臺積電代表也在會(huì )上表示，邏輯電路尖端工藝的發(fā)展將繼續受到市場(chǎng)歡迎。公司現行28nm工藝，計劃2012年下半年將使20nm工藝量產(chǎn)化，2014年則將推進(jìn)到14nm工藝量產(chǎn)化。同時(shí)，對“更摩爾”(More Moore)微細化以外追求差異化的“超摩爾”(More than Moore)的量產(chǎn)器件，也將推進(jìn)微細化以降低成本。

　　SIA(美國半導體工業(yè)協(xié)會(huì ))于去年底在韓國首次公布了《2011 ITRS》(2011年國際半導體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖)，對半導體設計和制造技術(shù)到2026年的發(fā)展作了預測。SIA總裁Brian Toohey說(shuō)，路線(xiàn)圖的宗旨之一是遵循摩爾定律的發(fā)展速度，不斷縮小工藝尺寸、提高性能以滿(mǎn)足消費者的需求。ITRS特別指出，DRAM將加速發(fā)展以因應高端服務(wù)器、臺式游戲機復雜圖形的進(jìn)步。廣泛用于數碼相機、平板電腦和手機的Flash閃存近幾年內也將快速發(fā)展，2016年將出現3D架構產(chǎn)品。此外，也詳細介紹了連接器、開(kāi)關(guān)、有關(guān)器件、材料以及射頻和模擬混合信號技術(shù)的未來(lái)革新。