NAND閃存將呈現爆炸式增長(cháng)

　　隨著(zhù)智能手機、平板電腦、超極本等移動(dòng)互聯(lián)設備市場(chǎng)的井噴，存儲器Nand Flash也呈現“水漲船高”之勢，Gartner預估今年Nand閃存市場(chǎng)將增長(cháng)18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆Nand Flash應用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時(shí)代已經(jīng)到來(lái)”，今年平板電腦的出貨量預計在1.5億臺左右，智能手機將突破6億部，加起來(lái)為7.5億部，將遠超今年P(guān)C出貨量，帶動(dòng)對顯示屏、主控芯片和存儲器關(guān)鍵部件的需求，Nand閃存將呈現爆炸式的增長(cháng)。

　　制程提升對閃存控制器帶來(lái)挑戰

　　閃存技術(shù)發(fā)展的日新月異，對新技術(shù)、新工藝的追求和使用，相應地對控制器也提出了新的要求。

　　今年以來(lái)，Nand閃存大廠(chǎng)英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴增新產(chǎn)能計劃，向20nm制程發(fā)力。英特爾已經(jīng)量產(chǎn)20nm工藝的128GB Nand閃存產(chǎn)品，預計下半年即可出貨。三星更是在西安建廠(chǎng)沖擊10nm Nand閃存，一場(chǎng)圍繞Nand Flash應用的存儲大變革正在進(jìn)行。

　　而20nm制程“照進(jìn)現實(shí)”，對Nand閃存廠(chǎng)商亦帶來(lái)全新挑戰。英特爾(中國)有限公司嵌入式營(yíng)銷(xiāo)事業(yè)部銷(xiāo)售經(jīng)理潘鋒表示，一方面隨著(zhù)制程的提升，產(chǎn)品對于性能、ECC的要求會(huì )越來(lái)越高;另一方面制程成本的降低，對于可靠性和穩定性要求更高。制程的提升雖有助于成本的降低，但相應地會(huì )損失性能。他舉例說(shuō)，英特爾25nm的閃存可以做到3000次的可擦寫(xiě)次數，但到20nm，產(chǎn)品表現要差一些。LSI中國區高級業(yè)務(wù)經(jīng)理邢剛也表示，閃存工藝提升帶來(lái)了低成本，但同時(shí)帶來(lái)壽命和可靠性的降低，因而下一步如何保證閃存的性能和穩定性是非常重要的。

　　深圳市泰勝微(BIWIN)科技有限公司總裁孫日欣提到，新的Flash工藝技術(shù)的引進(jìn)帶來(lái)CPU、MCU等的變革，如果MCU等不能及時(shí)消化、吸收Nand閃存所帶來(lái)的技術(shù)變革，那么閃存的革新就失去了意義。“誰(shuí)的控制器能夠對新制程的Nand閃存進(jìn)行有效的支持，誰(shuí)就掌握了市場(chǎng)的先機。”孫日欣進(jìn)一步強調說(shuō)。

　　慧榮科技股份有限公司(SMI)總經(jīng)理茍嘉章則用“脆弱”來(lái)形容隨著(zhù)工藝技術(shù)飛速發(fā)展的閃存。他表示需要在設計機制上為今后的14nm制程做好準備。他同時(shí)表示，由于Nand閃存需要進(jìn)一步降低成本，制程微縮，在極小的線(xiàn)寬和更高的電壓下頻繁地擦寫(xiě)，這給控制器廠(chǎng)商提出了很大的挑戰，SMI針對這些特點(diǎn)在ECC糾錯、安全保護等方面進(jìn)行了優(yōu)化，確保了高級工藝閃存穩定可靠地工作。

　　手機存儲向eMMC進(jìn)發(fā)

　　在智能手機存儲器中，引人關(guān)注的是eMMC的興起。

　　而Nand閃存在手機中的應用也經(jīng)歷了“從無(wú)到有、從低到高”的歷程。BIWIN公司總經(jīng)理劉陽(yáng)表示，手機從不需要Nand閃存，到功能手機出現時(shí)需要Nand閃存，到現在智能手機對Nand閃存有更高的要求，也就是eMMC，今后智能手機對Nand的需求將會(huì )更高。茍嘉章則指出，智能手機、平板電腦、超級本等已成為Nand閃存主要的成長(cháng)動(dòng)力，需求包括eMMC、eMCP、SSD等。

　　毫無(wú)疑問(wèn)，智能手機、平板電腦方案商都看中以eMMC和SSD為代表的新興存儲技術(shù)。在智能手機存儲器中，引人關(guān)注的是eMMC的興起。eMMC是為了簡(jiǎn)化手機內存儲器的使用，將NAND閃存芯片和控制芯片設計成一顆MCP芯片。它提供標準接口并管理閃存，接口不用再為不同閃存技術(shù)的每一次升級而改變，使得手機廠(chǎng)商能專(zhuān)注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的其他部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。目前主流手機芯片均已支持eMMC。

　　這對于希望通過(guò)縮小光刻尺寸和降低成本的Nand閃存供應商來(lái)說(shuō)，具有同樣的重要性。BIWIN公司總經(jīng)理劉陽(yáng)也表示，BIWIN目前在主推的自有品牌的五大嵌入式存儲芯片qNAND、qSD、cNAND、MCP和eSSD中，qNAND是eMMC產(chǎn)品，它的好處就是可以緩解CPU的壓力，同時(shí)具備不同的功能。隨著(zhù)控制器的發(fā)展，BIWIN也計劃在今年下半年推出支持4.5標準的eMMC產(chǎn)品。

　　SSD重在質(zhì)量及供貨

　　用一個(gè)消費級別的閃存生產(chǎn)出一個(gè)企業(yè)級SSD成為眾多企業(yè)的目標。

　　而平板電腦對Nand閃存的需求更為復雜。劉陽(yáng)指出，因為平板電腦有ARM架構，還有X86架構。X86架構對Nand閃存的需求集中體現在SSD產(chǎn)品。目前SSD使用兩種形式的Nand閃存：?jiǎn)渭墕卧?SLC)和多級單元(MLC)。“MLC將得到廣泛的應用，目前主流平板電腦的標配是8G/16G的MLC，某些低端產(chǎn)品會(huì )用到4G的MLC。”劉陽(yáng)介紹說(shuō)。

　　開(kāi)展SSD業(yè)務(wù)要在技術(shù)上不斷實(shí)現“超越”，潘鋒就提到，因為聯(lián)想、HP、戴爾等OEM要求非?？量?，一是產(chǎn)品質(zhì)量不能出問(wèn)題，二是如果終端需求大量爆發(fā)，要能夠及時(shí)供貨。

　　用一個(gè)消費級別的閃存生產(chǎn)出一個(gè)企業(yè)級SSD成為眾多企業(yè)的目標。LSI中國區高級業(yè)務(wù)經(jīng)理邢剛表示，LSI在控制器的寫(xiě)算法方面做了優(yōu)化，寫(xiě)放大系數小于0.5，在實(shí)測環(huán)境里面能達到0.6、0.7，在業(yè)界領(lǐng)先，這一技術(shù)能提升固態(tài)硬盤(pán)的使用壽命。而B(niǎo)IWIN公司的eSSD產(chǎn)品就是一款芯片級別的固態(tài)硬盤(pán)，它有LGA和BGA兩種不同的封裝形式，采用SATA接口定義，BIWIN還計劃推出SATAIII接口的eSSD產(chǎn)品。

　　需要指出的是，固態(tài)硬盤(pán)不僅僅是智能終端市場(chǎng)崛起的“受益者”，Amlogic銷(xiāo)售總監李明提到，云技術(shù)的到來(lái)會(huì )推動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展。隨著(zhù)云存儲服務(wù)的日益增多，消費者將更關(guān)注需要多大的存儲空間。