飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗

　　飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench  MOSFET器件，滿(mǎn)足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開(kāi)關(guān)解決方案的需求。

　　FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線(xiàn)性模式應用。

　　特性和優(yōu)勢

　　FDMA905P:

• 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm
• 確保低R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 16m? at V_GS = -4.5V, I_D = -10A)
• 具有出色的散熱性能(R_ΘJA = 52 ℃/W)

　　FDME905PT:

• 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm
• 確保低 R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 22m? at V_GS = -4.5V, I_D = -8A)
• 具有出色的散熱性能(R_ΘJA = 60 ℃/W)

　　FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿(mǎn)足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設備。