Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現低溫操作

　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能在持續狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實(shí)現更低溫度運行。

　　這款無(wú)鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡(jiǎn)易替換高可靠性的信號以及負載開(kāi)關(guān)應用，用于包括數碼相機、平板電腦和智能手機在內的高便攜式消費電子產(chǎn)品。

　　Diodes公司首次推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類(lèi)型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有助于大幅減少傳導損耗和功率耗散。

　　Diodes之后還會(huì )推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件和一系列雙極型器件。