富士通新技術(shù)：0.4V電壓即可驅動(dòng)芯片工作

　　雖然芯片制程方面一直在飛速進(jìn)步，不過(guò)自從進(jìn)入0.18微米(180nm)時(shí)代CPU核心電壓降至 1.xV級別后，即使是目前實(shí)際生產(chǎn)用最新的28nm制程也只能使核心電壓維持在1V左右。“高”電壓帶來(lái)的功耗問(wèn)題也使移動(dòng)計算方面處處受限，目前智能手機、平板電腦等最大的問(wèn)題之一就是功耗和續航。而芯片電壓之所以無(wú)法突破1V的重要原因之一就是低壓無(wú)法驅動(dòng)內部的SRAM模塊。不過(guò)上周富士通半導體和美國SuVolta公司開(kāi)發(fā)的新制程卻可以使電壓閾值下降至0.4V左右。

　　SoVolta開(kāi)發(fā)的DDC晶體管制造的576Kb SRAM模塊最低可在0.425V電壓下工作，相比目前常用SRAM最低0.7V左右的工作電壓減少了40%左右。相對于效果類(lèi)似的ETSOI和Tri-Gate制程，SuVolta與富士通的這種技術(shù)更加簡(jiǎn)便易行。

　　富士通半導體計劃繼續改進(jìn)此技術(shù)，并應客戶(hù)要求將低功耗特性全面導入對應的產(chǎn)品中，對于逐漸SoC化的移動(dòng)處理器來(lái)說(shuō)這的確是個(gè)不錯的消息。